一种六晶片晶控装置的制造方法

文档序号:10565735阅读:601来源:国知局
一种六晶片晶控装置的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种六晶片晶控装置,包括外壳、转轴、气缸、联轴器和探头组件,外壳为管状,外壳顶部固定有上盖,转轴位于外壳内且转轴顶部穿过上盖,气缸的缸体通过支架固定在上盖顶部,其活塞杆通过联轴器与转轴连接,包括6组晶片的探头组件固定在转轴的底部。本发明将分散的晶控装置的部件集成在一起,并且配有6组晶片,晶片安装架与转轴连接,转轴带动晶片安装架转动,实现自动切换晶片的目的,同时,气缸内部安装的6组限位开关能够精确控制晶片的旋转角度,本发明减少了更换晶片的次数,提高了生产率。
【专利说明】
一种六晶片晶控装置
技术领域
[0001]本发明涉及真空镀膜领域,特别涉及一种六晶片晶控装置。
【背景技术】
[0002]晶控装置是利用石英晶片的谐振频率与膜层厚度之间的关系来控制镀膜的厚度,现有的镀膜机内部安装的晶片只有I组,每次镀膜后都需要更换,由于更换的过程太过繁琐,因此,镀膜机的劳动效率不高;而且现有的晶控装置结构太过分散,各部分的零件安装在镀膜机内,每次安放需要镀膜的部件时容易碰撞到这些零件,导致晶控装置的损坏。

【发明内容】

[0003]为了解决上述问题,本发明的发明目的是提供了一种六晶片晶控装置,解决了现在镀膜后晶片都需要及时更换的问题。
[0004]本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
一种六晶片晶控装置,包括外壳、转轴、气缸、联轴器和探头组件,外壳为管状,外壳顶部还固定有上盖,转轴位于外壳内且转轴顶部穿过上盖,气缸的缸体通过支架固定在上盖顶部,其活塞杆通过联轴器与转轴连接,包括6组晶片的探头组件固定在转轴的底部。
[0005]所述气缸内部安装有6组限位开关,且6组限位开关呈环形均匀分布气缸的顶部。
[0006]所述气缸的侧壁上安装有气动分度头。
[0007]所述探头组件包括冷却座、晶片安装架、探头和滑动轴承,探头组件位于外壳内部且安装在外壳底端,转轴穿过冷却座与晶片安装架通过插销固定,探头安装在晶片安装架上方,且探头与晶片安装架相接触。
[0008]所述晶片安装架包括固定法兰、托盘和晶片,托盘通过固定法兰与冷却座连接,6组晶片呈环形均匀安装在固定法兰的凹槽内,托盘上开有锥形孔,其中I组晶片位于锥形孔处,且与锥形孔的中心线重合。
[0009]所述外壳内还安装有冷却管道,冷却管道的两端均安装有连接头,连接头插入上盖与冷却管道连接。
[0010]本发明具有的有益效果:本发明将分散的晶控装置的部件集成在一起,并且配有6组晶片,晶片安装架与转轴连接,转轴带动晶片安装架转动,实现自动切换晶片的目的,同时,气缸内部安装的6组限位开关能够精确控制晶片的旋转角度,本发明减少了更换晶片的次数,提高了生产率。
【附图说明】
[0011]以下结合附图所示实施例的【具体实施方式】,对本发明的上述内容再作进一步的详细说明。
[0012]图1为本发明结构不意图;
图2为本发明剖面图; 图3为本发明探头组件剖面图;
图4为本发明晶片安装架剖面图;
图5为本发明晶片安装示意图。
[0013]图中标记:1-外壳、11 -上盖、12-转轴、13-冷却管道、14_连接头、2_气缸、21 -支架、22-联轴器、23-气动分度头、3-探头组件、31-冷却座、32-晶片安装架、321-插销、322-固定法兰、323-托盘、324-晶片、325-锥形孔、33-探头、34-滑动轴承。
【具体实施方式】
[0014]如图1?4所示,本发明包括外壳1、上盖11、转轴12、气缸2、联轴器22和探头组件3,所述外壳I为管状,外壳I顶部安装有上盖U,转轴12安装在外壳I内,且转轴12上端穿过上盖11,气缸2的缸体通过支架21固定在上盖11顶部,气缸2的活塞杆通过联轴器22与转轴12连接,探头组件3固定在转轴12的底部。气缸2内部安装有6组限位开关,6组限位开关呈环形均匀分布在气缸2顶部,用于精确控制转轴12的旋转角度,气缸2的侧壁上还安装有两个气动分度头23,给转轴12提供旋转动力。
[0015]所述探头组件3包括冷却座31、晶片安装架32、探头33和滑动轴承34,冷却座31位于外壳I内部且通过滑动轴承34安装在外壳I底部,转轴12穿过冷却座31与晶片安装架32通过插销321固定,探头33安装在晶片安装架32上方,且探头33与晶片安装架32相接触。
[0016]所述晶片安装架32包括固定法兰322、托盘323和晶片324,托盘323通过固定法兰322与冷却座31连接,所述晶片324共有6组,6组晶片呈环形均匀分布且安装在固定法兰322的凹槽内,托盘323上开有锥形孔325,其中I组晶片位于锥形孔325处,且与锥形孔325的中心线重合。
[0017]所述探头33与锥形孔325的中心线重合。
[0018]所述外壳I内还安装有冷却管道13,冷却管道13的两端均安装有连接头14,连接头
14伸出上盖11与外部管道连接。
[0019]本发明的使用过程是:将晶控装置安装在镀膜机内部,之后把气动分度头23和冷却管道13的连接头14与外部接口连接,接着放入需要镀膜的产品,关上镀膜机的门,然后加热坩祸内的物料,使物料挥发,物料附着在产品及晶片324的表面,当晶片324表面的物料达到一定厚度时停止加热,然后取出产品,接着放入下组产品,此时气缸2带动转轴12旋转60°,旋转时通过限位开关精确控制旋转的角度,使晶片安装架32跟随转轴12旋转60°,移动下组晶片到锥形孔325处,然后重复上述步骤继续加工,直到晶片324全部使用后,更换晶片324。
[0020]本发明所举实施方式或者实施例对本发明目的、技术方案和优点进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所举实施方式或者实施例仅为本
【发明内容】
的优选实施方式而已,并不用以限制本
【发明内容】
,凡在本发明目的的精神和原则之内对本
【发明内容】
所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明目的保护范围之内。
【主权项】
1.一种六晶片晶控装置,其特征在于:包括外壳、转轴、气缸、联轴器和探头组件,外壳为管状,外壳顶部固定有上盖,转轴位于外壳内且转轴顶部穿过上盖,气缸的缸体通过支架固定在上盖顶部,其活塞杆通过联轴器与转轴连接,包括6组晶片的探头组件固定在转轴的底部。2.根据权利要求1所述的六晶片晶控装置,其特征在于:所述气缸内部安装有6组限位开关,且6组限位开关呈环形均匀分布气缸的顶部。3.根据权利要求2所述的六晶片晶控装置,其特征在于:所述气缸的侧壁上安装有气动分度头。4.根据权利要求1所述的六晶片晶控装置,其特征在于:所述探头组件包括冷却座、晶片安装架、探头和滑动轴承,探头组件位于外壳内部且安装在外壳底部,转轴穿过冷却座与晶片安装架通过插销固定,探头安装在晶片安装架上方,且探头与晶片安装架相接触。5.根据权利要求4所述的六晶片晶控装置,其特征在于:所述晶片安装架包括固定法兰、托盘和晶片,托盘通过固定法兰与冷却座连接,6组晶片呈环形均匀安装在固定法兰的凹槽内,托盘上开有锥形孔,其中I组晶片位于锥形孔处,且与锥形孔的中心线重合。6.根据权利要求1所述的六晶片晶控装置,其特征在于:所述外壳内还安装有冷却管道,冷却管道的两端均安装有连接头,连接头插入上盖与冷却管道连接。
【文档编号】C23C14/54GK105925951SQ201610531104
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2016年7月7日
【发明人】王伟, 卢成
【申请人】成都国泰真空设备有限公司
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