专利名称：Pecvd装置的气体管路结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种PECVD (等离子化学气体相淀积)装置的气体管路的 结构。
背景技术：
如图1所示，是现有PECVD装置的气体管路结构，上腔体供应气体包 括SiH4-1、 SiH4-2、 NH3、 N20、 02、 HE、 C2F6，其中N20、 02、 HE和C2Fd 路结构分别经总手阀、压力表、支路手阀、MFC和两通气动阀进入气体分 配柜(GAS PANEL),而SiH4-1、 SiH厂2、 NH3支路结构分别经总手阀、压力 表、支路手动阀、三通气动阀、MFC和三通气动阀进入气体分配柜，所有 上腔体供应气体均是在气体分配柜内部混合后通过气动阀和过滤器导入 反应腔的。另一路Ar气体单独一路直接通入腔体底部。在正常情况下，上 述设计结构是安全的，但是当出现SiH" 02和NH3的气动阀门内漏时，还 原性的Si仏、NH3会和02反应生成Si0, SiON等颗粒堆积在管道内，影响 工艺。或者当SiH4在没有充分吹扫干净时,也会出现上述现象。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种PECVD装置的气体管路结构， 它可以防止管道堆积颗粒，保证工艺稳定性和安全性。
为了解决以上技术问题，本发明提供了一种PECVD装置的气体管路 结构，由多路上腔体供应气体通入气体分配柜内混合后，经同一管路通入后端反应腔;其中多路上腔体供应气体中的还原性气体和氧化性气体分别
由两个管路通入气体分配柜进行混合。
因为本发明将强还原性气体和强氧化性气体分开管路设计，可以有 效防止管道堆积颗粒，保证工艺稳定性和安全性。
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细说明。
图1是现有PECVD装置的气体管路结构示意图2是本发明的PECVD装置的气体管路结构示意图。
具体实施例方式
如图2所示是本发明的PECVD装置的气体管路结构，本发明是将现 有PECVD装置的气体管路中所有上腔体供应气体均在气体分配柜内混合 的结构按照气体性质变为两路气体进入气体分配柜内混合的结构。
本发明的PECVD装置的气体管路结构，由多路上腔体供应气体通入 气体分配柜内混合后，经同一管路通入后端反应腔；其中多路上腔体供应 气体分为还原性气体和氧化性气体两个部分，还原性气体和氧化性气体分 别由两个管路通入气体分配柜进行混合。还原性的气体包括SiH4和N2， 氧化性气体包括NH3、 N20、 C2F6、 02和He。
还原性气体支路SiH4-l和SiH4-2,分别依次经过总手阀、压力表、支 路手动阀、三通气动阀、MFC和三通气动阀；还原性气体支路N2依次经过 总手阀、压力表、支路手阀、MFC和两通气动阀；然后全部还原性气体(包 括SiH厂1、 SiH厂2和N2)汇合为一个管路，再经过一个气动阀和一个过滤 器通进入气体分配柜内混合。另外氧化性气体各支路中的N20、 C2F6、 02和He,分别依次经过总手 阀、压力表、支路手阀、MFC和两通气动阀；氧化性气体朋3依次经过总 手阀、压力表、支路手动阀、三通气动阀、MFC和三通气动阀；然后全部 氧化性气体(包括腿3、 N20、 C2F6、 02和He)汇合为一个管路，再经过一 个气动阀和一个过滤器通进入气体分配柜内混合。
因此还原性气体和氧化性气体分两个管路最终在气体分配柜内混 合。另一路Ar气体则单独一路直接通入反应腔底部。
另外本发明的还原性气体的管路中由N2作为吹扫气体，而氧化性气 体的管路中不需要增加吹扫N2，可直接由He作为吹扫气体。
权利要求
1、一种PECVD装置的气体管路结构，由多路上腔体供应气体通入气体分配柜内混合后，经同一管路通入后端反应腔；其特征在于，将所述多路上腔体供应气体分中的还原性气体和氧化性气体分别由两个管路通入所述的气体分配柜进行混合。
2、 如权利要求1所述的PECVD装置的气体管路结构，其特征在于， 所述的还原性气体包括Si仏和N2。
3、 如权利要求2所述的PECVD装置的气体管路结构，其特征在于， 所述还原性气体的管路的吹扫气体为N2。
4、 如权利要求1所述的PECVD装置的气体管路结构，其特征在于， 所述的氧化性气体包括NH3、 N20、 C2F6、 02和He。
5、 如权利要求4所述的PECVD装置的气体管路结构，其特征在于， 所述氧化性气体的管路的吹扫气体为He。
6、 如权利要求1所述的PECVD装置的气体管路结构，其特征在于， 所述还原性气体的管路和所述氧化性气体的管路分别由一个气动阀和一 个过滤器通入所述的气体分配柜进行混合。
全文摘要
本发明公开了一种PECVD装置的气体管路结构，由多路上腔体供应气体通入气体分配柜内混合后，经同一管路通入后端反应腔；将多路上腔体供应气体分为还原性气体和氧化性气体两个部分，还原性气体和述氧化性气体分别由两个管路通入气体分配柜进行混合。因为本发明将强还原性气体和强氧化性气体分开管路设计，可以有效防止管道堆积颗粒，保证工艺稳定性和安全性。
文档编号C23C16/44GK101445917SQ200710094290
公开日2009年6月3日 申请日期2007年11月27日 优先权日2007年11月27日
发明者史剑峰, 张文华 申请人:上海华虹Nec电子有限公司