技术编号:31468227
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及集成电路技术领域,特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。背景技术.动态随机存储器(dynamic random access memory,简称dram)是计算机等电子设备中常用的半导体存储器,其由多个存储单元构成。其中,存储单元包括:存储电容器、以及与存储电容器电连接的晶体管。晶体管包括栅极、源极和漏极。晶体管的栅极用于与字线电连接。晶体管的源极用于构成位线接触区,以通过位线接触结构与位线电连接。晶体管的漏极用于构成存储节点接触区,以通过存储节点接触结构与存储电容器电连接。....
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