技术编号：3249279
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于真空处理系统的气体分配系统，并且更具体而言，涉 及用于将处理气体引入真空处理系统中的气体分配系统。背景技术在半导体处理期间，可以利用(干法)等离子体刻蚀工艺沿着被图案 化在硅衬底上的精细线路或在被图案化在硅衬底上的过孔或接触内去除或 刻蚀材料。等离子体刻蚀工艺通常涉及将具有位于其上的图案化保护掩模 层(例如光刻胶层)的半导体衬底放置在处理室中。一旦衬底被放置在室中，在对真空泵进行节流控制以实现环境处理压 力的同时，将可电离的离解气体混合物以预...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。