技术编号:3244897
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例一般地涉及用化学气相沉积(CVD)在半导体衬底上沉积薄膜的装置和方法。更具体地说,本发明的实施例涉及用于消除等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的“第一晶片效应”的装置和方法。背景技术 半导体制造包括用于在半导体衬底上制造多层构件的一系列处理。例如,处理室可以包括半导体预处理室、清洁室、烘烤室、冷冻室(chillchamber)、化学气相沉积室、物理气相沉积室、刻蚀室、电化学镀室等。进行成功的操作需要将待处理的衬底在这些室之间流动,在衬底流...
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