技术编号：32213157
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种基于qfn外形的gan半导体封装框架技术领域.本实用新型属于芯片封装领域，尤其是涉及一种基于qfn外形的gan半导体封装框架。背景技术.氮化镓制成的mosfet由于自身性质，通常被用于高电压、大流量的工作电路中，但是由于在工作中会产生大量的热量，对电子器件自身的性能造成影响，因此氮化镓mosfet在封装过程中更需要考虑自身以及设备的散热问题，现有的封装技术，封装内部的mosfet往往通过针脚与外界连接，不利于产品散热，而且在框架的生产以及产品封装过程中，要对框架进行合理设计，提高产品利用...
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