专利名称：化学机械研磨设备研磨头的清洗方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种化学机械研磨设备 研磨头的清洗方法。
背景技术：
随着半导体集成电路向小线宽方向不断发展，多层互连或填充深宽 比较大的沉积过程会导致晶片表面过大的起伏，引起光刻工艺聚焦困难， 从而减弱光刻工艺中对线宽控制能力，降低整个晶片上的线宽的一致性。
业界引入化学机械研磨(Chemical Mechanical Planarization,CMP )对晶片
表面进行平坦化。
在化学机械研磨工艺中，将硅片放置于研磨头(PolishHead)上，并 使晶片表面朝下与研磨垫(Polish Pad)接触，通过晶片表面和抛光垫之 间的相对运动使得硅片表面平坦化。
在化学机械研磨过程中，在晶片背面施加压力，以使晶片表面和研 磨垫充分接触。在晶片表面和研磨垫之间供给有研磨液(Slurry),研磨 液通过晶片表面和研磨垫之间的相对转动，均勻分布在晶片和研磨垫之 间的缝隙中，并和晶片表面欲除去的材料层发生化学反应而生成容易去 除的材料，然后通过晶片和研磨垫相对运动产生的机械作用将晶片表面 发生化学反应而生成的相对容易去除的材料除去。由于晶片表面高处的 图形更容易和研磨垫接触而被除去，从而高处的图形比低处的图形能够 更快被去除，达到整个晶片表面平坦化的效果。
化学机械研磨后，需要对研磨头进行清洗，以去除研磨头表面的研 磨残留物，所述的残留物可能是研磨液残留、晶片表面的材料层残留物 或者研磨液与晶片表面材料发生反应后的生成物的残留物。
专利号为US7255771B2的美国专利中，公开了 一种研磨装置的研磨 头，图l为所述的美国专利公开的研磨头的剖面示意图。
如图1所示，所述的研磨头包括主体部件104、卡环(RetainingRing) 1 IO和柔性隔膜(Flexible Membrance ) 108;所述柔性隔膜108与所述主体部件104连接，并向下延伸，形成多个内腔，包括中心圆形腔106a、同心 环腔106b和内腔106c;在主题部件104中形成有通道112a、 112b和112c, 所述通道112a、 112b和112c分别与中心圓形腔106a、同心环腔106b和内腔 106c流体性连接。待研磨晶片10可被吸附于所述柔性隔膜108的表面，通 过通道112a、 112b和112c可分别改变中心圓形腔106a、同心环腔106b和内 腔106c的压力，从而改变所述柔性隔膜108不同区域施加于晶片10上的压 力。
在对研磨头进行清洗时，需要将研磨头置于清洗装置中，如图2所示 的剖示图。
将如图1所示的研磨头置于如图2所示的清洗装置140中，所述清洗装 置140中的多个喷头140a向所述的研磨头的工作板外表面喷出去离子水， 对所述研磨头表面进行清洗，以去除所述研磨头表面的研磨残留物。
然而，用所述的方法清洗所述研磨头时，很难将研磨头的卡环110与 柔性隔膜108之间的间隙中的研磨残留物去除，研磨残留物会随着所述的 研磨头被带到后续的研磨工艺，常常会在后续待研磨的晶片表面形成新 残留物缺陷，造成形成的半导体器件的稳定性下降。
发明内容
本发明提供一种研磨头的清洗方法，本发明能够将研磨头清洗干净。
本发明提供的一种研磨头的清洗方法，所述研磨头包括卡环，至少 一个内腔，各内腔连接且在工作板上，且内腔压力作用于工作板上，包 括将研磨头置于研磨装置的清洗槽中；设置与所述卡环相邻研磨头内 腔中压力小于大气压力；向所述研磨头工作板外表面喷洒去离子水。
可选的，设置所述与卡环相邻研磨头内腔中压力小于大气压力的步 骤中，设置与卡环相邻研磨头内腔中为真空状态。
可选的，在向所述研磨头工作板外表面喷洒去离子水之前，设置与 卡环次相邻研磨头内腔中的压力小于大气压力。
可选的，在向所述研磨头工作板外表面喷洒去离子水时，周期性改变与所述卡环相邻研磨头内腔中的压力。
可选的，与所述卡环相邻研磨头内腔中的压力在大气压力和真空之 间周期性改变。
可选的，向所述研磨头工作板外表面喷洒去离子水时，旋转所述研 磨头。
可选的，向所述研磨头工作板外表面喷洒去离子水时，改变喷洒的 角度。
可选的，间歇性向所述研磨头工作板外表面喷洒去离子水。 可选的，随着喷洒次数的增加，喷洒的流量减小。
可选的，向所述研磨头工作板外表面喷洒去离子的时间为5至 100s。
可选的，向所述卡环相邻的研磨头内腔与该卡环之间区域喷洒去离 子水的喷洒速度大于向研磨头工作板外表面其它区域的喷射速度。
相应的，本发明还提供一种研磨头的清洗方法，所述研磨头包括卡 环，至少一个内腔，各内腔连接且在工作板上，且内腔压力作用于工作 板上，包括将研磨头置于研磨装置的清洗槽中；向所述研磨头工作板 外表面喷洒去离子水，对所述研磨头进行清洗；对所述研磨头工作板外 表面喷洒去离子水一l史时间后，设置与所述卡环相邻研磨头内腔中压力 小于大气压力；继续向所述研磨头工作板外表面喷洒去离子水。
可选的，设置所述与卡环相邻研磨头内腔中压力小于大气压力的步 骤中，设置与卡环相邻研磨头内腔中为真空状态。
可选的，在向所述研磨头工作板外表面喷洒去离子水之前，设置与 与卡环次相邻研磨头内腔中的压力小于大气压力。
可选的，在向所述研磨头工作板外表面喷洒去离子水时，周期性改 变与所述卡环相邻研磨头内腔中的压力。
与现有技术相比，上述技术方案的其中 一个具有以下优点
通过减小与卡环相邻的研磨头内腔的压力，增大研磨头卡环与该相 邻内腔侧壁之间的间隙，使得去离子水可以很容易的对该间隙内进行冲洗，以减少或去除该减小中的残留物，从而可以减小或去除干净整个研 磨头表面的残留物缺陷。
上述技术方案的另一个具有以下优点通过同时减小相邻内腔和次 相邻内腔中的压力，可使得相邻内腔的侧面与卡环之间的间隙进一步增 大，使得去除所述间隙中的残留物更加容易。
上iii支术方案的一种具有以下优点所述周期性的改变相邻内腔中 的压力，使得所述相邻内腔外的工作板表面相应的周期性的收缩与扩 张，可进一步加强去除所述相邻内腔与卡环之间的残留物，更有助于使 得所述第 一研磨头的工作板外表面残留物去除干净。
上述^^支术方案的一种具有以下优点首先通过经过一^a时间的去离
子水清洗，以去除所述研磨头工作板外表面的残留物；接着，再使所述 相邻内腔的工作板外表面收缩，增大该相邻内腔外表面与卡环的间隙， 并对所述间隙进行清洗，这可以避免将工作板外表面的残留物被冲进所 述间隙中，从而进一步增强了去除残留物的能力，能够使得研磨头工作 板外表面被去除的较为干净。
图1为现有的一种研磨头的剖视图2为现有的 一种研磨头清洗方法中研磨头与清洗槽相对放置的剖 视图3为一种具有研磨垫和研磨头的研磨装置的俯视图4为将图3所述的研磨装置中的研磨头放大后的剖视图5为将图3所示的研磨装置中的研磨头清洗及装载/卸载装置放 大后的剖^L图；；
图6为本发明的研磨头的清洗方法的第一实施例中研磨头与清洗槽 相对放置的剖视图7为本发明的研磨头的清洗方法的第二实施例中研磨头与清洗槽 相对放置的剖视图8为本发明的研磨头的清洗方法的第四实施例的流程图。
具体实施例方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。
在化学机械研磨工艺中，通过研磨头吸附待研磨头晶片，并将吸附 的晶片置于研磨垫上，在研磨头和研磨垫之间通入研磨液，使研磨头和 研磨垫相对转动，实现对晶片表面材料的研磨。完成研磨后，卸载研磨 头的晶片，需要对研磨头进行清洗，以去除研磨头表面的研磨残留物， 消除或减'J、残留物对后续4寺研磨晶片的影响。
本发明提供一种研磨头的清洗方法，所述研磨头包括卡环，至少一 个内腔，各内腔连接且在工作板上，且内腔压力作用于工作板上，在本
发明的研磨头的清洗方法中，首先将研磨头置于研磨装置的清洗槽中； 接着，设置与所述卡环相邻研磨头内腔中压力小于大气压力；从而可使 与卡环相邻研磨头内腔(称为相邻内腔)的工作板外表面在外部大气压
力的作用下，向内收缩，以增大研磨头卡环与该相邻内腔腔侧壁之间间 隙；然后，向所述的研磨头工作板外表面喷洒去离子水，对该研磨头进 行清洗。
由于通过减小研磨头相邻内腔的压力，增大研磨头卡环与相邻内腔 侧壁之间的间隙，^f吏得去离子水可以4艮容易的对该间隙内进行沖洗，以 减少或去除该减小中的残留物，从而可以减小或去除干净整个研磨头工 作板外表面的残留物缺陷。
下面结合附图对所述的研磨头清洗方法进行详细描述。
实施例一
下面结合研磨装置对实施例一进行详细描述。
请参考图3,研磨装置包括一底座200，在所述底座200上有第一 研磨垫210a、第二研磨垫210b和第三研磨垫210c;所述第一研磨垫 210a、第二研磨垫210b和第三研磨垫210c上表面有凹槽，研磨垫上的 凹槽有助于传送研磨液和提高研磨的均匀性。
三个研磨液供给壁220a、 220b和220c的一端固定于所述底座200 上，另一端分别设置于所述第一研磨垫210a、第二研磨垫210b和第三研磨垫210c上方，以向所述第一研磨垫210a、第二研磨垫210b和第三 研磨垫210c供给研磨液。
所述研磨装置还包括三个研磨垫调节器230a、 230b和230c，所述 三个研磨垫调节器230a、 230b和230c—端固定于所述底座200上，另 一端分别与所述第一研磨垫210a,第二研磨垫210b和第三研磨垫210c 的上表面接触并能够扫过所述研磨垫表面从而对研磨垫表面进行调节。
所以底座200中央有旋转轴260,第一研磨头250a、第二研磨头 250b、第三研磨头250c和第四研磨头250d通过固定装置"&置于所述旋 转轴260周围，所述四个研磨头及固定装置能够围绕旋转轴260同时做 转动，每一个研磨头自身也可以作转动。所述研磨装置可同时对三片晶 片进行研磨。
在所述底座200上还包括有晶片清洗及装载/卸载装置240。所述清 洗及装载/卸载装置即可以对所述研磨头进行清洗，也可以向研磨头装 载晶片，还可以从研磨头卸载晶片。
请参考图4所示的其中 一个研磨头的剖面示意图，研磨头包括主体部 件20、卡环26,柔性隔膜(即工作板)24，所述柔性隔膜24与所述主体 部件20连接，并向下延伸，形成多个封闭的、可改变压力的内腔，包括 中心圆形腔22a、与卡环次相邻内腔(称为次相邻内腔)22b和与卡环相 邻内腔(称为相邻内腔)22c,在所述柔性隔膜24外侧形成第一区域23a、 第二区域23b和第三区域23c。
在所述主体部件20中形成有通道28a、 28b和28c,所述通道28a、 28b 和28c分别与中心圆形腔22a、次相邻内腔22b和相邻内腔22c流体性连接。 待研磨晶片可被吸附于所述柔性隔膜24的表面，通过通il28a、 28b和28c 可分别改变中心圆形腔22a、次相邻内腔22b和相邻内腔22c的压力，乂人而 改变所述柔性隔膜108第一区域23a、第二区域23b和第三区域23c施加于 晶片不同区域上的压力。
其中，所述卡环26用于防止被研磨的晶片在横向移动。
请参考图5所示的清洗及装载/卸载装置240的剖面示意图，该清洗及装载/卸载装置240具有一主体部件10,该主体部件10的边缘向上 延伸，在该主体部件10中间形成凹槽，该凹槽的形状与图5所示的研 磨头相适应，尺寸与所述的研磨头相当，且比所述研磨头尺寸稍大，以 使所述的研磨头能够放置于所述凹槽中。
在所述凹槽的底部具有多个喷头12，所述多个喷头12较为均匀的 分布于所述凹槽的底部。所述的喷头12与去离子水供给源通过管路连 接；去离子水供给源通过所管路能够向喷头12供给去离子水，去离子 水能够通过所述的喷头12喷出。
所述的研磨装置能够同时处理多片晶片。利用所述的研磨装置工作 时，请参考图3,首先，通过传送装置将晶片A送入清洗及装载/卸载装 置240,并通过所述清洗及装载/卸载装置240将晶片A吸附于所述第一 研磨头250a上，所述晶片待研磨除去膜层的表面朝下，通过旋转轴260, 所述装载有晶片A的第一研磨头250a被移至第一研磨盘210a;
同时，第四研磨头250d被移至清洗及装载/卸载装置240上方，待 晶片B被送入所述清洗及装载/卸载装置240后吸附晶片B,等待晶片A 在第 一研磨盘21 Oa上完成研磨。当晶片A被移至第 一研磨盘21 Oa上后， 第一研磨头250a研磨头向下对晶片A背面施加压力，以使晶片A待研 磨的膜层表面紧贴所述第一研磨垫210a上表面，研磨液供给壁220a向 所述晶片A和第一研磨壁210a之间供给研磨液，通过第一研磨头250a (带动晶片A)和第一研磨垫210a之间的相对转动，研磨液均匀分布 于所述晶片A表面，并能够使晶片A表面金属层与所述研磨液发生化 学反应以生成容易去除的材料，通过机械的作用再将该材料层去除。
晶片A完成第一步研磨后，第一研磨头250a通过旋转轴260a转动 将晶片A移至第二研磨垫210b表面上方，同时第四研磨头250d上晶片 B移至第一研磨垫210a上方，并通过研磨液供给装置220a、 220b分别 向第一研磨垫210a和第二研磨垫210b供给研磨液，同时开始对晶片A 进行第二步研磨，对晶片B进行第一步研磨。
当晶片A完成第二步研磨、晶片B完成第一步研磨后，同时旋转 研磨头，使晶片A置于所述第三研磨垫210c上方以便进行第三步研磨，晶片B置于所述第二研磨垫210b上以便进行第二步研磨；另一晶片C 通过第三研磨头250c被移至第一研磨垫210a上以便进行第一步研磨， 通过研磨液供给装置220a、 220b、 220c分别向第一研磨垫210a、第二 研磨垫210b和第三研磨垫210c供给研磨液，并同时对晶片A, B, C 进行研磨。
当晶片C完成第一步研磨、晶片B完成第二步研磨以及晶片A完 成第三步研磨后，通过旋转轴，晶片A被移入清洗及装载/卸载装置240, 使晶片A从该清洗及装载/卸载装置240上卸载，然后送入清洗装置进 行清洗；与此同时，晶片B被移至第三研磨垫210c,晶片C被移至第 二研磨垫210b，另外的晶片D通过清洗及装载/卸载装置240被装载至第 二研磨头250b,并被移至第一研磨垫210a,然后再同时对晶片B、 C、 D进行研磨。
所述的第一研磨头250a卸载晶片A后，需要进行清洗，以去除在 研磨时附着在所述第一研磨头250a底部表面的研磨残留物。
请参考图6和图3,第一研磨头250a置于所述清洗及装载/卸载装 置240的凹槽中，所述第一研磨头250a的底部的工作板外表面朝向所 述凹槽的底面，并距所述的凹槽底面有一段距离。
然后，对所述第一研磨头250a的相邻内腔22c进行抽真空，减小 所述第一研磨头250a的相邻内腔22c中的压力，使所述相邻内腔22c 处于真空状态；在对所述相邻内腔22c抽真空的过程中，相邻内腔22c 中的压力小于大气压力，并且在不断的减少，外部的大气压力作用于所 述相邻内腔22c外部的第一区域23c柔性隔膜上，使所述第一区域23c 向所述相邻内腔22c内部凹陷，如图7所示，使所述相邻内腔22c的侧 面与所述第一研磨头250c的卡环26之间的间隙增大，从而使所述间隙 中的研磨残留物能够被暴露。
接着，去离子水供给源向所述喷头12供给去离子水，通过所述喷 头12向所述第一研磨头250a的底部表面喷出，对所述表面进行清洗， 以去除研磨残留物。
由于所述第一研磨头250a的卡环26与相邻内腔22c之间的间隙较大，去离子水冲洗很容易将该间隙的残留物沖洗干净，从而使得所述第
一研磨头250a底部表面的残留物能够被去除干净，能够消除残留物对 后续工艺的影响。
完成沖洗后，喷头12停止喷射去离子水，同时向所述相邻内腔22c 中充气至大气压力。
实施例二
该实施例中仍以第一研磨头250a为例进行说明，应当表明的是， 后续的第二研磨头250b、第三研磨头250c和第四研磨头250d的清洗均 可适用该实施例所描述的方法。
请参考图7，将第一研磨头250a置于所述清洗及装载/卸载装置240 的凹槽中，所述第一研磨头250a的底部表面朝向所述凹槽的底面，并 距所述的凹槽底面有一段距离。
然后，对所述第一研磨头250a的相邻内腔22c和次相邻内腔22b 进行抽真空，减小所述第一研磨头250a的相邻内腔22c和次相邻内腔 22b中的压力，使所述相邻内腔22c和次相邻内腔22b处于真空状态。
在对所述相邻内腔22c和次相邻内腔22b抽真空的过程中，相邻内 腔22c和次相邻内腔22b中的压力小于大气压力，并且在不断的减少， 外部的大气压力作用于所述相邻内腔22c外部的第一区域23c以及次相 邻内腔22b外部的第二区域23b柔性隔膜上，使所述第一区域23c和第 二区域23b向所述相邻内腔22c内部凹陷，如图7所示，4吏所述相邻内 腔22c的侧面与所述第一研磨头250a的卡环26之间的间隙增大，从而 使所述间隙中的研磨残留物能够被暴露。相对于仅仅对相邻内腔22c抽 真空的方法，本方法可使所述间隙进一步增大，使得去除所述间隙中的 残留物更加容易。
接着，去离子水供给源向所述喷头12供给去离子水，通过所述喷 头12向所述第一研磨头250a的底部表面喷出，对所述表面进行清洗， 以去除研磨残留物。
由于所述第一研磨头250a的卡环26与相邻内腔22c之间的间隙较大，去离子水冲洗4艮容易将该间隙的残留物冲洗干净，从而使得所述第
一研磨头250a底部表面的残留物能够被去除干净，能够消除残留物对 后续工艺的影响。
完成冲洗后，喷头12停止喷射去离子水，同时向所述外相邻内腔 22c和次相邻内腔22b中充气至大气压力。 实施例三
该实施例中仍以第一研磨头250a为例进行说明，应当表明的是， 后续的第二研磨头250b、第三研磨头250c和第四研磨头250d均可适用 用该实施例所描述的方法进行清洗。
请参考图7,将第一研磨头250a置于所述清洗及装载/卸载装置240 的凹槽中，所述第一研磨头250a的底部表面朝向所述凹槽的底面，并 距所述的凹槽底面有一段距离。
然后，对所述第一研磨头250a的相邻内腔22c进行抽真空进行抽 真空，减小所述第一研磨头250a的相邻内腔22c中的压力，使所述相 邻内腔22c和次相邻内腔22b处于真空状态。
在对所述相邻内腔22c抽真空的过程中，相邻内腔22c中的压力小 于大气压力，并且在不断的减少，外部的大气压力作用于所述相邻内腔 22c外部的第一区域23c柔性隔膜上，使所述第一区域23c向所述相邻 内腔22c内部凹陷，使所述相邻内腔22c的侧面与所述第 一研磨头250a 的卡环26之间的间隙增大，从而使所述间隙中的研磨残留物能够被暴 露。
接着，去离子7K供给源向所述喷头12供给去离子水，通过所述喷
头12向所述第一研磨头250a的底部表面喷出，对所述表面进行清洗， 在清洗的过程中，向所述相邻内腔22c中通入气体，增大所述相邻内腔 22c中的压力，但小于大气压力，使得所述相邻内腔22c的柔性隔膜向 外扩展，恢复至正常状态，然后再次对所述相邻内腔22c抽真空，并再 次充气......如上所述周期性的改变所相邻内腔22c中的压力，使得所述
相邻内腔22c的柔性隔膜相应的周期性的收缩与扩张，通过所述柔性隔膜的机械运动，可进一步加强去除所述相邻内腔22c与所述卡环26之 间的残留物，更有助于使得所述第 一研磨头的表面残留物去除干净。
增大所述第一研磨头250a的卡环26与相邻内腔22c之间的间隙， 可使去离子水冲洗很容易将该间隙的残留物冲洗干净，与此同时，使得 所述相邻内腔22c的柔性隔膜周期性的机械运动，可增强去除残留物的 能力，能够使所述间隙中的残留物较为彻底的去除。
从而使得所述第 一研磨头250c底部表面的残留物能够被去除干净， 能够消除残留物对后续工艺的影响。
完成冲洗后，喷头12停止喷射去离子水，同时向所述相邻内腔22c 和次相邻内腔22b中充气至大气压力。
此外，也可以同时使所述相邻内腔22c和次相邻内腔22b中的压力 做周期性改变，以提高去除残留物的能力，这里不再赘述。
在实施例一至实施例三所述的研磨头的清洗方法中，在向所述研磨 头表面喷洒去离子水时，可以使所述研磨头旋转，以增强去离子水去除 研磨残留物的能力，这里不再赘述。
在实施例一至实施例三所述的研磨头的清洗方法中，在向所述研磨 头表面喷射去离子水时，可以改变喷洒的角度或周期性的喷洒去离子 水，以增强去离子水去除研磨残留物的能力。
在周期性的喷洒去离子水的方法中，也可以随着喷洒次数的增加， 减小喷洒的流量，以节约去离子水。
在实施例一至实施例三所述的研磨头的清洗方法中，在向所述研磨 头表面喷洒去离子水时，可以在不同区域的设置喷头不同的喷洒速度 例如，使向所述研磨头表面靠近卡环与柔性隔膜间隙区域喷洒去离子水 的喷射速度大于向研磨头表面其它区域的喷射速度，以增强对所述间隙 中的残留物的清除能力，这里不再赘述。
所述的实施例中，喷洒去离子水的时间可以是5至100s。 实施例四
图9为本发明的研磨头的清洗方法的第四实施例的流程图。请参考图9，步骤S100,将研磨头置于研磨装置的清洗槽中。
步骤S110,向所述研磨头工作板外表面喷洒去离子水，对所述研
磨头进行清洗。
步骤S120,对所述研磨头表面喷洒去离子水一段时间后，设置与 所述卡环相邻研磨头内腔(相邻内腔)中压力小于大气压力。
在其中的一个实施例中，所述相邻内腔中的压力为真空时的压力。
在另外的实施例中，也可以同时使次相邻内腔中的压力减小至小于 大气压力，使该次相邻内腔的外表面向内收缩，进一步增大卡环与柔性 隔膜之间的间隙。
在另外的实施例中，还可以周期性的改变相邻内腔中压力， <吏得所 述次相邻内腔表面的柔性隔膜周期性的收缩与扩张。
步骤S130,继续向所述研磨头表面喷洒去离子水。
完成对研磨头的清洗后，停止喷洒去离子水，并使所述次相邻内腔 和次相邻内腔中的压力恢复至大气压力，接着，执行后续的研磨工艺。
通过首先经过一^a时间的去离子水清洗，以去除所述研磨头柔性隔 膜表面的残留物，接着，再使所述相邻内腔的柔性隔膜收缩，增大该相 邻内腔外表面的柔性隔膜与卡环的间隙，并对所述间隙进行清洗，这可 以避免将柔性隔膜表面的残留物被冲进所述间隙中，从而进一步增强了 去除残留物的能力，能够使得研磨头表面被去除的较为干净。
本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明， 任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能 的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的 范围为准。
权利要求
1、一种研磨头的清洗方法，所述研磨头包括卡环，至少一个内腔，各内腔连接且在工作板上，且内腔压力作用于工作板上，其特征在于，包括将研磨头置于研磨装置的清洗槽中；设置与所述卡环相邻研磨头内腔中压力小于大气压力；向所述研磨头工作板外表面喷洒去离子水。
2、 如权利要求1所述的研磨头的清洗方法，其特征在于设置所 述与卡环相邻研磨头内腔中压力小于大气压力的步骤中，设置与卡环相 邻研磨头内腔中为真空状态。
3、 如权利要求1所述的研磨头的清洗方法，其特征在于在向所 述研磨头工作板外表面喷洒去离子水之前，设置与卡环次相邻研磨头内 腔中的压力小于大气压力。
4、 如权利要求1所述的研磨头的清洗方法，其特征在于在向所 述研磨头工作板外表面喷洒去离子水时，周期性改变与所述卡环相邻研 磨头内腔中的压力。
5、 如权利要求4所述的研磨头的清洗方法，其特征在于与所述 卡环相邻研磨头内腔中的压力在大气压力和真空之间周期性改变。
6、 如权利要求1至5任一权利要求所述的研磨头的清洗方法，其 特征在于向所述研磨头工作板外表面喷洒去离子水时，旋转所述研磨 头。
7、 如权利要求1至5任一权利要求所述的研磨头的清洗方法，其 特征在于向所述研磨头工作板外表面喷洒去离子水时，改变喷洒的角 度。
8、 如权利要求1至5任一权利要求所述的研磨头的清洗方法，其 特征在于间歇性向所述研磨头工作板外表面喷洒去离子水。
9、 如权利要求8所述的研磨头的清洗方法，其特征在于随着喷 洒次数的增加，喷洒的流量减小。
10、 如权利要求1至5任一权利要求所述的研磨头的清洗方法，其特征在于向所述研磨头工作板外表面喷洒去离子的时间为5至100s。
11、 如权利要求1至5任一权利要求所述的研磨头的清洗方法，其 特征在于向所述卡环相邻的研磨头内腔与该卡环之间区域喷洒去离子 水的喷洒速度大于向研磨头工作板外表面其它区域的喷射速度。
12、 一种研磨头的清洗方法，所述研磨头包括卡环，至少一个内腔， 各内腔连接且在工作板上，且内腔压力作用于工作板上，其特征在于， 包括将研磨头置于研磨装置的清洗槽中；向所述研磨头工作板外表面喷洒去离子水，对所述研磨头进行清洗；对所述研磨头工作板外表面喷洒去离子水一段时间后，设置与所述 卡环相邻研磨头内腔中压力小于大气压力；继续向所述研磨头工作板外表面喷洒去离子水。
13、 如权利要求12所述的研磨头的清洗方法，其特征在于设置 所述与卡环相邻研磨头内腔中压力小于大气压力的步骤中，设置与卡环 相邻研磨头内腔中为真空状态。
14、 如权利要求12所述的研磨头的清洗方法，其特征在于在向 所述研磨头工作板外表面喷洒去离子水之前，设置与与卡环次相邻研磨 头内腔中的压力小于大气压力。
15、 如权利要求12所述的研磨头的清洗方法，其特征在于在向 所述研磨头工作板外表面喷洒去离子水时，周期性改变与所述卡环相邻 研磨头内腔中的压力。
全文摘要
一种化学机械研磨设备研磨头的清洗方法，所述研磨头包括卡环，至少一个内腔，各内腔连接且在工作板上，且内腔压力作用于工作板上，包括将研磨头置于研磨装置的清洗槽中；设置与所述卡环相邻研磨头内腔中压力小于大气压力；向所述研磨头工作板外表面喷洒去离子水。本发明能够将研磨头清洗干净。
文档编号B24B55/00GK101456161SQ200710094559
公开日2009年6月17日 申请日期2007年12月13日 优先权日2007年12月13日
发明者波 杨, 王亦磊, 贾广森, 陈增祥 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司