技术编号:32246913
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体器件及其制造方法.相关申请的交叉引用.本申请要求年月日提交的申请号为--的韩国专利申请的优先权,其通过引用整体合并于此。技术领域.本发明涉及一种半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法,并且更具体地,涉及一种包括接触插塞的半导体器件及其制造方法。背景技术.在制造半导体器件的接触结构时,形成欧姆接触以抑制泄漏电流和接触电阻的增大。作为已知技术,形成硅化物层以形成欧姆接触。发明内容.本发明的各种实施例提供了一种能够提高热稳定性和接触电阻两者的半...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。