一种变掺杂SiC外延结构的制作方法技术资料下载

技术编号:32160883

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一种变掺杂sic外延结构技术领域.本发明属于半导体器件技术领域,特别涉及一种sic外延结构。背景技术.空间辐射环境是一个充斥着各类宇宙射线的复杂环境,其主要包括由质子和α粒子构成的银河宇宙射线(gcr),由太阳大气加速的高能量、高通量带电粒子流组成的太阳宇宙射线(scr),自太阳飞向地球的热电离气体形成的太阳风,以及由地磁场俘获的质子、电子和少量低能重离子构成的地球辐射带(范艾伦带),来自地面或高空核武器爆炸产生的核辐射、高能电磁脉冲和核爆冲击波组成的空间核爆环境及上述高能粒子与航天飞船的构...
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