技术编号：31862517
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于多晶硅生产技术领域，具体涉及一种去除含碳杂质的方法及装置、以及包括该装置的多晶硅生产系统。背景技术.在改良西门子法生产多晶硅工艺中，原料三氯氢硅中甲基氯硅烷在还原炉内的分解是多晶硅生产工艺中碳杂质的重要来源之一。原料三氯氢硅中甲基氯硅烷的主要存在形式有甲基二氯硅烷、甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、以及三甲基氯硅烷等。.目前，用于降低原料三氯氢硅中含碳杂质(即甲基氯硅烷)含量的方法主要有常规精馏法、吸附法、反应精馏法等等，其中：其中：常规精馏法只能尽可能降低三氯氢硅中的含碳杂质的量...
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