技术编号：31698468
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体集成电路领域，具体是一种用等离子体和反应离子刻蚀制造双台阶型连接孔的方法。背景技术.台阶覆盖的质量在金属的互连技术中是一个非常重要的参数，通常在孔的侧壁位置，由于pvd溅射工艺具有的自掩蔽效应，金属的覆盖率会比较低，甚至出现金属断层的现象，而这些位置在后续的电路工作中，电流密度较大，容易出现金属连线断裂，以至于电路失效；而台阶覆盖率的好坏，不仅与溅射工艺相关，也与连接孔/通孔的形貌有密切关系；.传统的连接孔形貌有直孔型、碗口型。直孔型主要运用于小尺寸钨塞工艺；碗口型连接孔...
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