技术编号:3244705
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种化学机械研磨设备 研磨头的清洗方法。背景技术随着半导体集成电路向小线宽方向不断发展,多层互连或填充深宽 比较大的沉积过程会导致晶片表面过大的起伏,引起光刻工艺聚焦困难, 从而减弱光刻工艺中对线宽控制能力,降低整个晶片上的线宽的一致性。业界引入化学机械研磨(Chemical Mechanical Planarization,CMP )对晶片表面进行平坦化。在化学机械研磨工艺中,将硅片放置于研磨头(PolishHead)上,并...
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