消除pecvd膜的第一晶片效应的制作方法

专利名称：消除pecvd膜的第一晶片效应的制作方法
技术领域：
本发明的实施例一般地涉及用化学气相沉积(CVD)在半导体衬底上沉积薄膜的装置和方法。更具体地说，本发明的实施例涉及用于消除等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的“第一晶片效应”的装置和方法。
背景技术：
半导体制造包括用于在半导体衬底上制造多层构件的一系列处理。例如，处理室可以包括半导体预处理室、清洁室、烘烤室、冷冻室(chillchamber)、化学气相沉积室、物理气相沉积室、刻蚀室、电化学镀室等。进行成功的操作需要将待处理的衬底在这些室之间流动，在衬底流中每个衬底上得到稳态性能。
在半导体制造过程中，通常在处理室中在衬底上沉积材料(例如氧化物，如掺碳的氧化物)，所述处理室例如沉积室，如化学气相沉积(CVD)室。在通常的CVD处理中，将衬底暴露于CVD室中流动的一种或多种挥发性前体，所述前体在衬底表面上发生反应和/或分解，从而产生期望的沉积物。常常也会产生挥发性副产品，并通过CVD室中的气体流动将其除去。在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)中，在CVD室中产生等离子体以增强前体的化学反应率。PECVD处理允许在较低温度下进行沉积，这对于半导体制造常常很关键。CVD室或PECVD室的稳态性能一般需要所有硬件部件发挥理想性能，所述硬件部件例如控制流速的液体流量计、在室内产生等离子体的面板、以及支撑和加热衬底的底座。但是，在较长的空闲时间之后，CVD室在达到稳态性能之前，可能需要在若干个衬底上连续执行沉积和清洁处理。由此，前几个衬底上沉积膜的特性会显著偏离理想情况，这通常称为“第一晶片效应”。在到达稳态之前，有时需要处理多达12个衬底。
“第一晶片效应”可以归因于几个原因。面板通常具有射频(RF)馈通以提供偏压电位从而产生等离子体，面板具有比第一衬底低得多的温度，造成沉积率较低。另外，在较长空闲时间之后，液体流量计(LFM)校准因子可能有多达5％的变化，这给前几个衬底造成不稳定的前体供应速率。此外，面板还可能受热不均匀，造成整个衬底表面上沉积不均匀。
在现有系统的情况下，在一段空闲时间之后要处理第一衬底之前，通过实施“边处理边清洁(Go-Clean)”处理来减小“第一衬底效应”。现有发展水平“Go-Clean”的处理大体上包括等离子体加热步骤、沉积步骤、清洁步骤和干燥步骤。现有发展水平的“Go-Clean”处理减小了“第一晶片效应”，但是在“Go-Clean”之后达到稳态之前，通常也要处理4到6个衬底。
因此，需要开发一种使CVD处理中“第一晶片效应”尽可能减小或消除的装置和方法。

发明内容
本发明大体上提供了用于消除等离子体增强化学气相沉积(PECVD)中“第一晶片效应”的装置和方法。
本发明的一种实施例提供了用于在室空闲了一段时间之后使室做好准备的方法。该方法包括用第一活化粒子来清洁室；通过发送第一气体混合物、同时向第一气体混合物施加射频功率来干燥室；通过发送加热气体、同时向加热气体施加射频功率来加热室。
本发明的另一种实施例提供了用于在一段空闲时间之后使室做好准备的方法。该方法包括将远程等离子源产生的活化粒子发送到室；在向室发送气体混合物的同时向气体混合物施加射频功率，其中，气体混合物包括前体气体、氧化气体和载气；以及向室发送加热气体。
本发明的再一种实施例提供了用于在室中在衬底上沉积膜的方法。该方法包括通过向室发送活化粒子来清洁室；通过向室发送包括第一前体的第一混合气体、同时向第一混合气体施加射频功率，来干燥室；通过发送加热气体、同时向加热气体施加射频功率，来加热室；以及通过向室发送包括第一前体的第二混合气体、同时向第二混合气体施加射频功率，来在衬底上沉积膜。


为了能够更详细地理解本发明的上述特征，可以参考实施例对上面已作出简要概括的本发明有更具体的了解，附图中图示了这些实施例中的一些。但是应当明白，附图只是图示了本发明的典型实施例，因此不应认为是对其范围的限制，因为本发明也可以采用其他等效实施例。
图1图示了根据本发明一种实施例的PECVD系统。
图2图示了根据本发明一种实施例的“起动”步骤。
图3图示了根据本发明一种实施例用于对面板进行加热的方法。
具体实施例方式
本发明大体上提供了一种消除“第一晶片效应”的装置和方法。开发了一种用于PECVD的新的“起动”顺序。新的“起动”顺序包括根据空闲时间长度而调整的清洁步骤、干燥步骤和加热步骤。新的“起动”顺序需要的时间更短，能量更少。另外，本发明还提供了使液体流量计获得稳态性能的装置和方法。本发明将新的“起动”顺序与使LFM获得稳态相结合，大大减小甚至消除了“第一晶片效应”。
下面对本发明的示例性说明是参考对PRODUCERSE CVD系统或DXZCVD系统进行的，这些系统都可以从Santa Clara，California的Applied Materials，Inc.买到。ProducerSE CVD系统(例如200mm或300mm)具有两个隔离处理区域，这些处理区域可以用来沉积掺碳氧化硅或其他材料，美国专利No.5,855,681和No.6,495,233中对其进行了说明并通过引用而结合于此。2002年4月2日授权的美国专利No.6,364,954公开了DXZCVD室并通过引用而结合于此。
图1图示了根据本发明一种实施例的PECVD系统100的剖视图。PECVD系统100大体上包括支撑室盖104的室主体102，室盖104可以通过铰链安装到室主体102。室主体102包括侧壁112和底壁116，它们限定了处理区域120。室盖104可以包括一个或多个气体分配系统108，这些气体分配系统设置成穿过室盖，用于将反应气体和清洁气体发送到处理区域120中。周边泵送通道125形成于侧壁112中并连接到泵送系统164，设置成用于将气体从处理区域120排出并控制处理区域120中的压力。两个通道122和124形成于底壁116中。加热器座128的柄126穿过通道122，加热器座128用于支撑和加热正在处理的衬底。杆130设置成促动衬底抬升销161，杆130穿过通道124。
加热器座128可动地布置在处理区域120中，由连接到柄126的驱动系统103驱动。加热器座128可以包括加热元件(例如电阻元件)，将置于其上的衬底加热到期望的处理温度。或者，加热器座128可以由外部加热元件(例如灯组件)加热。驱动系统103可以包括线性致动器(或电动机及减速齿轮组件)，以使加热器座128在处理区域120中降低或升高。
室衬垫127优选地由陶瓷等制成，并布置在处理区域120中保护侧壁112免受腐蚀性处理环境影响。室衬垫127可以由侧壁112中形成的壁架129支撑。室衬垫127上可以形成多个排气端口131。所述多个排气端口131设置成将处理区域120连接到周边泵送通道125。
气体分配组件108设置成发送反应气体和清洁气体，并穿过室盖104设置以将气体发送到处理区域120中。气体分配组件108包括气体入口通道140，气体入口通道将气体发送到喷头组件142中。喷头组件142由环形基板148组成，基板148与面板146之间布置有阻挡板(blocker plate)144。耦合到喷头组件142的RF(射频)源165向喷头组件142提供偏压，以便在喷头组件142的面板146与加热器座128之间产生等离子体。RF源165大体上包括高频射频(HFRF)功率源(例如13.56MHz的RF发生器)和低频射频(LFRF)功率源(例如300kHz的RF发生器)。LFRF功率源设有低频发生元件和固定匹配(fixed match)元件。HFRF功率源设计成与固定匹配一同使用，并调节发送到负载的功率，以消除与正向功率和反射功率有关的问题。
冷却通道147形成于气体分配系统108的环形基板148中，在操作过程中冷却环形基板148。冷却入口145将冷却剂流体(例如水等)发送到冷却通道147中。冷却剂流体经过冷却剂出口149排出冷却通道147。
室盖147还包括匹配通道，用于将来自一个或多个气体入口166的气体及来自远程等离子源162的气体发送到位于室盖104顶部的气体入口歧管167。
新的“起动”顺序中的清洁步骤一般是用由位于处理室附近的远程等离子源(例如远程等离子源162)产生的等离子体执行的。远程等离子源162设置成向处理区域120供给活化粒子以从内部的表面除去所沉积的材料。远程等离子源162大体上连接到前体源163、载气源168和功率源169。在工作过程中，前体气体从前体源163以期望流速流入远程等离子源162中。功率源169提供射频能量或微波能量以使远程等离子源162中的前体气体活化，从而形成随后经过气体入口歧管167和气体分配组件108流入处理区域120的活化粒子。可以将载气(例如氩、氮、氦、氢或氧等)流到远程等离子源162和处理区域120，以帮助传送活化粒子和/或对清洁处理提供辅助，或者帮助在处理区域120中发起和/或稳定等离子体。在一种实施例中，功率源169提供宽范围(例如400kHz到13.56MHz)的射频功率。反应气体可以选自很广范围的候选物，这些候选物包括常用的卤素和卤化物。例如，取决于要除去的沉积材料，反应气体可以是氯、氟或其化合物，例如NF3、CF4、SF6、C2F6、CCl4、C2Cl6等。远程等离子源162一般位于靠近处理区域120处，因为原子团(radical)通常寿命较短。
可以通过气体入口歧管167将一种或多种处理气体发送到处理区域120。通常有三种方法用于由前体形成气体或蒸气发送到处理室的处理区域，从而在衬底上沉积期望的材料层。第一种方法是升华处理，其中用受控处理使固体形式的前体气化，所述受控处理允许在安瓿中(in anampoule)将前体的相从固态变成气体(或蒸气)。第二种方法是通过气化处理产生前体气体，其中通过温度受控的液体前体使载气起泡，并由载气带走前体气体。在第三种方法中，在液体发送系统中产生前体气体，其中将液体前体发送到蒸发器，通过向蒸发气传递另外的能量使液体前体在蒸发器中从液体改变到气体状态。PECVD系统通常包括一个或多个前体发送系统。
图1示意性地图示了带有液体流量计153的液体发送气体源150，该液体流量计153可能受到系统的空闲时间影响。液体发送气体源150大体上包括安瓿气体源157和连接到安瓿154的液体源158。液体源158向安瓿154提供液体前体。安瓿气体源157向安瓿154提供气体，以将安瓿154中的液体前体泵送到液体流量计153，液体流量计153测量经其流过的前体量。在处理过程中，可以用液体流量计153来确定向处理区域120供给的前体气体流速。在一种实施例中，液体流量计153可以是计量泵。在一种实施例中，可以围绕液体流量计153设置热屏蔽155。热屏蔽155作为液体流量计153的热障，使液体流量计153的环境温度稳定。液体前体从液体流量计153向蒸发器159流动，蒸发器159将前体气体中的液体前体汽化并将前体气体输送到容器151。容器151经过气体入口166连接到气体入口歧管167。液体发送气体源150通常在密闭环境中工作，循环气体(例如氮气)恒定地流经所述密闭环境，以维持受控温度并减小气体泄漏的风险。如图1所示，循环气体可以从循环气体源160流入液体发送气体源150中，并从排出口156排出液体发送气体源。
PECVD系统100还可以包括一个或多个气体源172，这些气体源设置成提供载气和/或前体气体。
PECVD系统100可以设置成在衬底上沉积不同的膜，例如由八甲基环四硅氧烷(OMCTS)沉积的掺碳氧化硅膜、由三甲基硅烷(TMS)沉积的掺碳氧化硅膜、由四乙基硅氧烷(TEOS)沉积的氧化硅膜、由硅烷(SiH4)沉积的氧化硅膜、由甲基二乙氧基硅烷(diethoxymethylsilanc)和α-松油烯(alpha-terpinene)沉积的掺碳氧化硅膜、以及碳化硅膜。
当PECVD系统(例如图1所示PECVD系统100)已经空闲了一段时间时，可以给PECVD系统执行本发明的新的“起动”顺序，以尽可能减小或消除“第一晶片效应”，使PECVD系统对于空闲期间之后处理的第一个衬底就达到稳态。
图2图示了根据本发明一种实施例的“起动”处理200。“起动”处理200一般包括步骤205，在步骤205中达到液体流量计的稳态。步骤205之后的步骤210中执行室清洁处理。在步骤210之后的步骤220中执行室干燥处理。在步骤220之后的步骤230中加热面板。在步骤230之后，室会达到稳态，可以在步骤240中处理第一衬底。下面将详细说明步骤205、210、220和230。
在步骤205，达到液体流量计的稳态。液体流量计(例如图1的液体流量计153)的性能受环境温度影响。环境温度可以由液体流量计周围的元件(例如液体喷射阀和用于液体喷射阀的加热器护套)影响，这些元件产生热量并向液体流量计辐射热量。在长期的空闲时间之后，液体流量计周围的元件从它们的稳态温度冷却，使液体流量计在温度有所降低的环境中工作。由此，液体流量计的校准因素可能变化，造成液体前体的测量不精确。
在一种实施例中，可以通过使液体前体流经液体流量计一段指定量的时间来使空闲的液体流量计达到稳态。这个处理称为“使液体流量计干燥”。指定量的时间可以通过正在进行的处理以及液体流量计的大小来确定。通常，越大的液体流量计需要越长的时间来达到稳态。对于对在约150℃的温度下执行的沉积处理中的OMCTS进行测量的液体流量计，这个指定量的时间在约2分钟到约5分钟之间。
另外，可以设置热屏蔽(例如图1的热屏蔽155)来使液体流量计的稳态稳定下来。此外，在液体流量计周围保持排气压力也可以防止温度波动并促进液体流量计的稳态性能。在一种实施例中，排气压力(例如排出口156中的压力)可以维持在能防止液体流量计附近的温度波动的值。在一种实施例中，排气压力可以维持在高于0.5英寸水压的情况。
在步骤210中，执行室清洁处理来对室内部的表面进行清洁。此前的沉积和/或干燥通常造成一些材料沉积在室壁和沉积室元件上。沉积在室壁和元件上的材料可能影响各个衬底之间的沉积率以及一个衬底上的沉积均匀性。沉积在室壁和元件上的材料还可能从室壁和元件上剥落并造成可能损害或破坏半导体器件的污染物颗粒。通常用清洁气体来周期性地清洁CVD室，以减小沉积在室及其元件上的材料的影响。在一段空闲时间之后执行室清洁处理来除去污染物、并提高各个衬底之间或一个衬底内部的均匀性也是有利的。
在一种实施例中，可以通过将远程等离子源中激发的清洁气体流动到室来执行清洁处理。清洁气体可以是根据其与沉积处理中所用前体气体以及室壁和元件上形成的沉积材料相结合的能力来选择的含卤素化合物。所激发的清洁气体通常与前体气体和所沉积的材料形成挥发性产物，然后从室中排出。在一种实施例中，清洁气体是NF3。清洁气体的选择可以根据清洁要求来确定。可以使用的其他清洁气体包括F2、CF4、C3F8、SF6、C2F6、CCl4和C2Cl6。清洁时间可以根据要除去的沉积材料厚度来确定。在一种实施例中，这种清洁处理的清洁时间可以根据干燥时间以及空闲时间之前执行的沉积处理厚度来确定。
在步骤220，执行室干燥处理。干燥处理通常包括根据随后的沉积处理配方来沉积干燥膜，以涂敷室中限定了沉积区域的那些内部表面。在本发明中，在步骤210的清洁副产物已被排出室外之后执行干燥处理。干燥处理将膜沉积到室的元件上，从而将剩余的污染物密封在其中并减小随后处理期间的污染物水平。另外，干燥膜还为室内部表面提供了保护，使之免受随后可能进行的等离子体加热处理的破坏。当在不带干燥膜的加热器座(例如图1的加热器座128)上执行等离子体加热处理(例如氦加热)时，等离子体可能从加热器座向面板(例如图1的面板146)溅射AIF，形成本领域公知的暗残余物，引起均匀性偏离问题以及膜内颗粒问题。
在一种实施例中，在室内部表面上沉积干燥膜所用的气体混合物可以与干燥处理之后在室中执行的沉积处理所用的气体混合物一样。在干燥处理过程中，可以将前体气体、氧化气体和载气流入室中，并由射频源提供射频能量使前体气体活化和允许沉积。2004年4月2日提交的美国专利申请10/816,606中可以找到对干燥的详细说明，该申请于2005年10月13日公布为美国专利申请公开No.US2005/0227499，题为“Oxidc-likcSeasoning for Dielectric Low K Films”，并通过引用而结合于此。
在步骤230，对室中的面板执行加热处理。在PECVD过程中，面板(例如图1的面板146)与加热器座(例如图1的加热器座128)之间产生用于沉积膜的等离子体。面板的温度影响沉积厚度和均匀性。因此，必须使面板达到其稳态温度以消除或减小“第一晶片效应”。当室处于空闲状态时，面板的温度下降。在较长空闲时间之后，面板可能冷却下来。可以采用加热处理来加热面板并使其达到稳态。在一种实施例中，可以通过向室施加等离子体来执行加热处理。等离子体可以通过向室供应合适的气体(例如氦、氩、氮、氧、或其组合)、并向气体施加射频能量来产生。
PECVD室的空闲期间温度下降的程度与空闲时间的长度有关。本发明的加热时间根据空闲时间长度而调整，以免过度加热或加热不足。另外，由于面板的几何形状，在稳态下整个面板上的温度分布不均匀。事实上，在稳态下，面板的边缘具有比面板中心更低的温度。例如，在由八甲基环四硅氧烷(OMCTS)沉积掺碳氧化硅膜的处理中，在稳态下，面板边缘可能具有约90℃的温度，而面板中心可能具有约150℃的温度。在沉积处理期间，通过在稳定的流中沉积衬底来获得面板的稳态，所述的流包括交替地执行对室加热的等离子体强化沉积和使室冷却的吹扫/清洁处理。在本发明的一种实施例中，加热处理可以通过执行等离子体加热和吹扫处理来模仿后续沉积中的热-冷效应来执行。
图3图示了根据本发明一种实施例，步骤230的一种实施例。步骤230根据空闲时间和沉积过程中的热-冷效应来调整。
在步骤231，根据空闲时间来确定使面板达到稳态所需的加热和冷却循环数目n。
在步骤232，将循环计数器设定为零。
在步骤233，对面板执行加热处理。在一种实施例中，可以通过下述方式执行加热处理将加热气体(例如氦)流向室，并由该加热气体产生原位等离子体以加热面板。
在步骤234，通过对室进行吹扫来执行冷却处理。在一种实施例中，可以通过下述方式执行吹扫处理简单地关闭射频源并保持加热气体经其流过。
在步骤235，将循环计数器i加一。
在步骤236，将循环计数器i与所需的加热和冷却循环数目n进行比较。如果循环计数器i小于数目n，则重复执行步骤233、234和235。如果循环计数器i不小于数目n，则结束处理。
本发明的“起动”顺序可以应用到适用的PECVD处理室中。该“起动”顺序适于在衬底上沉积不同膜的过程中消除或减小“第一衬底效应”，所述不同膜例如由八甲基环四硅氧烷(OMCTS)沉积的掺碳氧化硅膜、由三甲基硅烷(TMS)沉积的掺碳氧化硅膜、由四乙基硅氧烷(TEOS)沉积的氧化硅膜、由硅烷(SiH4)沉积的氧化硅膜、由甲基二乙氧基硅烷和α-松油烯沉积的掺碳氧化硅膜、以及碳化硅膜。
(示例)本发明的一种“起动”顺序是针对下述PECVD沉积处理进行的，该PECVD沉积处理用PRODUCERSE双子室由八甲基环四硅氧烷(OMCTS)沉积掺碳氧化硅膜，所述双子室包括两个处理室，与图1的PECVD系统100类似。美国专利No.5,855,681和No.6,495,233中可以找到PRODUCERSE双子室的详细说明，这些专利通过引用而结合于此。掺碳氧化硅膜在约150℃的室温度下沉积到衬底上。
对液体流量计进行干燥在室空闲了一端时间之后，在射频源关闭的情况下使OMCTS经过系统流动至少约2分钟。更具体地说，使OMCTS经过系统流动约2分钟到约5分钟。
对室进行清洁对室执行清洁处理。清洁时间约为干燥时间的3倍。在本示例中，空闲之前的OMCTS干燥约为10秒钟。清洁时间约为30秒钟。在约6Torr以及室温度350℃的条件下执行清洁处理。打开远程等离子源以产生远程等离子体。面板与加热器座之间的间距约为200密耳。使用的流动处理气体和流速情况为NF3，对两个室共1350sccm(每个室675sccm)；氦，对两个室共9000sccm(每个室4500sccm)。
对室进行干燥在约5Torr及室温度350℃的条件下在室的内部表面上沉积干燥层。面板与加热器座之间的间隔从约300密耳到约500密耳。干燥时间约为10秒钟。以约120瓦到约200瓦的情况打开300kHz的低频射频(LFRF)功率源。以约700瓦到约1000瓦的情况打开13.56MHz的高频射频(HFRF)功率源。在LFRF功率源打开约0.5秒钟之后打开HFRF功率源。使用的流动处理气体和流速情况为OMCTS，对两个室共900sccm(每个室450scm)；氧气，对两个室共900sccm(每个室450sccm)；氦；对两个室共1000sccm(每个室500sccm)。
加热面板对室执行三个氦加热和氦吹扫循环。
在约3-6Torr及室温度350℃的条件下执行氦加热。面板与加热器座之间的间隔约为200密耳。加热时间约为30秒钟。以约1000瓦的情况打开13.56MHz的高频射频(HFRF)功率源。使用的流动处理气体和流速情况为氦，对两个室共1500sccm(每个室750sccm)。
在约3-6Torr及室温度350℃的条件下执行氦吹扫。面板与加热器座之间的间隔约为200密耳。吹扫时间约为10秒钟。高频射频(HFRF)功率源关闭。使用的流动处理气体和流速情况为氦，对两个室共1500sccm(每个室750sccm)。
除了对液体流量计进行干燥之外，本示例中“起动”顺序的总时间约为160秒钟。在随后由八甲基环四硅氧烷(OMCTS)沉积的掺碳氧化硅膜中消除了“第一晶片效应”。
尽管前面的说明针对的是本发明的具体实施例，但是在不脱离本发明基本范围的情况下，可以得到本发明的其他和更多的实施方式，本发明的范围由权利要求来确定。
权利要求
1.一种在室空闲了一段时间之后使所述室作好准备的方法，包括用第一活化粒子清洁所述室；通过发送第一气体混合物并同时向所述第一气体混合物施加射频功率，来干燥所述室；通过发送加热气体并同时向所述加热气体施加射频功率，来加热所述室。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括在清洁所述室之前，将液体前体经过液体流量计流动指定时间长度。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，发送所述加热气体包括发送所述加热气体，同时向所述加热气体施加射频功率；和发送所述加热气体，而不向所述加热气体施加射频功率。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，发送所述加热气体还包括重复地在有所述射频功率的情况下发送所述加热气体以及在没有所述射频功率的情况下发送所述加热气体。
5.根据权利要求4所述的方法，还包括根据所述一段空闲时间的长度来确定所述重复的次数。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述加热气体是氦。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一活化粒子用远程等离子源产生。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一气体混合物包括将在随后的沉积处理中使用的前体气体。
9.一种用于在一段空闲时间之后使所述室做好准备的方法，包括向所述室发送由远程等离子源产生的活化粒子；向所述室发送气体混合物，同时向所述气体混合物施加射频功率，其中，所述气体混合物包括前体气体；氧化气体；和载气；以及向所述室发送加热气体。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述活化粒子由含卤素的气体产生。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述前体气体将要用在随后的沉积处理中。
12.根据权利要求9所述的方法，其中，发送所述加热气体包括发送所述加热气体，同时向所述加热气体施加射频功率；和发送所述加热气体，而不向所述加热气体施加射频功率。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，发送所述加热气体还包括重复地在有所述射频功率的情况下发送所述加热气体以及在没有所述射频功率的情况下发送所述加热气体。
14.根据权利要求13所述的方法，还包括根据所述一段空闲时间的长度来确定所述重复的次数。
15.一种用于在室中在衬底上沉积膜的方法，包括通过向所述室发送活化粒子，来清洁所述室；通过向所述室发送包括第一前体的第一气体混合物、同时向所述第一气体混合物施加射频功率，来干燥所述室；通过发送加热气体、同时向所述加热气体施加射频功率，来加热所述室；以及通过向所述室发送包括第一前体的第二气体混合物、同时向所述第二气体混合物施加射频功率，来在所述衬底上沉积所述膜。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，加热所述室包括周期性地打开和关闭施加到所述加热气体的射频功率。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，加热所述室包括根据所述室的空闲时间来确定加热时间。
18.根据权利要求15所述的方法，其中，所述活化粒子由含卤素气体产生。
19.根据权利要求15所述的方法，还包括在清洁所述室之前，使所述第一前体流经液体流量计。
20.根据权利要求15所述的方法，其中，所述膜是下列情况之一由八甲基环四硅氧烷沉积的掺碳氧化硅膜、由三甲基硅烷沉积的掺碳氧化硅膜、由四乙基硅氧烷沉积的氧化硅膜、由硅烷沉积的氧化硅膜、由甲基二乙氧基硅烷和α-松油烯沉积的掺碳氧化硅膜、以及碳化硅膜。
全文摘要
本发明大体上提供了用于消除等离子体增强化学气相沉积(PECVD)中“第一晶片效应”的装置和方法。本发明的一种实施例提供了用于在室空闲了一段时间之后使室做好准备的方法。该方法包括在清洁步骤之后，根据空闲时间长度调整进行干燥步骤和加热步骤。
文档编号C23C16/455GK101092691SQ20071011043
公开日2007年12月26日 申请日期2007年6月5日 优先权日2006年6月5日
发明者安纳马莱·拉克师马纳, 干纳施·巴拉苏布拉马尼恩, 福兰斯马尔·斯楚弥特, 金博宏 申请人:应用材料公司