专利名称：一种防止单晶炉保护气体管路泄漏的供气装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种供气装置，特别是一种防止单晶炉保护气体管路泄漏的供气装置。
背景技术：
在直拉单晶生长过程中，由于单晶炉体内在加热融化原料多硅晶块的过程中会产生一些 硅氧化物和杂质的挥发物。这些硅氧化物和杂质的挥发物对硅单晶的生长会生产不利因素， 因此需要使用保护性气体流由上至下贯穿单晶生长的区域，及时地带走硅氧化物和杂质的挥 发物，氩气是常用的保护性气体。
现有的供气装置是供气管道通过气阀开关后分为两路后，分别与带流量计的流量调节阀 甲和带流量计的流量调节阀乙连接，带流量计的流量调节阀甲出口和带流量计的流量调节阀 乙出口分别为单晶炉供气。在使用过程中发现，带流量计的流量调节阀甲和带流量计的流量 调节阀乙密封性不太好，有时会出现氩气管路的泄露现象，由于拉晶时是负压，因此外界空 气会被吸入管路造成炉内硅料等的氧化。
实用新型内容
本实用新型的目的在于，提供一种防止单晶炉保护气体管路泄漏的供气装置，解决氩气 管路的泄露现象，避免氧气进入氩气管路造成拉晶过程中的氧化。
本实用新型的技术方案 一种防止单晶炉保护气体管路泄漏的供气装置，它包括气阀开 关，气阀开关的入口与供气管道连接；气阀开关的出口分为两路，分别连接流量调节阀甲和 流量调节阀乙的进口；流量调节阀甲的出口经流量计甲与单晶炉连接；流量调节阀乙的出口 经流量计乙与单晶炉连接。
上述的防止单晶炉保护气体管路泄漏的供气装置中，所述的流量调节阀甲和流量调节阀 乙均为薄膜阀。
与现有技术相比，本实用新型将现有技术中使用的带流量计的流量调节阀分别用技术比 较成熟的薄膜流量调节阀和流量计替代后，产生了有益的效果，有效的防止了氩气管路的泄 漏，避免了拉晶过程中的氧化，提高了成品率。
图l是本实用新型的结构示意图；图2是现有技术的结构示意图。
附图中的标记为l-气阀开关，2-流量调节阀甲，3-流量调节阀乙，4-流量计甲，5-流 量计乙，6-带流量计的流量调节阀甲，7-带流量计的流量调节阀乙。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型的防止单晶炉保护气体管路泄漏的供气装置作进一 步的详细说明，但并不作为对本实用新型作任何限制的依据。
现有技术的管路如图2所示，供气管道与气阀开关l的入口连接，气阀开关l的出口分为 两路，分别与带流量计的流量调节阀甲6入口和带流量计的流量调节阀乙7入口连接，带流量 计的流量调节阀甲6出口和带流量计的流量调节阀乙7出口与单晶炉连接。
本实用新型管路如图l所示，它包括气阀开关l，气阀开关l的入口与供气管道连接；气 阀开关l的出口分为两路，分别连接流量调节阀甲2和流量调节阀乙3的进口；流量调节阀甲2 的出口经流量计甲4与单晶炉连接；流量调节阀乙3的出口经流量计乙5与单晶炉连接。所述 的流量调节阀甲2和流量调节阀乙3均采用薄膜阀。
本实用新型的工作原理
由于现有技术中使用的带流量计的流量调节阀出现气体泄漏，分析其原因是带流量计的 流量调节阀密封技术存在缺陷，因此更换密封技术比较成熟的独立的流量调节阀和流量计后 功能不变，可很好的解决氩气管路泄漏的问题，避免材料的浪费，提高了产品生产的成品率
权利要求权利要求1一种防止单晶炉保护气体管路泄漏的供气装置，它包括气阀开关(1)，气阀开关(1)的入口与供气管道连接；其特征在于气阀开关(1)的出口分为两路，分别连接流量调节阀甲(2)和流量调节阀乙(3)的进口；流量调节阀甲(2)的出口经流量计甲(4)与单晶炉连接；流量调节阀乙(3)的出口经流量计乙(5)与单晶炉连接。
2.根据权利要求l所述的防止单晶炉保护气体管路泄漏的供气装置， 其特征在于所述的流量调节阀甲(2)和流量调节阀乙(3)均为薄膜阀。
专利摘要本实用新型公开了一种防止单晶炉保护气体管路泄漏的供气装置。它包括气阀开关(1)，气阀开关(1)的入口与供气管道连接；气阀开关(1)的出口分为两路，分别连接流量调节阀甲(2)和流量调节阀乙(3)的进口；流量调节阀甲(2)的出口经流量计甲(4)与单晶炉连接；流量调节阀乙(3)的出口经流量计乙(5)与单晶炉连接。本实用新型将现有技术中使用的带流量计的流量调节阀分别用技术比较成熟的流量调节阀和流量计替代后，产生了有益的效果，有效的防止了氩气管路的泄漏，提高了单晶生产的成品率。
文档编号C30B15/00GK201305647SQ20082030276
公开日2009年9月9日 申请日期2008年11月13日 优先权日2008年11月13日
发明者丁宇翔, 何紫平, 胥敬东 申请人:湖州新元泰微电子有限公司