化学机械研磨装置的制作方法

本实用新型涉及一种化学机械研磨装置，更为详细地涉及一种化学机械研磨装置，所述化学机械研磨装置为了在化学机械研磨工艺中对晶元研磨层的厚度进行测定，而解决因照射的光的位置而产生的测定误差，并且在测定晶元研磨层厚度方面可更准确地进行信号处理。

背景技术：

通常地，化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing；CMP)工艺是一种以如下形式使得基板的表面平坦的工艺：以晶元等的基板接触至旋转的研磨平板上的状态进行旋转的同时进行机械研磨，从而达到预先规定的厚度。

为此，如图1a及图1b所示，化学机械研磨装置在研磨平板10，以使得研磨垫11 覆盖于所述研磨平板10上的状态进行自转的同时，通过研磨头20将晶元W向研磨垫11 的表面加压的同时进行旋转，从而平坦地研磨晶元的表面。为此，设置有使得调节盘 (conditioning disk)31旋转(30r)的同时进行改质的调节器(conditioner)30，并且将执行化学研磨的研磨液通过研磨液供给部40供给至研磨垫11的表面，所述调节盘31以规定的加压力(30F)对研磨垫的表面进行加压。

此时，进行化学机械研磨工艺的晶元的研磨层厚度在达到最终目标(target)厚度的状态下必须中断，因此在化学机械研磨工艺中通过厚度感知传感器50持续地对晶元研磨层的厚度进行监视。根据情况的不同，在化学机械研磨工艺中通过厚度感知传感器 50对晶元的研磨层厚度分配进行测定，从而也可以以通过控制部70完成厚度分配的形式进行控制。

虽然所述厚度感知传感器50根据晶元研磨层Le的种类以不同的形式进行设置，但是在为光传感器的情况下，晶元研磨层Le可全部适用于氧化物层与金属层。在晶元研磨层Le为氧化物层的情况下，可在从研磨初期阶段开始从由光传感器形成的厚度感知传感器50获得晶元研磨层的厚度分配，同时也可感知研磨完成时间点。并且在晶元研磨层Le为金属层的情况下，可感知研磨完成时间点。

换句话说，如图1b及图2所示，在以与研磨垫11一同旋转的形式进行设置并且穿过晶元的下侧时，在将光信号Li照射至研磨层Le之后，对在研磨层Le反射的光接收信号Lo进行接收，并且将光接收信号Lo传送至控制部70，从而感知晶元W的研磨层 Le厚度。更为具体地，如图4及图5所示，从光传感器50照射的光信号Li在穿过晶元 W的下侧的同时，穿过从研磨层的表面Se反射的光接收信号Lo1与研磨层Le，从而通过光接收信号Lo2的干涉信号或相位差来得到研磨层的厚度或厚度分配，所述光接收信号Lo2是从与SiN层的边界Si反射的，所述SiN层存在于氧化物层的内侧。

但是，如图4及图5所示，就用于制作半导体元件或组件(package)的晶元W而言，研磨层Le内侧的SiN层边界面Si不平坦而且形成有凹凸99。换句话说，用于制作半导体元件或组件的装置(device)D的区域形成有凹凸99，由于装置D的中间区域B是用于分别对装置D进行分割的切割线，因此不需要另外安装即可形成平坦面。

但是，就光传感器50而言，其直径wo以非常小的形式形成为2mm以下，从而将光照射至一个地点并得到研磨层厚度。由此，如图5所示，在直径大概为10～20μm的光信号Li穿过研磨层Le的表面并照射至中间区域B的情况下S1、S2，虽然光接收信号 Lo1、Lo2全部被接收至光传感器50，从而可准确地测定研磨层Le的厚度，但是若光信号Li穿过研磨层Le的表面并照射至装置99的凹凸部分99的内侧面S3，则因反射方向分别不同从而以失去光接收信号Lo1、Lo2的一部分的状态进行接收，因此存在如下问题，由于对光信号Li进行接收的位置S而导致晶元W的研磨层Le厚度的测定准确性存在显著的差异。

由此，虽然试图将光信号Li仅仅照射至没有形成装置D的中间区域B，但是以在自转的晶元W的板面中将光信号Li仅仅照射至中间区域B的形式进行控制是非常难的，而且目前在现实中是无法实现的。

技术实现要素：

本实用新型用于解决如上所述的问题，目的在于为了在化学机械研磨工艺中对晶元研磨层的厚度进行测定，从而解决由于照射的光的位置而导致的测定误差。

此外，本实用新型的目的在于，在为了消除由于光的位置而导致的测定误差，而较大地放大光传感器的照射面积的情况下，准确地感知光传感器的传感(sensing)位置，并准确地感知由于晶元的位置而产生的厚度分配。

通过如上所述，本实用新型的目的在于，即使没有复杂的控制，也可准确地对晶元的研磨层厚度进行测定。

本实用新型为了达到如上所述的目的，提供一种化学机械研磨装置，所述化学机械研磨装置作为一种为了制作多个装置而所述装置对以间隔中间区域程度间距的形式配置的晶元的研磨层进行研磨的化学机械研磨装置，所述化学机械研磨装置的特征在于，包括：研磨平板，其以所述晶元的所述研磨层接触的研磨垫覆盖于上面的形式进行自转；光传感器，其固定于所述研磨平板并与所述研磨平板一同旋转，并且设置有光发送部与光接收部，所述光发送部将多个光信号照射至所述晶元的所述研磨层并形成点(spot) 区域，所述光接收部接收光接收信号，所述光接收信号是在所述光发送部照射的光信号在所述研磨层反射的；控制部，其从在所述光接收部接收的所述光接收信号得到所述晶元的研磨层厚度，并且通过第一光接收信号感知所述光传感器是否位于所述晶元的下侧，所述第一光接收信号是从作为所述光接收部中一部分的感知部得到的。

如上所述，可得到如下效果，在对作为光的反射信号的光接收信号进行接收的许多光接收部中将一部分以上构成为感知部，所述光是从与扩大的点区域相对应的多个光发送部进行照射的，从而感知光接收信号是否位于晶元的下侧，所述光接收信号是由在光传感器中照射的光而产生的，从而通过光接收信号准确地感知晶元研磨层的厚度，所述光接收信号是通过来自于位于晶元的下侧的光发送部的光而产生的，由此，即使在光传感器的一部分位于晶元的外部，其他的一部分仅位于晶元的下侧的状态下，仅挑选由反射光而产生的光接收信号，所述反射光是在晶元研磨层反射的，从而即使在晶元的边缘区域中也可准确地得到晶元的研磨层厚度。

在此，所述感知部由所述光接收部的一部分形成，从而与现有技术相比，可感知大面积的光传感器的一部分位于所述晶元的下侧的状态。

最重要的是，优选地，光的点区域配置为形成与所述装置的宽度与长度中任意一个以上相比更大的直径，所述光是从所述光传感器的所述光发送部照射的。如上所述，使得光信号射入至晶元的研磨层，并且将光传感器的光点区域以比装置的宽度与长度中任意一个以上更大的形式形成，所述光传感器对在晶元反射的光接收信号进行接收，以此，由于在晶元研磨层所反射的光接收信号中也一定地包括光接收信号，所述光接收信号是在装置所在的区域反射的，因此即使由于光信号的一部分在装置所在的区域中受到损失或者漫反射从而在光传感器没有接收到光，也可使得与光信号的照射位置无关地在光接收信号中受到损失或者漫反射而没有接收到的光信号的量变得均匀，进而从以放大的面积入射于研磨层并反射的光接收信号可准确地感知研磨层的厚度。

为此，优选地，所述光传感器的所述点是可使得一个装置设置于所述点内部的形状。例如，所述光传感器的所述点直径可形成为1英寸以上。

此外，所述光信号的宽度规定为将所述装置的宽度与所述中间区域的宽度加起来的大小，所述光信号的长度可规定为将所述装置的长度与所述中间区域的长度加起来的大小。在此情况下，无论光信号存在于晶元的任意位置，使得至少一个装置与一个中间区域同时设置于点内部。

换句话说，最理想的是所述光信号的宽度规定为将所述装置的宽度与所述中间区域的宽度加起来的大小的整数倍，所述光信号的长度规定为将所述装置的长度与所述中间区域的长度加起来的大小的整数倍。通过如上所述，从光传感器射出的点包括规定的个数的装置与中间区域，从而可使得在装置中受到损失或者漫反射的光接收信号的量始终保持一定。

为此，所述光信号可形成为与装置形态相似的矩形形态，而不是圆形。更为优选地，所述光信号是与将邻接于装置的中间区域沿着宽度方向与长度方向一个一个合成的形状相似的形态的矩形。

另外，所述控制部能够通过所述感知部仅在所述光传感器位于所述晶元的下侧的期间以接收所述光接收信号的形式对所述光传感器进行控制。由此，由于不接收在获得晶元的研磨层厚度时所不需要的光接收信号，因此在控制部中使得在获得研磨层厚度时所需要的计算变得更加容易。

另外，所述光接收部在所述研磨垫旋转一圈的期间对所述光接收信号进行接收；所述控制部通过所述感知部来对所述光传感器位于所述晶元的下侧的时间数据进行接收，并且将在所述光接收部中接收的所述光接收信号与所述时间数据映射(mapping)至相同的时间轴，并且也可仅通过所述光传感器位于所述晶元的下侧的部分的所述光接收信号来感知所述研磨层的厚度。由此，以在光接收部中全部接收到对于晶元研磨层厚度的信息的状态来得到晶元研磨层的厚度，以此，在得到研磨层厚度时所需要的光接收信号的一部分受到损失的问题可得到解决，并且也可用于在研磨工艺结束的状态下对光接收信号数据进行跟踪并对研磨工艺的变量进行调节。

并且，所述化学机械研磨装置的控制部接收光传感器的光接收信号并使得光接收信号平均化，从而感知所述研磨层的厚度，由此从放大的光信号所反射的大面积的光接收信号可准确地感知研磨层厚度。

如上所述，本实用新型可得到如下效果，在对作为光的反射信号的光接收信号进行接收的许多光接收部中将一部分以上构成为感知部，所述光是从与扩大的点区域相对应的多个光发送部进行照射的，从而感知光接收信号是否位于晶元的下侧，所述光接收信号是由在多个光发送部中照射的光而产生的，从而仅通过光接收信号计算晶元研磨层的厚度，所述光接收信号是通过来自于位于晶元的下侧的光发送部的光而产生的，由此，通过大面积的光传感器也可准确地得到晶元边缘区域的研磨层厚度。

不仅如此，本实用新型还可得到如下有利的效果，使得光信号射入至晶元的研磨层，并且将光传感器的光点区域以比装置的大小更大的形式放大形成，所述光传感器对在晶元反射的光接收信号进行接收，以此，由于在晶元研磨层所反射的光接收信号也一定地包括光接收信号，所述光接收信号是在装置所在的区域中反射的，因此即使由于光信号的一部分在装置所在的区域中受到损失或者漫反射从而在光传感器没有接收到，也可使得与光信号的照射位置无关地在光接收信号中受到损失或者漫反射而没有接收到的光信号的量变得均匀，进而从光接收信号准确地感知研磨层的厚度，所述光接收信号是以放大的面积射入至研磨层并反射的。

通过如上所述，本实用新型可得到如下效果，即使没有对从光传感器射出的光信号的位置进行复杂地控制，也可在化学机械研磨工艺中在贯穿晶元的整体面积上准确地得到研磨层的厚度。

附图说明

图1a是示出通常的化学机械研磨装置的正面图，

图1b是图1a的平面图，

图2是图1a的“A”部分的放大图，

图3是示出晶元的构成的图，

图4是图3的“B”部分的放大图，

图5是根据图4的切割线V-V的截面图，

图6是示出根据本实用新型的一个实施例的化学机械研磨装置的构成的正面图，

图7是图6的平面图，

图8是图6的“B”部分的放大图，

图9a是示出根据图8的切割线C-C的光传感器配置构造的图，

图9b是示出与根据本实用新型的其他实施例的图10的切割线C-C相对应的光传感器配置构造的图，

图10是示出光传感器的光信号的点(spot)到达晶元的轨迹的图，

图11a是图10的一部分放大图，

图11b是示出根据本实用新型的其他实施形态的光信号的点到达晶元的状态的图，

图12是根据图11a的切割线X-X的截面图。

具体实施方式

以下，参照附图对根据本实用新型的一个实施例的化学机械研磨装置100进行详细说明。但是，在对本实用新型进行说明时，为了使得本实用新型的要旨更清晰，省略对于公知的功能或构成的具体的说明。

根据本实用新型的一个实施例的化学机械研磨装置100包括：研磨平板10，以晶元 W的研磨面被研磨的形式进行接触的研磨垫11覆盖于所述研磨平板10；研磨头20，其将晶元W以设置于底面的状态进行加压的同时，使得晶元W进行自转；调节器30，其设置有调节盘31，所述调节盘31以加压的状态接触于研磨垫11的表面并旋转(30r)，从而对研磨垫11进行改质；研磨液供给部40，其为了对晶元W进行化学研磨，从而供给研磨液；光传感器500，其固定设置于研磨垫11，并在穿过调节盘31的底面时，接收将光信号Li照射至晶元W的研磨层Le并反射的光接收信号Lo，从而用于感知研磨层 Le的厚度；控制部700，其从在光传感器500接收的光接收信号感知研磨垫11的厚度 (包括“厚度变动量”)与晶元研磨层Le的厚度(包括“厚度变动量”)。

所述研磨平板10以研磨垫11覆盖于其上面的状态进行旋转驱动。如图6及图7所示，光传感器500固定于研磨平板10并且构成为与研磨垫11一同旋转。由于光传感器 500与研磨垫11一同旋转，因此控制部700的控制电路也可与研磨平板10一同旋转，并且也可通过滑环(slip ring)等的公知装置来将施加至光传感器500的电源以及来自于光传感器500的信号传送至非旋转状态的控制电路。

所述研磨头20从外部得到旋转驱动力，从而以将晶元W位于底面的状态将晶元W 向研磨垫11加压的同时进行旋转。为此，在研磨头20的内部形成有压力腔(chamber)，并且可通过调节压力腔的压力来调节对晶元W进行加压的加压力。

所述调节器30以调节盘31加压于研磨垫11的状态进行旋转(30r)驱动，并且对调节盘30进行臂(arm)旋转运动(30d)，以此改质成研磨液可流入至研磨垫11的表面的环境。

所述研磨液供给部40将研磨液供给至研磨垫11上，从而研磨液通过形成于研磨垫 11的表面的微小的槽流入至晶元W。以此，晶元研磨层Le进行通过研磨液的化学研磨工艺。

如图6及图7所示，所述光传感器500固定于研磨平板10，并且与研磨垫11一同旋转，因此设置为沿着从研磨垫11的中心以规定的半径长度相间隔的圆形路径P进行旋转(50r)。设置于研磨平板10的光传感器500在从研磨垫11的中心相互不同的间隔距离上设置多个，在各个固定的位置进行旋转的同时，在多个路径中得出晶元研磨层 Le的分配。在此情况下，光传感器500在穿过晶元W下侧区域的期间接收光接收信号 Lo，所述光接收信号Lo是从光传感器500射出的光信号Li反射至晶元研磨层Le的。但是，在本实用新型的其他的实施形态中，光传感器500也可仅设置一个。

如图9a所示，各个光传感器500包括：多个光发送部510，其将光Li照射至晶元研磨层的多个位置；光接收部520，其接收光接收信号Lo，所述光接收信号Lo是从多个光发送部510照射的光Li在晶元研磨层Le反射形成的；感知部530，其对从多个光发送部510中的一部分照射的光进行接收，从而感知光传感器500的相对晶元W的位置。

就在图9a中例示的光传感器500而言，虽然光接收部520配置于中央部，但是如图 9b所例示的，多个光接收部520以邻接于多个光发送部510的形式进行设置，并且可对从光发送部510照射的光Li的光接收信号进行接收。

并且，对光传感器500的相对晶元W的位置进行感知的感知部530、520'在最外围配置有2个至4个，并且对光传感器500进入至晶元W的下侧的瞬间与光传感器550从晶元W的下侧移动至外部的瞬间进行感知。

另外，感知部530由于接收光接收信号，因此可设定多个光接收部520中的一部分，所述光接收信号是从光发送部510照射的光反射至晶元研磨层或研磨头20的固定圈 (retainer ring)的底面的光接收信号。因此，感知部可在相同的光传感器500内在每个化学机械研磨工艺可设定为不同位置的光接收部。如上所述，感知部不仅配置于光传感器500的最外围，而且还配置于其内侧，由此，可准确地感知到光传感器500的一些部分是否位于晶元W的下侧外部且光传感器500的一些其他的部分(图9b的斜线区域)是否位于晶元W的下侧内侧。

如上所述，由于在光传感器500的多个光发送部510照射的光可仅仅准确地提取在晶元研磨层Le反射的光接收信号Lo，因此可消除在许多光接收信号中因在晶元研磨层未反射的光接收信号而无法计算出准确的晶元研磨层厚度的现有的问题。特别是，可得到如下的有利效果，与现有技术相比，由于是宽度W5更加扩大的光传感器500，因此即使在只有光传感器500的一部分位于晶元W的下侧，其他的一部分位于晶元的外部的状态下，仅将在晶元研磨层Le反射的光接收信号作为用于计算晶元研磨层厚度的光接收信号，也可在晶元的边缘区域中得到准确的研磨层厚度。

如上所述，根据本实用新型的化学机械研磨装置100的光传感器500与现有技术相比，也可得到如下优点，由于其宽度W5更加扩大，因此可自动地填补在晶元W的装置D 以及中间区域B反射的光接收信号的失真现象。

更为具体地，从光传感器500的光发送部510将光信号Li照射至自转的晶元W的规定的半径长度的位置，并且在光接收部520对在晶元研磨层Le反射的光接收信号Lo进行接收。

在此，从光传感器500照射的光信号Li与现有技术中以非常小的形式形成为10μm 至20μm的程度不同，如图11所示，将整齐排列于晶元W的装置D以包括一个以上的被放大的大小的点SP照射至研磨层Le。在此，为了将装置D制造成半导体元件或组件，而被称作安装于晶元W的单位。由此，在装置D的表面，经过用于制作半导体组件的工艺的同时，形成有用于发挥自身功能的结构，并形成具有凹凸99的表面。

在此，从光传感器500的光发送部510照射的点区域SP的直径ds与装置D的宽度 Wd及长度Ld中任意一个以上相比，以更大的形式形成。优选地，光传感器500的点区域SP形成为可使得一个装置D设置于内部的大小。

如上所述，与装置D的面积(Wd*Ld)相比，将来自于光传感器500的光信号Li 的点区域SP的大小以更大的形式放大形成，并且形成为可使得一个装置D整体设置于光传感器500的点区域SP内部的形状及大小(例如，直径为1英寸以上的圆形或对角线长度为1英寸以上的矩形)，以此，在晶元研磨层Le反射的光接收信号Lo中也一定地包括在装置D所在的区域反射的光接收信号。由此，即使光信号Li的一部分在装置D 所在的区域中受到损失或者漫反射而导致不能作为光接收信号Lo接收至光传感器，也使得与光信号Li的照射位置无关地在光接收信号Lo中受到损失或者漫反射而没有接收到的光信号的量变得均匀。

由此，如图11所示，若放大的面积的点区域SP射入至研磨层Le，则可从光接收信号Lo准确地感知研磨层的厚度，所述光接收信号Lo由在研磨层Le的表面Se反射的反射光Lo1与在研磨层Le的内侧边界Si反射的反射光Lo2构成。

另外，如图11a所示，在从光传感器500照射的光信号Li的点区域SP为圆形的情况下，可根据点SP的位置使得形成于装置D之间的中间区域B的包含宽度稍微产生变动。如上所述，即使由于点SP的位置而形成于装置D之间的中间区域B的包含宽度稍微产生变动，与现有技术相比，也可准确地感知研磨层厚度，但是将点区域SP的形态以与装置D的形态相似的形式形成为矩形或者与此相似的形态，以此可更为准确地感知研磨层厚度。

在此，相似的形态变更为平行四边形形态，或者相对于晶元的板面，考虑到光信号 Li移动的轨迹而将两侧边(左右边，或上下边)的形状形成为曲面。

例如，如图11b所示，可将光信号Li的点区域SP1'的宽度dw规定为将装置D的宽度Wd与中间区域B的宽度Wb加起来的大小，并且将光信号Li的点区域SP1'的长度dl 规定为将装置D的长度Ld与中间区域Lb的长度加起来的大小。在此情况下，无论光信号Li存在于晶元W板面的任意位置，都使得至少一个装置D(包括将分开的合起来)与一个中间区域B(装置D的左右与上下中任意一个)同时设置于点SP'内部。

对其进行扩张，则在光传感器500照射的光信号Li的点区域SP1'的宽度dw规定为将装置D的宽度Wd与中间区域B的宽度Wb加起来的大小的整数倍，并且将光信号Li 的点区域SP1'的长度dl可规定为将装置D的长度Ld与中间区域B的长度Lb加起来的大小的整数倍。

如上所述，将从光传感器500射出的光信号Li的点区域SP1'形成为以与装置形态相似的矩形形态、或平行四边形，或者相面对的2个边形成为曲面的形态代替圆形，从光传感器500照射的点区域SP1'包括规定的个数(在图11b中为1个)的装置D与中间区域B，使得在形成有装置D的区域中受到损失或者漫反射的光接收信号的量始终保持一定，由此能够获得可更为准确地得到晶元研磨层的厚度的效果。

所述控制部700得到以放大的点区域SP、SP'照射至晶元研磨层Le后反射并接收至光传感器500的光接收部520的光接收信号Lo的传送，使得在大面积中反射的光接收信号Lo的值平均化，从而感知研磨层Le的厚度。在此，平均化并非局限于对与点SP、 SP'位置相对应的多个光接收数据进行算术平均，而是可以进行几何平均，或包括通过除了最大值与最小值的一部分以外的值来进行算术平均或者进行几何平均等的统计方法来对平均的概念进行提取的公知的全部方法。

另外，所述控制部700对接收至光传感器500的感知部530的第一光接收信号进行接收，仅在光传感器500位于晶元W的下侧的状态下，以充当从光发送部510使得光Li 进行照射的起动装置(trigger)的形式进行控制，并且得到接收至光接收部520的光接收信号Lo的传送，由此计算出晶元研磨层的厚度分配。据此，由于接收至光传感器 500的光接收部520的光接收信号全部为在晶元研磨层反射的信号，因此可准确地得到晶元研磨层的厚度。

或者，所述控制部700将接收至光传感器500的感知部530的第一光接收信号与接收至光接收部520的光接收信号映射至相同的时间轴，从而在接收至光接收部520的许多光接收信号中仅从在晶元研磨层反射的时间带宽的光接收信号也可以计算出晶元研磨层厚度分配。

另外，如图9b所示，在光传感器500的感知部530被均匀地分散的情况(包括不位于中央部的情况)下，可准确地感知是否只有光传感器500的一部分(斜线区域)位于晶元下侧。由此可得到如下有利的效果，控制部700仅通过位于晶元下侧的光接收部520 中的光接收信号，计算出晶元的厚度，由此以光传感器500开始进入至晶元的下侧的时间期间所测定的光接收信号为基础，可准确地得到在晶元边缘区域中的研磨层厚度。

如上所述，根据所构成的本实用新型的一个实施例的化学机械研磨装置可得到如下有利的效果，使得光信号Li射入至晶元W的研磨层Le，并且将光传感器500的光点区域SP、SP'的大小以比装置的大小更大的形式放大形成，所述光传感器500对在晶元W 反射的光接收信号Lo进行接收，以此在晶元研磨层Le反射的光接收信号Lo中一定地包括在装置所在的区域反射的光接收信号，由此，即使由于光信号的一部分在装置所在的区域受到损失或者漫反射从而没有将光接收至光传感器，也可使得与光信号Li的照射位置无关地在光接收信号Lo受到损失或者漫反射而没有接收到的光信号的量变得均匀，并且为了在化学机械研磨工艺中对晶元研磨层的厚度te进行测定，而能够消除由于照射至研磨层Le的光的位置而导致产生测量值差异的现有的误差，并且从以放大的面积射入至研磨层并反射的光接收信号Lo准确地感知研磨层Le的厚度。

此外，本实用新型中，使得光传感器500的光接收部520、530的一部分530(图9b 的520的一部分)对光传感器500在一定程度上是否位于晶元W的下侧进行感知，并且仅仅将在位于晶元W的下侧的光发送部510照射的光的光接收信号用于计算研磨层厚度，以此得到的优点在于，在贯穿包括晶元W的边缘区域的整体区域，可准确地得到晶元研磨层的厚度。

以上，对本实用新型的优选实施例进行举例说明，但本实用新型的范围并非仅限定于如上所述的特定实施例，在权利要求所记载的范畴内可进行适当的变更。

标号说明

10：研磨平板11：研磨垫

20：研磨头30：调节器

40：研磨液供给部500：光传感器

510：光发送部520：光接收部

700：控制部SP、SP'：点区域

W：晶元Le：研磨层

D：装置B：中间区域

Li：光信号Lo：光接收信号