技术编号：31839727
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。斜切°goi衬底、短波红外焦平面像元及其制备方法技术领域.本发明涉及半导体领域，特别涉及一种斜切°goi衬底、短波红外焦平面像元及其制备方法。背景技术.基于iii-v族短波红外材料体系的短波红外焦平面拥有高灵敏度、高均匀性、高稳定性等特点，其响应波段可覆盖.～.μm的范围。然而，商业化的iii-v族短波红外焦平面面临晶圆尺寸小、制造成本高、阵列规模小等缺点，用低成本的大尺寸衬底替代高成本的小尺寸衬底是一种必然趋势。si衬底不仅具备大尺寸、制造工艺成熟的特性，还兼具低成本的优势，因...
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