技术编号:31663146
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种半导体器件。背景技术.随着各种电子产品朝小型化发展的趋势,动态随机存取存储器(dynamic randomaccess memory,dram)的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。对于具备凹入式栅极结构的动态随机存取存储器而言,由于其可以在相同的半导体基底内获得更长的载流子通道长度,其已逐渐取代仅具备平面栅极结构的动态随机存取存储器。.一般来说,具备凹入式栅极结构的dram是由数目庞大的存储单元(memory ce)聚集形成一阵列区,用来...
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