技术编号：32007219
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种algan外延结构及其制备方法和半导体器件技术领域.本发明涉及半导体外延技术领域，尤其涉及一种algan外延结构及其制备方法和半导体器件。背景技术.algan作为宽禁带半导体材料，可以实现禁带宽度.ev到.ev之间连续可调，被广泛应用于载流子阻挡层、紫外发光层及高电子气异质结等结构，在诸多领域有着重要应用价值。.由于同质衬底缺乏，algan材料通常采用异质衬底外延生长，由于和衬底存在较大的晶格常数和热膨胀系数差异，algan材料在外延生长过程中会产生大量的位错，同时还会出现外延...
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