技术编号：32351803
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本技术(根据本公开的技术)涉及半导体装置，并且特别地涉及通过应用于使用存储器单元阵列部作为积和计算电路的半导体装置而有效的技术。背景技术.在同一衬底上包括n沟道导电金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)(在下文中，称为n型mosfet)和p沟道导电mosfet(在下文中，称为p型mosfet)的互补mos(cmos)电路具有低功耗、易于小型化和高度集成、并且可以高速操作，因此被广泛地用作许多lsi构成装置。特别地，具有与模拟电路和存储器一起安装在一个芯片上的多个功能的lsi被商业化为...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术无源代码，用于学习原理，如您想要源代码请勿下载。