技术编号:31712669
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种半导体装置及连续读出方法,尤其涉及与非(nand)型闪速存储器的读出方法。背景技术.在nand型闪速存储器中,搭载有响应来自外部命令而连续地读出多页的连续读出功能(突发读出功能(burst read function))。页缓冲器(page buffer)/读出电路例如包括两个锁存器,在进行连续读出动作时,在其中一个锁存器中保持自阵列读出的数据期间,能够输出另一个锁存器中所保持的数据。日本专利号公开了一种实现连续读出的进一步高速化的连续读出方法。发明内容.在图...
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