技术编号:32463214
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种内绝缘结构的igbt结构及其工艺技术领域.本发明涉及igbt技术领域,具体涉及一种内绝缘结构的igbt结构。背景技术.目前,我国新型电力电子器件主要有vdmos及igbt类器件,igbt具有mos输入、双极输出功能,载流密度大、耐压高和功率mosfet驱动功率小、开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好的优点于一身。自问世以来,很快发展成为中高功率电力电子领域的主流功率开关器件,由于igbt内存在寄生三极管,在igbt导通时,寄生三极管具有一定的导通的几率,在寄生三极管导通后会极大增加了igb...
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