有机发光二极管显示器及其制造方法
【专利摘要】本发明公开一种有机发光二极管显示器及其制造方法，有机发光二极管显示器包括：基底、多晶硅层、栅极绝缘层、第一金属层、第一半导体层、第二金属层、第二半导体层、有机平坦层，其中，部分的第二金属层通过位于第一区域且贯穿第二半导体层和第一半导体层的第一电连接孔与多晶硅层连接并引入初始化电压Vint。相较于现有技术，本发明可以克服现有技术中初始电压Vint走线因采用阳极材料进行拉线而存在相互间干扰影响的问题，且可以增加开口面积。
【专利说明】
有机发光二极管显示器及其制造方法
技术领域
[0001]本发明涉及一种显示器及其制造方法，特别是涉及一种有机发光二极管(OrganicLight-Emitting D1de, 0LED)显示器及其制造方法。
【背景技术】
[0002]OLED,即有机发光二极管，OLED具有自发光的特性，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当电流通过时，有机材料就会发光，而且OLED显示器的可视角度大，并且能够显著节省电能，因此OLED显示器却具备了许多IXD (Liquid Crystal Display，液晶显示器)不可比拟的优势。
[0003]现行OLED显示器的面板(panel)需设计电路补偿驱动TFT (Thin FilmTransistor，薄膜场效应晶体管)的阀值电压，避免OLED画面质量因阀值电压漂移造成画面亮度不均，但因OLED面板高PPI (Pixel Per Inch，每英寸所表达的像素数目)的需求，故在有限的像素面积内，同时满足电路走线及OLED发光面积的需求，为现行OLED设计面临且需立即解决的难题。
[0004]现有OLED像素电路中，比如应用低温多晶硅(LTPS，Low TemperaturePoly-Silicon)的顶部发光(Top Emiss1n) 0LED，由于Vint (初始电压)走线采用阳极材料进行拉线，当面临高PPI需求时，Vint走线会与原OLED材料下方的阳极在有限的像素空间内相互影响位置及大小，OLED发光的面积影响到其发光的寿命，但又受限于Vint走线，两者相互牵制、相互影响。
[0005]Vint电压采用阳极材料进行拉线，当为了高PPI的要求时像素面积缩小，或OLED发光面需求增加，如图1所示，Vint走线I (阳极材料)和阳极2(阳极材料)之间的距离会拉近，但因各带不同电位故又需保持一定距离，往往会牺牲OLED开口率，影响亮度及减少OLED寿命。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于提供一种有机发光二极管显示器及其制造方法，用于解决现有技术中初始电压Vint走线采用阳极材料进行拉线而存在相互间干扰影响，牺牲OLED开口率，影响亮度及减少OLED寿命等问题。
[0007]本发明提供一种有机发光二极管显示器，包括一基底、设于所述基底上的一多晶硅层和一栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的一第一金属层和一第一半导体层、设于所述第一半导体层上的一第二金属层和一第二半导体层、设于所述第二半导体层上的一有机平坦层，其中，部分的所述第二金属层通过贯穿所述第二半导体层和所述第一半导体层的第一电连接孔与所述多晶硅层连接。
[0008]本发明一种有机发光二极管显示器的进一步改进在于，所述有机发光二极管显示器还包括:设于所述有机平坦层上的一阳极层和一像素定义层，所述像素定义层具有露出所述阳极层的开口，所述阳极层通过贯穿所述有机平坦层的第二电连接孔以及位于第二区域、与所述第二电连接孔相连的所述第一电连接孔而与所述多晶硅层连接；以及位于所述像素定义层的开口内且覆盖于所述阳极层的像素电极。
[0009]本发明一种有机发光二极管显示器的进一步改进在于，所述有机发光二极管显示器还包括:设于所述有机平坦层上的一阳极层和一像素定义层，所述像素定义层具有露出所述阳极层的开口，所述阳极层通过贯穿所述有机平坦层的第二电连接孔以及贯穿所述第二半导体层和所述第一半导体层并与所述第二电连接孔相连的第一电连接孔而与所述多晶硅层连接；以及位于所述像素定义层的开口内且覆盖于所述阳极层的像素电极。
[0010]本发明一种有机发光二极管显示器的进一步改进在于:所述第一半导体层为SiNx层，所述第二半导体层为SiNx层。
[0011]本发明提供的有机发光二极管显示器，利用第二金属层进行初始化电压Vint拉线，可以有效避免与阳极层相互影响，且可以增加开口面积，提高亮度及寿命。
[0012]本发明另提供一种有机发光二极管显示器的制造方法，包括:提供一基底，在所述基底上形成一多晶硅层和一栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成一第一金属层和一第一半导体层；在所述第一半导体层上形成一第二金属层和一第二半导体层；制作贯穿所述第二半导体层和所述第一半导体层的第一电连接孔，部分的所述第二金属层通过所述第一电连接孔与所述多晶硅层连接；以及在所述第二半导体层上形成一有机平坦层。
[0013]本发明一种有机发光二极管显示器的制造方法的进一步改进在于，所述有机发光二极管显示器的制造方法还包括:制作贯穿所述有机平坦层的第二电连接孔并在所述有机平坦层上形成与所述第二电连接孔相连的一阳极层，所述阳极层通过所述第二电连接孔以及与所述第二电连接孔相连的第一电连接孔而与所述多晶硅层连接；在所述有机平坦层和所述阳极层上形成一像素定义层，所述像素定义层对应所述阳极层形成露出所述阳极层的开口 ；以及在所述开口内形成覆盖于所述阳极层的像素电极。
[0014]本发明一种有机发光二极管显示器的制造方法的进一步改进在于，在制作贯穿所述第二半导体层和所述第一半导体层的第一电连接孔，部分的所述第二金属层通过所述第一电连接孔与所述多晶硅层连接的步骤中，包括:制作贯穿所述第二半导体层和所述第一半导体层的第一电连接孔:在所述第二半导体层上定义出用以形成第一连接孔的图形化光刻胶，定义的第一连接孔位于所述多晶硅层的上方；以所述图形光刻胶为掩膜刻蚀所述第二半导体层、所述第一半导体层、以及所述栅极绝缘层以形成第一连接孔，所述第一连接孔贯穿所述第二半导体层、所述第一半导体层、以及所述栅极绝缘层并显露出对应的所述多晶硅层；制作贯穿所述第二半导体层的电连接孔:在所述第二半导体层上定义出用以形成连接孔的图形化光刻胶，定义的连接孔位于所述第二金属层的上方；以所述图形光刻胶为掩膜刻蚀第二半导体层以形成连接孔，所述连接孔贯穿所述第二半导体层并显露出部分的所述第二金属层；以及在所述第一连接孔的底部及周壁、所述连接孔的底部及周壁、以及所述第二半导体层上形成第三金属层，使得部分的所述第二金属层通过所述第三金属层与所述多晶硅层连接。
[0015]本发明一种有机发光二极管显示器的制造方法的进一步改进在于，在制作贯穿所述有机平坦层的第二电连接孔并在所述有机平坦层上形成与所述第二电连接孔相连的一阳极层的步骤中，包括:在所述有机平坦层上定义出用以形成第二连接孔的图形化光刻胶；以所述图形光刻胶为掩膜刻蚀所述有机平坦层以形成第二连接孔，所述第二连接孔贯穿所述有机平坦层并显露出所述第三金属层；以及在所述第二连接孔的底部及周壁和所述有机平坦层上形成第四金属层，其中，位于所述有机平坦层上所形成的第四金属层作为阳极层。
[0016]本发明一种有机发光二极管显示器的制造方法的进一步改进在于:所述第一半导体层为SiNx层，所述第二半导体层为SiNx层。
[0017]本发明提供的有机发光二极管显示器的制造方法，利用第二金属层进行初始化电压Vint拉线，可以有效避免与阳极层相互影响，且可以增加开口面积，提高亮度及寿命。
[0018]本发明又提供一种有机发光二极管显示器，包括一基底、设于所述基底上的一多晶硅层和一栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的一第一金属层和一第一半导体层、设于所述第一半导体层上的一第二金属层和一第二半导体层、设于所述第二半导体层上的一有机平坦层，其中，部分的所述第二金属层通过贯穿所述第一半导体层的第一电连接孔与所述多晶硅层连接。
[0019]本发明一种有机发光二极管显示器的进一步改进在于，所述有机发光二极管显示器还包括:设于所述有机平坦层上的一阳极层和一像素定义层，所述像素定义层具有露出所述阳极层的开口，所述阳极层通过贯穿所述第二半导体层和所述第一半导体层的第二电连接孔和贯穿所述有机平坦层的第三电连接孔而与所述多晶硅层连接；以及位于所述像素定义层的开口内且覆盖于所述阳极层的像素电极。
[0020]本发明一种有机发光二极管显示器的进一步改进在于:所述第一半导体层为SiNx层，所述第二半导体层为SiNx层。
[0021]本发明提供的有机发光二极管显示器，利用第二金属层进行初始化电压Vint拉线，可以有效避免与阳极层相互影响，且可以增加开口面积，提高亮度及寿命。
[0022]本发明再提供一种有机发光二极管显示器的制造方法，包括:提供一基底，在所述基底上形成一多晶硅层和一栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成一第一金属层和一第一半导体层；制作贯穿所述第一半导体层的第一电连接孔并在所述第一半导体层上形成一第二金属层，其中，部分的所述第二金属层通过所述第一电连接孔与所述多晶硅层连接；在所述第一半导体层和所述第二金属层上形成第二半导体层；以及在所述第二半导体层上形成一有机平坦层。
[0023]本发明一种有机发光二极管显示器的制造方法的进一步改进在于，还包括:制作贯穿所述第二半导体层和所述第一半导体层的第二电连接孔并在所述第二半导体层上形成一第三金属层，所述第三金属层通过所述第二电连接孔连接于所述多晶硅层；制作贯穿所述有机平坦层的第三电连接孔并在所述有机平坦层上形成与所述第三电连接孔相连的一阳极层，所述第三电连接孔与所述第二电连接孔相连，所述阳极层通过所述第三电连接孔和所述第二电连接孔而与所述多晶硅层连接；在所述有机平坦层和所述阳极层上形成一像素定义层，所述像素定义层对应所述阳极层形成露出所述阳极层的开口 ；以及在所述开口内形成覆盖于所述阳极层的像素电极。
[0024]本发明一种有机发光二极管显示器的制造方法的进一步改进在于，制作贯穿所述第一半导体层的第一电连接孔并在所述第一半导体层上形成一第二金属层，包括:在所述第一半导体上定义出用以形成第一连接孔的图形化光刻胶，定义的第一连接孔位于所述多晶硅层的上方；以所述图形光刻胶为掩膜刻蚀所述第一半导体层和所述栅极绝缘层以形成第一连接孔，所述第一连接孔贯穿所述第一半导体层和所述栅极绝缘层并显露出对应的所述多晶硅层；在所述第一连接孔的底部及周壁上形成一金属层；以及在所述第一半导体层上形成一第二金属层，其中，所述第二金属层通过所述第一连接孔处的金属层而连接于所述多晶娃层。
[0025]本发明一种有机发光二极管显示器的制造方法的进一步改进在于:
[0026]制作贯穿所述第二半导体层和所述第一半导体层的第二电连接孔并在所述第二半导体层上形成一第三金属层，包括:在所述第二半导体层上定义出用以形成第二连接孔的图形化光刻胶；以所述图形光刻胶为掩膜刻蚀所述第二半导体层、所述第一半导体层、以及所述栅极绝缘层以形成第二连接孔，所述第二连接孔贯穿所述第二半导体层、所述第一半导体层、以及所述栅极绝缘层并显露出对应的所述多晶硅层；以及在所述第二连接孔的底部及周壁和所述第二半导体层上形成一第三金属层；
[0027]其中，在制作贯穿所述有机平坦层的第三电连接孔并在所述有机平坦层上形成与所述第三电连接孔相连的一阳极层的步骤中，包括:在所述有机平坦层上定义出用以形成第三连接孔的图形化光刻胶；以所述图形光刻胶为掩膜刻蚀所述有机平坦层以形成第三连接孔，所述第三连接孔贯穿所述有机平坦层并显露出所述第三金属层；以及在所述第三连接孔的底部及周壁和所述有机平坦层上形成一第四金属层，其中，位于所述有机平坦层上所形成的第四金属层作为阳极层。
[0028]本发明一种有机发光二极管显示器的制造方法的进一步改进在于:所述第一半导体层为SiNx层，所述第二半导体层为SiNx层。
[0029]本发明提供的有机发光二极管显示器的制造方法，利用第二金属层进行初始化电压Vint拉线，可以有效避免与阳极层相互影响，且可以增加开口面积，提高亮度及寿命。
【附图说明】
[0030]图1为现有有机发光二极管显示器的结构示意图。
[0031]图2为本发明有机发光二极管显示器第一实施例的结构示意图。
[0032]图3为本发明有机发光二极管显示器第二实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0033]以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
[0034]请参阅附图。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0035]下面结合附图给出本发明较佳实施例，以详细说明本发明的技术方案。
[0036]请参阅图2，其为本发明有机发光二极管显示器在第一实施例中的结构示意图。
[0037]如图2所示，本发明有机发光二极管显示器包括:
[0038]—基底11，在本实施例中，基底11为由玻璃、石英、陶瓷、或塑料形成的绝缘基底，优选地，基底11为玻璃基板。
[0039]—多晶硅层，设于基底11上。在本实施例中，所述多晶硅层划分为位于第一区域的多晶硅层121和位于第二区域的多晶硅层123。
[0040]一栅极绝缘层13，设于基底11上并覆盖所述多晶硅层。在本实施例中，栅极绝缘层13优选为氮化硅层或氧化硅层。
[0041]—第一金属层14，设于栅极绝缘层13上。在本实施例中，部分的第一金属层14是对应地位于多晶硅层123的上方。
[0042]—第一半导体层15，设于栅极绝缘层13上并覆盖第一金属层14。在本实施例中，第一半导体层15为SiNx层。
[0043]—第二金属层16，设于第一半导体层15上。在本实施例中，部分的第二金属层是邻近于第一区域。另外，第二金属层16的材料与第一金属层14的材料相同。
[0044]—第二半导体层17，设于第一半导体层15上并覆盖第二金属层16。在本实施例中，第二半导体层17为SiNx层。
[0045]特别地，在本实施例中，其中，邻近于第一区域的第二金属层16通过位于第一区域且贯穿第二半导体层17和第一半导体层15的一第一电连接孔和与而第一电连接孔连接的一电连接孔而与多晶硅层121连接并引入初始化电压Vint。具体地:在位于第一区域的多晶硅层121的正上方开设一第一连接孔A，第一连接孔A贯穿第二半导体层17和第一半导体层15并显露出对应的多晶硅层121 ;在位于第一区域的第二金属层16的正上方开设一连接孔B，该连接孔B贯穿第二半导体层17并显露出对应的第二金属层16 ;再在第一连接孔A的底部及周壁、连接孔B的底部及周壁、和第二半导体层17上形成第三金属层18，其中，第三金属层18连接于第二金属层16和多晶娃层121。
[0046]再者，在本实施例中，与前述的制作第一连接孔A类似，针对第二区域，可在多晶硅层123的两端制作第一连接孔C、D，在第一连接孔C、D的底部及周壁和第二半导体层17上分别形成第三金属层19、20，且第三金属层19、20连接于多晶硅层123。
[0047]—有机平坦层21，设于第二半导体层17上并覆盖第三金属层18、19、20。
[0048]—阳极层22，设于有机平坦层21上。在本实施例中，阳极层22通过贯穿有机平坦层21的第二电连接孔以及位于第二区域、与第二电连接孔相连的第一电连接孔(与第一连接孔D对应)而与多晶硅层123连接。具体地:在有机平坦层21上开设第二连接孔E，第二连接孔E贯穿有机平坦层21以露出第三金属层20，再在第二连接孔E的底部及周壁和有机平坦层21上形成第四金属层22，其中，位于所述有机平坦层上所形成的第四金属层22即可作为阳极层。
[0049]—像素定义层23，设于有机平坦层21上并覆盖阳极层22，像素定义层23具有露出阳极层的开口 F。在本实施例中，像素定义层23为亚克力系材料或有机树脂材料。
[0050]像素电极24，设于像素定义层23的开口 F内且覆盖于阳极层22。
[0051]第一实施例中所提供的有机发光二极管显示器，利用第一区域的第二金属层进行初始化电压Vint拉线，这样，初始电压Vint线就与第二区域的阳极层的金属线不会冲突，可以有效避免现有技术中两者相互影响且因产品PPI增加或发光区面积增大而有短路short的风险，相对现有技术可以增加开口面积，提高亮度及寿命。
[0052]针对图2所示的在第一实施例中的有机发光二极管显示器的制造方法可包括以下步骤:
[0053]S101，提供一基底11，在基底11形成一多晶硅层。在本实施例中，在基底11形成多晶硅层具体包括:采用沉积工艺，在基底11沉积多晶硅层，涂敷光刻胶并制作光刻图形，形成位于第一区域的多晶硅层121和位于第二区域的多晶硅层123。
[0054]S103，在基底11和多晶硅层之上形成一栅极绝缘层13。在本实施例中，栅极绝缘层13优选为氮化硅层或氧化硅层。
[0055]S105，在栅极绝缘层13上形成一第一金属层14。在本实施中，形成第一金属层包括:在栅极绝缘层13的上方涂覆一层金属，涂敷光刻胶并制作光刻图形，刻蚀该层金属，形成第一金属层14。
[0056]S107，在栅极绝缘层13和第一金属层14之上形成一第一半导体层15。在本实施例中，第一半导体层15为SiNx层。
[0057]S109，在第一半导体层15上形成一第二金属层16。在本实施中，形成第二金属层16包括:在第一半导体层15上涂覆一层金属，涂敷光刻胶并制作光刻图形，刻蚀该层金属，形成第二金属层16。在本实施例中，部分的第二金属层是邻近于第一区域。另外，第二金属层16的材料与第一金属层14的材料相同。
[0058]S111，在第一半导体层15和第二金属层16之上形成一第二半导体层17。在本实施例中，第二半导体层17为SiNx层。
[0059]SI 13，制作贯穿第二半导体层17和第一半导体层15的第一电连接孔和贯穿第二半导体层17的电连接孔。在本实施例中，制作贯穿第二半导体层17和第一半导体层15的第一电连接孔，包括:在第二半导体层17上定义出用以形成第一连接孔的图形化光刻胶，定义的第一连接孔A、C、D位于所述多晶硅层的上方；以所述图形光刻胶为掩膜刻蚀第二半导体层17、第一半导体层15、以及栅极绝缘层13以形成第一连接孔A、C、D，第一连接孔A、C、D贯穿第二半导体层17、第一半导体层15、以及栅极绝缘层13并显露出对应的多晶硅层121、123。制作贯穿第二半导体层17的电连接孔，包括:在第二半导体层17上定义出用以形成连接孔的图形化光刻胶，定义的连接孔位于第二金属层16的上方；以所述图形光刻胶为掩膜刻蚀第二半导体层17以形成连接孔B，连接孔B贯穿第二半导体层17并显露出对应的第二金属层16。
[0060]S115，在第一连接孔A的底部及周壁、连接孔B的底部及周壁、以及第二半导体层17上形成一第三金属层18，在第一连接孔C的底部及周壁和第二半导体层17上形成一第三金属层19，在第一连接孔D的底部及周壁和第二半导体层17上形成一第三金属层20。具体地，在第一连接孔A、C、D的底部及周壁、连接孔B的底部及周壁、以及第二半导体层17上涂覆一层金属，涂敷光刻胶并制作光刻图形，刻蚀该层金属，形成第三金属层18、19、20。如此，第二金属层16通过位于第一区域的第一连接孔A与多晶硅层121连接并由第三金属层18引入初始化电压Vint。
[0061]S117，在第二半导体层17上形成一有机平坦层21并覆盖第三金属层18、19、20。
[0062]S119，制作贯穿有机平坦层21的第二电连接孔。在本实施例中，制作贯穿有机平坦层21的第二电连接孔，包括:在有机平坦层21上定义出用以形成第二连接孔的图形化光刻胶；以所述图形光刻胶为掩膜刻蚀有机平坦层21以形成第二连接孔E，第二连接孔E贯穿有机平坦层21并显露出位于第二区域的第三金属层20。
[0063]S121，在有机平坦层21上形成一阳极层22。在本实施中，形成阳极层22具体包括:在第二连接孔E的底部及周壁和有机平坦层21上形成与第三金属层20连接的第四金属层22，其中，位于有机平坦层21上所形成的第四金属层22即作为阳极层。如此，阳极层22就通过第二连接孔E和第一连接孔D而连接于多晶硅层123。
[0064]S123，在有机平坦层21的上方、阳极27的上方形成一像素定义层23。
[0065]S125，在像素定义层23上形成露出阳极层22的开口 F。在本实施例中，开口 F即作为发光区。
[0066]S127，在所述开口 F内形成像素电极24。在本实施例中，像素电极24为有机发光二极管。
[0067]请参阅图3，其为本发明有机发光二极管显示器在第二实施例中的结构示意图。
[0068]如图3所示，本发明有机发光二极管显示器包括:
[0069]—基底21，在本实施例中，基底21为由玻璃、石英、陶瓷、或塑料形成的绝缘基底，优选地，基底21为玻璃基板。
[0070]一多晶硅层，设于基底21上。在本实施例中，所述多晶硅层划分为位于第一区域的多晶硅层221和位于第二区域的多晶硅层223。
[0071]—栅极绝缘层23，设于基底21上并覆盖所述多晶硅层。在本实施例中，栅极绝缘层23优选为氮化硅层或氧化硅层。
[0072]—第一金属层24，设于栅极绝缘层23上。在本实施例中，部分的第一金属层24是对应地位于多晶硅层223的上方。
[0073]—第一半导体层25，设于栅极绝缘层23上并覆盖第一金属层24。在本实施例中，第一半导体层25为SiNx层。
[0074]—第二金属层26，设于第一半导体层25上。在本实施例中，另外，第二金属层26的材料与第一金属层24的材料相同。
[0075]特别地，部分的第二金属层261是邻近于第一区域并通过位于第一区域且贯穿第一半导体层25的第一电连接孔与多晶硅层221连接并引入初始化电压Vint。具体地:在位于第一区域的多晶硅层221的正上方开设第一连接孔a，第一连接孔a贯穿第一半导体层25，在第一连接孔a的底部及周壁和第一半导体层25上形成第二金属层261，其中，第二金属层26连接于多晶硅层221。
[0076]—第二半导体层27，设于第一半导体层25上并覆盖第二金属层26。在本实施例中，第二半导体层27为SiNx层。
[0077]—有机平坦层30，设于第二半导体层27。
[0078]—阳极层31设于有机平坦层30上，在本实施例中，阳极层31通过位于第二区域、贯穿第二半导体层27和第一半导体层25的第二电连接孔和贯穿有机平坦层30的第三电连接孔而与多晶硅层223连接。具体地:在第二半导体层27、第一半导体层25、以及栅极绝缘层23上开设第二连接孔C，第二连接孔c显露出对应的多晶硅层223，在第二连接孔c的底部及周壁和第二半导体层27上形成第三金属层29 ;在有机平坦层30上开设第三连接孔d，以露出第三金属层29，在第三连接孔d的底部及周壁和有机平坦层30上形成第四金属层31，其中，位于所述有机平坦层上所形成的第四金属层31即可作为阳极层。
[0079]—像素定义层32设于有机平坦层30上并覆盖阳极层31，像素定义层32具有露出阳极层的开口 e。在本实施例中，像素定义层32为亚克力系材料或有机树脂材料。
[0080]像素电极24，设于像素定义层32的开口 e内且覆盖于阳极层31。
[0081]第二实施例中所提供的有机发光二极管显示器，相比于第一实施例，需要增加一道光罩制作第一连接孔a，利用第二金属层26的一部分，将初始电压Vint导入多晶硅层221，这样，初始电压Vint线就与第二区域的阳极层的金属线不会冲突，可以有效避免现有技术中两者相互影响且因产品PPI增加或发光区面积增大而有短路short的风险，相对现有技术可以增加开口面积，提高亮度及寿命。
[0082]针对图3所示的在第二实施例中的有机发光二极管显示器的制造方法可包括以下步骤:
[0083]S201，提供一基底31，在基底31形成一多晶硅层。在本实施例中，在基底31形成多晶硅层具体包括:采用沉积工艺，在基底31沉积多晶硅层，涂敷光刻胶并制作光刻图形，形成位于第一区域的多晶硅层321和位于第二区域的多晶硅层323。
[0084]S203，在基底31和多晶硅层之上形成一栅极绝缘层33。在本实施例中，栅极绝缘层33优选为氮化硅层或氧化硅层。
[0085]S205，在栅极绝缘层33上形成一第一金属层34。在本实施中，形成第一金属层包括:在栅极绝缘层33的上方涂覆一层金属，涂敷光刻胶并制作光刻图形，刻蚀该层金属，形成第一金属层34。
[0086]S207，在栅极绝缘层33和第一金属层34之上形成一第一半导体层35。在本实施例中，第一半导体层35为SiNx层。
[0087]S209，在第一半导体层35上形成一第二金属层36。在本实施中，形成第二金属层36包括:在位于第一区域的第一半导体层35上定义出用以形成第一连接孔的图形化光刻胶，定义的第一连接孔位于所述多晶硅层的上方；以所述图形光刻胶为掩膜刻蚀第一半导体层35和栅极绝缘层33以形成第一连接孔a，第一连接孔a贯穿第一半导体层35和栅极绝缘层33并显露出对应的所述多晶硅层321 ;在第一半导体层35上和第一连接孔a的底部及周壁上涂覆一层金属，涂敷光刻胶并制作光刻图形，刻蚀该层金属，形成第二金属层36，其中，位于第一区域的部分第二金属层361通过第一连接孔a与多晶硅层321连接并引入初始化电压Vint。另外，第二金属层36的材料与第一金属层34的材料相同。
[0088]S311，在第一半导体层35和第二金属层36之上形成一第二半导体层37。在本实施例中，第二半导体层37为SiNx层。
[0089]S313，在第二区域，制作贯穿第二半导体层37和第一半导体层35的第二电连接孔。在本实施例中，制作贯穿第二半导体层37和第一半导体层35的第二电连接孔，包括:在第二半导体层37上定义出用以形成第二连接孔的图形化光刻胶，定义的第二连接孔位于多晶硅层323的上方；以所述图形光刻胶为掩膜刻蚀第二半导体层37、第一半导体层35、以及栅极绝缘层33以形成第二连接孔b、c，第二连接孔b、c贯穿第二半导体层37、第一半导体层35、以及栅极绝缘层33并显露出对应的多晶硅层323。
[0090]S315，在第二连接孔b的底部及周壁和第二半导体层37上形成一第三金属层38，在第二连接孔c的底部及周壁和第二半导体层37上形成第三金属层39。具体地，在第二半导体层37和第二连接孔b、c的底部及周壁上涂覆一层金属，涂敷光刻胶并制作光刻图形，刻蚀该层金属，形成第三金属层38、39。
[0091]S317，在第二半导体层37上形成一有机平坦层40并覆盖第三金属层38、39。
[0092]S319，制作贯穿有机平坦层40的第三电连接孔。在本实施例中，制作贯穿有机平坦层40的第三电连接孔，包括:在有机平坦层40上定义出用以形成第三电连接孔的图形化光刻胶；以所述图形光刻胶为掩膜刻蚀有机平坦层40以形成第三连接孔d，第三连接孔d贯穿有机平坦层40并显露出位于第二区域的第三金属层39。
[0093]S321，在有机平坦层40上形成一阳极层41。在本实施中，形成阳极层41具体包括:在第三连接孔d的底部及周壁和有机平坦层40上形成与第三金属层39连接的第四金属层41，其中，位于有机平坦层40上所形成的第四金属层41即作为阳极层。如此，阳极层41就通过第三连接孔d和第二连接孔c而连接于多晶硅层323。
[0094]S323，在有机平坦层40的上方、阳极27的上方形成一像素定义层42。
[0095]S325，在像素定义层42上形成露出阳极层41的开口 e。在本实施例中，开口 e即作为发光区。
[0096]S327，在所述开口 e内形成像素电极43。在本实施例中，像素电极43为有机发光二极管。
[0097]以上所述的具体实施例，对本发明的解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种有机发光二极管显示器，包括一基底、设于所述基底上的一多晶硅层和一栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的一第一金属层和一第一半导体层、设于所述第一半导体层上的一第二金属层和一第二半导体层、设于所述第二半导体层上的一有机平坦层，其特征在于:部分的所述第二金属层通过贯穿所述第二半导体层和所述第一半导体层的第一电连接孔与所述多晶硅层连接。2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，还包括: 设于所述有机平坦层上的一阳极层和一像素定义层，所述像素定义层具有露出所述阳极层的开口，所述阳极层通过贯穿所述有机平坦层的第二电连接孔以及位于第二区域、与所述第二电连接孔相连的所述第一电连接孔而与所述多晶硅层连接；以及位于所述像素定义层的开口内且覆盖于所述阳极层的像素电极。3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述第一半导体层为SiNx层，所述第二半导体层为SiNx层。4.一种有机发光二极管显示器的制造方法，其特征在于，包括: 提供一基底，在所述基底上形成一多晶硅层和一栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层上形成一第一金属层和一第一半导体层； 在所述第一半导体层上形成一第二金属层和一第二半导体层； 制作贯穿所述第二半导体层和所述第一半导体层的第一电连接孔，部分的所述第二金属层通过所述第一电连接孔与所述多晶硅层连接；以及在所述第二半导体层上形成一有机平坦层。5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器的制造方法，其特征在于，还包括: 制作贯穿所述有机平坦层的第二电连接孔并在所述有机平坦层上形成与所述第二电连接孔相连的一阳极层，所述阳极层通过所述第二电连接孔以及与所述第二电连接孔相连的第一电连接孔而与所述多晶硅层连接； 在所述有机平坦层和所述阳极层上形成一像素定义层，所述像素定义层对应所述阳极层形成露出所述阳极层的开口 ；以及 在所述开口内形成覆盖于所述阳极层的像素电极。6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器的制造方法，其特征在于，在制作贯穿所述第二半导体层和所述第一半导体层的第一电连接孔，部分的所述第二金属层通过所述第一电连接孔与所述多晶硅层连接的步骤中，包括: 制作贯穿所述第二半导体层和所述第一半导体层的第一电连接孔:在所述第二半导体层上定义出用以形成第一连接孔的图形化光刻胶，定义的第一连接孔位于所述多晶硅层的上方；以所述图形光刻胶为掩膜刻蚀所述第二半导体层、所述第一半导体层、以及所述栅极绝缘层以形成第一连接孔，所述第一连接孔贯穿所述第二半导体层、所述第一半导体层、以及所述栅极绝缘层并显露出对应的所述多晶硅层； 制作贯穿所述第二半导体层的电连接孔:在所述第二半导体层上定义出用以形成连接孔的图形化光刻胶，定义的连接孔位于所述第二金属层的上方；以所述图形光刻胶为掩膜刻蚀第二半导体层以形成连接孔，所述连接孔贯穿所述第二半导体层并显露出部分的所述第二金属层；以及 在所述第一连接孔的底部及周壁、所述连接孔的底部及周壁、以及所述第二半导体层上形成第三金属层，使得部分的所述第二金属层通过所述第三金属层与所述多晶硅层连接。7.如权利要求6所述的有机发光二极管显示器的制造方法，其特征在于，在制作贯穿所述有机平坦层的第二电连接孔并在所述有机平坦层上形成与所述第二电连接孔相连的一阳极层的步骤中，包括: 在所述有机平坦层上定义出用以形成第二连接孔的图形化光刻胶； 以所述图形光刻胶为掩膜刻蚀所述有机平坦层以形成第二连接孔，所述第二连接孔贯穿所述有机平坦层并显露出所述第三金属层；以及 在所述第二连接孔的底部及周壁和所述有机平坦层上形成第四金属层，其中，位于所述有机平坦层上所形成的第四金属层作为阳极层。8.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器的制造方法，其特征在于，所述第一半导体层为SiNx层，所述第二半导体层为SiNx层。9.一种有机发光二极管显示器，包括一基底、设于所述基底上的一多晶硅层和一栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的一第一金属层和一第一半导体层、设于所述第一半导体层上的一第二金属层和一第二半导体层、设于所述第二半导体层上的一有机平坦层，其特征在于:部分的所述第二金属层通过贯穿所述第一半导体层的第一电连接孔与所述多晶硅层连接。10.如权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，还包括: 设于所述有机平坦层上的一阳极层和一像素定义层，所述像素定义层具有露出所述阳极层的开口，所述阳极层通过贯穿所述第二半导体层和所述第一半导体层的第二电连接孔和贯穿所述有机平坦层的第三电连接孔而与所述多晶硅层连接；以及位于所述像素定义层的开口内且覆盖于所述阳极层的像素电极。11.如权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述第一半导体层为SiNx层，所述第二半导体层为SiNx层。12.—种有机发光二极管显示器的制造方法，其特征在于，包括: 提供一基底，在所述基底上形成一多晶硅层和一栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层上形成一第一金属层和一第一半导体层； 制作贯穿所述第一半导体层的第一电连接孔并在所述第一半导体层上形成一第二金属层，其中，部分的所述第二金属层通过所述第一电连接孔与所述多晶硅层连接； 在所述第一半导体层和所述第二金属层上形成第二半导体层；以及 在所述第二半导体层上形成一有机平坦层。13.如权利要求12所述的有机发光二极管显示器的制造方法，其特征在于，还包括: 制作贯穿所述第二半导体层和所述第一半导体层的第二电连接孔并在所述第二半导体层上形成一第三金属层，所述第三金属层通过所述第二电连接孔连接于所述多晶硅层；制作贯穿所述有机平坦层的第三电连接孔并在所述有机平坦层上形成与所述第三电连接孔相连的一阳极层，所述第三电连接孔与所述第二电连接孔相连，所述阳极层通过所述第三电连接孔和所述第二电连接孔而与所述多晶硅层连接； 在所述有机平坦层和所述阳极层上形成一像素定义层，所述像素定义层对应所述阳极层形成露出所述阳极层的开口 ；以及 在所述开口内形成覆盖于所述阳极层的像素电极。14.如权利要求13所述的有机发光二极管显示器的制造方法，其特征在于，制作贯穿所述第一半导体层的第一电连接孔并在所述第一半导体层上形成一第二金属层，包括: 在所述第一半导体上定义出用以形成第一连接孔的图形化光刻胶，定义的第一连接孔位于所述多晶硅层的上方； 以所述图形光刻胶为掩膜刻蚀所述第一半导体层和所述栅极绝缘层以形成第一连接孔，所述第一连接孔贯穿所述第一半导体层和所述栅极绝缘层并显露出对应的所述多晶硅层； 在所述第一连接孔的底部及周壁上形成一金属层；以及 在所述第一半导体层上形成一第二金属层，其中，所述第二金属层通过所述第一连接孔处的金属层而连接于所述多晶硅层。15.如权利要求14所述的有机发光二极管显示器的制造方法，其特征在于， 制作贯穿所述第二半导体层和所述第一半导体层的第二电连接孔并在所述第二半导体层上形成一第三金属层，包括: 在所述第二半导体层上定义出用以形成第二连接孔的图形化光刻胶； 以所述图形光刻胶为掩膜刻蚀所述第二半导体层、所述第一半导体层、以及所述栅极绝缘层以形成第二连接孔，所述第二连接孔贯穿所述第二半导体层、所述第一半导体层、以及所述栅极绝缘层并显露出对应的所述多晶硅层；以及 在所述第二连接孔的底部及周壁和所述第二半导体层上形成一第三金属层； 其中，在制作贯穿所述有机平坦层的第三电连接孔并在所述有机平坦层上形成与所述第三电连接孔相连的一阳极层的步骤中，包括: 在所述有机平坦层上定义出用以形成第三连接孔的图形化光刻胶； 以所述图形光刻胶为掩膜刻蚀所述有机平坦层以形成第三连接孔，所述第三连接孔贯穿所述有机平坦层并显露出所述第三金属层；以及 在所述第三连接孔的底部及周壁和所述有机平坦层上形成一第四金属层，其中，位于所述有机平坦层上所形成的第四金属层作为阳极层。16.如权利要求12所述的有机发光二极管显示器的制造方法，其特征在于，所述第一半导体层为SiNx层，所述第二半导体层为SiNx层。
【文档编号】H01L51/56GK105990398SQ201510083815
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年2月16日
【发明人】曾迎祥
【申请人】上海和辉光电有限公司