技术编号:3244694
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种PECVD (等离子化学气体相淀积)装置的气体管路的 结构。背景技术如图1所示,是现有PECVD装置的气体管路结构,上腔体供应气体包 括SiH4-1、 SiH4-2、 NH3、 N20、 02、 HE、 C2F6,其中N20、 02、 HE和C2Fd 路结构分别经总手阀、压力表、支路手阀、MFC和两通气动阀进入气体分 配柜(GAS PANEL),而SiH4-1、 SiH厂2、 NH3支路结构分别经总手阀、压力 表、支路手动阀、三通气动阀、MF...
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