技术编号:32348031
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。采用边缘晶体管电流泄漏抑制以减少fet电流泄漏的场效应晶体管(fet).优先申请.本申请要求在年月日提交的题为“field-effect transistors(fets)employing edge transistor current leakage suppression to reduce fet current leakage”的美国专利申请序列号/,的优先权,该申请通过引用整体并入本文。技术领域.本公开的领域涉及场效应晶体管(fet),并且更具体地...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。