技术编号:3245794
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于薄膜后处理领域,具体来说,涉及一种制备大面积双面 铊系薄膜的退火方法。背景技术近几年来,高临界温度氧化物超导薄膜及其器件的研究取得了突飞 猛进的发展。许多器件和子系统已走出实验室进入实际应用领域,已有 数千台移动通信使用高温超导滤波器的接收机前端。高质量的大面积双 面高温超导薄膜是制备工作在微波低频端具有带边陡峭度很高和插入损 耗很低的高温超导微波器件的必要条件之一。至今,制备高温超导薄膜的技术大致可以分为两大类原位制备技术和后退火制备技术。原位...
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