技术编号:32442019
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体长晶技术领域,特别是涉及一种碳化硅单晶生长效果对比装置及方法。背景技术.碳化硅凭借其较大的禁带宽度、临界击穿场强和热导率,成为全球战略竞争新的制高点,拥有广阔的市场前景。液相外延法是一种在接近热力学平衡条件下制备高质量碳化硅晶体的方法,该方法具有生长速率高、微管闭合效率高、易于扩径等优点,引起了广大学者的研究兴趣。液相法生长sic晶体时籽晶被固定在石墨托前端,利用硅溶液作为溶剂,石墨坩埚中的碳作为溶质,在超过硅熔点的高温条件下形成sic的饱和溶液。随后sic单晶衬底与溶液液...
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