技术编号:31622644
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种肖特基晶体管、二极管、冷源半导体结构及其制备方法。背景技术.当前集成电路技术所面临的一个巨大挑战就是如何在缩减尺寸的同时降低功耗,但是由于电路所需的电源电压无法随着器件尺寸的缩小进行同步按比例缩小,导致功耗问题突出。这个问题不论在晶体管还是二极管中都存在,在晶体管中,比如mosfet,主要体现为亚阈值摆幅存在mv/dec的极限;在二极管中,比如pn结二极管,主要体现为理想因子为的极限,这都是由于半导体结构的物理原理所决定的极限,导致现有半导体结构...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。