技术编号:31935637
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种集成双向tvs二极管功率器件芯片的制作方法技术领域.本发明涉及半导体器件制造技术领域,具体为一种集成双向tvs二极管功率器件芯片的制作方法。背景技术.传统的功率器件芯片,比如igbt、mos,门(栅)极抗电压冲击能力比较弱,几十伏的电压就可以使其击穿,导致芯片失效。tvs二极管能抑制超过其崩溃电压的过高电压,从而保护与其并联的电子器件。本发明提供了一种集成双向tvs二极管功率器件芯片的制作方法,解决了门极抗电压冲击能力弱的缺点,使功率器件芯片在封装、运输、使用过程中,得到有效保护。发明内...
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