专利名称：减少污染物的气体注入系统及其使用方法
技术领域：
本发明涉及用于真空处理系统的气体分配系统，并且更具体而言，涉 及用于将处理气体引入真空处理系统中的气体分配系统。
背景技术：
在半导体处理期间，可以利用(干法)等离子体刻蚀工艺沿着被图案 化在硅衬底上的精细线路或在被图案化在硅衬底上的过孔或接触内去除或 刻蚀材料。等离子体刻蚀工艺通常涉及将具有位于其上的图案化保护掩模 层(例如光刻胶层)的半导体衬底放置在处理室中。
一旦衬底被放置在室中，在对真空泵进行节流控制以实现环境处理压 力的同时，将可电离的离解气体混合物以预定流率引入到室中。此后，当 通过经由射频(RF)功率以电感或电容方式的传输或者经由利用例如电子 回旋共振(ECR)的微波功率所加热的电子来使所存在的气体物质的一部 分电离时，形成等离子体。另外，被加热的电子用于使环境气体物质中的 一些物质离解并产生适于暴露表面化学刻蚀的一种(或多种)反应物质。
一旦形成了等离子体，就由等离子体刻蚀衬底的被选择的表面。调节
该工艺以实现合适的条件以在衬底的被选择区域中刻蚀各种特征结构(例 如，沟槽、过孔、端子等)，所述合适的条件包括合适的期望反应物和离 子群的浓度。需要刻蚀的这些衬底材料包括二氧化硅(Si02)、低介电常 数(即，低k)的介电材料、多晶硅和氮化硅。
虽然处理气体化学剂被选择来促进衬底表面处的刻蚀过程，但是其将处理室的内表面置于苛刻的环境。处理气体可以包括腐蚀性气体，其可能 损坏处理室的部件，并可能导致对衬底的污染，由此降低了集成电路 (IC)制造的产率。
发明内容
本发明涉及一种用于处理衬底的系统，并且涉及一种使用处理气体处 理衬底的系统。
根据一个实施例，描述了一种利用腐蚀性气体对衬底执行刻蚀工艺的 处理系统，其中，用于分布腐蚀性气体的气体分配系统被设计来在衬底上 方均一地分配处理气体，同时最小化对衬底的污染。
根据另一个实施例，描述了一种处理系统，其包括处理室，所述处理 室包含处理空间。处理气体供应系统与所述处理室流体连通并被构造来将 处理气体流引入到所述处理室。气体分配系统耦合到所述处理室并被构造 来通过入口接收所述处理气体流，并且在充气腔内将所述处理气体流分配 到与所述处理空间流体连通的多个开口 。所述气体分配系统包含位于到所 述系统分配系统的所述入口处的并被构造来将所述处理气体流的动量扩散 到所述充气腔中的处理气体扩散器。支座耦合到所述处理室并被配置来支 撑所述处理室中的暴露于所述处理气体的衬底。真空泵系统耦合到所述处 理室并被配置来抽空所述处理室。
在附图中
图1A-图1C示出了用于图案刻蚀薄膜的工艺过程的示意性表示；
图2示出了根据本发明的实施例的等离子体处理系统的示意图3示出了根据本发明的另一实施例的等离子体处理系统的示意图4示出了根据本发明的另一实施例的等离子体处理系统的示意图5示出了根据本发明的另一实施例的等离子体处理系统的示意图6A和6B示出了根据本发明的另一实施例的气体分配系统；
图7A和7B示出了根据本发明的另一实施例的气体分配系统；以及图8示出了根据本发明的另一实施例的气体分配系统。
具体实施例方式
在下面的描述中，为了帮助对本发明的全面理解并且出于说明而非限 制的目的，阐述了具体细节，例如处理系统的特定几何形状以及各种工艺 的描述。然而，应当理解，在脱离这些具体细节的其他实施例中也可实施 本发明。
在材料处理方法中，图案刻蚀包括将光敏材料(例如光刻胶)的薄层 涂覆到衬底的上表面，其随后被图案化以提供用于在刻蚀期间将此图案转 移到其下的位于衬底上的薄膜的掩模。光敏材料的图案化通常涉及使用例 如微光刻系统由辐射源通过光敏材料的光罩(和相关光学元件)进行曝 光，随后使用显影溶剂去除光敏材料的被辐射区域(如在正性刻胶的情况 下)或未被辐射区域(如在负性光刻胶的情况下)。
例如，如图1A至1C所示，可以利用包括具有图案2的光敏层3的掩 模(例如图案化的光刻胶)将特征图案转移到衬底5上的诸如薄膜4的材 料(例如多晶硅层)中。例如使用干法等离子体刻蚀将图案2转移到薄膜 4以形成特征结构6 (诸如多晶硅栅极)，并在刻蚀完成时去除掩模3。传 统地，干法刻蚀工艺包括使用诸如含卤素气体(例如，HBr、 Cl2、 NF3 等)的腐蚀性处理气体。发明人已经观察到使用这样的气体可能导致由气 体分配系统引起的颗粒污染。通常，气体分配系统的内腔包含裸露的金属 表面，其易于受到上述处理气体的侵蚀。
根据一个实施例，图2中描绘了处理系统1，其包括等离子体处理室 10、将被处理的衬底25固定在其上的衬底支座20以及真空泵系统50。衬 底25可以是半导体衬底、晶片或液晶显示器。等离子体处理室IO可以被 构造来适用于在衬底25的表面附近的处理区域45中产生等离子体。可电 离气体或者处理气体的混合物经由气体分配系统40被引入，所述气体分 配系统40被构造来减少或者最小化到衬底25的污染物引入。对于给定的 处理气体流量，利用真空泵系统50调节处理压强。等离子体可以用于产 生专用于预定材料处理的材料，和/或辅助从衬底25的暴露表面去除材料。等离子体处理系统la可以被构造来处理任何期望尺寸的衬底，诸如 200mm衬底、300 mm衬底或更大的衬底。
衬底25可以经由夹持系统28 (诸如机械夹持系统或电夹持系统(例 如静电夹持系统))固定到衬底支座20。此外，衬底支座20可以包括加 热系统(没有示出)或冷却系统(没有示出)，其被构造来调节和/或控制 衬底支座20和衬底25的温度。加热系统或冷却系统可以包括循环的传热 流体流，其在冷却时从衬底支座20接收热并将热传递到热交换器系统 (没有示出)，或者当加热时将热从热交换器系统传递到衬底支座20。在 其它实施例中，加热/冷却元件，诸如电阻加热元件或者热电加热器/冷却 器，可以被包含在衬底支座20中，以及包含在等离子体处理室10的室壁 和等离子体处理系统la中的任何气体部件中。
此外，传热气体可以经由背面气体供应系统26被传送到衬底25的背 面，以提高衬底25和衬底支座20之间的气隙热传导。当需要在升高温度 下或降低温度下的衬底温度控制时，可以使用这样的系统。例如，背面气 体供应系统可以包含两区气体分配系统，其中氦气隙压强可以在衬底25 的中心和边缘之间独立变化。
在图2所示的实施例中，衬底支座20可以包括电极，RF功率通过该 电极被耦合到处理空间45中的处理等离子体。例如，衬底支座20可以经 由从RF发生器30通过可选的阻抗匹配网络32发送到衬底支座20的RF 功率电偏置在某一 RF电压。RF偏置可用来加热电子以形成并维持等离子 体。在此构造中，系统可以运行为反应性离子刻蚀(R正)反应器，其中 室和上部气体注入电极充当地表面。RF偏置的一般频率可以从约O.l MHz 到约lOOMHz。用于等离子体处理的RF系统是本领域技术人员公知的。
或者，RF功率以多个频率被施加到衬底支座电极。此外，阻抗匹配 网络32可以通过减少反射功率提高到等离子体处理室10中的等离子体的 RF功率传输。匹配网络拓扑(例如，L型、tc型、T型等)和自动控制方 法是本领域技术人员公知的。
真空泵系统50可以包括能够具有高达5000公升每秒(和更高)的泵 吸速度的涡轮分子真空泵(TMP)和用于节流控制室压强的门阀。在用于干法等离子体刻蚀的常规等离子体处理装置中，可以使用1000-3000公升 每秒的TMP。 TMP可用于通常小于约50 mTorr的低压处理。对于高压处 理(即大于约lOOOmTorr)，可以使用机械加压泵和干粗抽泵。此外，用 于监控室压强的装置(没有示出)可以被耦合到等离子体处理室10。压强 测量装置可以例如是可从MKS Instruments, Inc. (Andover MA)商购的628B Baratron型绝对电容压力计。
控制器55包含微处理器、存储器和数字I/O端口 ，数字I/O端口能够 生成足以传输并激活等离子体处理系统la的输入以及监视来自等离子体处 理系统la的输出的控制电压。而且，控制器55可以耦合到RF发生器 30、阻抗匹配网络32、气体分配系统40、真空泵系统50以及衬底加热/冷 却系统(没有示出)、背面气体传输系统28和/或静电夹持系统26，并与 之交换信息。例如，存储在存储器中的程序可以被用于根据工艺方案激活 到等离子体处理系统la的前述部件的输入，以对衬底25进行等离子体辅 助工艺。控制器55的一个示例是可以从Texas, Dallas的Dell Corporation 获得的DELL PRECISION WORKSTATION 610TM。
控制器55可以位于等离子体处理系统la本地，或者可以相对于处理 系统la位于远程。例如，控制器55可以利用直接连接、内联网和/或因特 网与等离子体处理系统la交换数据。控制器55可以耦合到例如客户位置 (即，器件制作者等)处的内联网，或者耦合到例如供应商位置(即，设 备制造商)处的内联网。或者或此外，控制器55可以耦合到互联网。此 外，另一计算机(即，控制器、服务器等)可以经由直接连接、内联网和/ 或因特网访问控制器55以交换数据。
在图3所示的实施例中，等离子体处理系统lb可以与图2的实施例相 似，并且除了参考图2所描述的部件之外，还包含固定的或者机械或电旋 转磁场系统60，以潜在地增大等离子体密度和/或提高等离子体处理均一 性。而且，控制器55可以耦合到磁场系统60，以调节旋转速度和场强。
旋转磁场的设计和实现是本领域技术人员公知的。
在图4所示的实施例中，等离子体处理系统lc可以与图2或图3的实 施例相似，并且还可以包含上电极70，其中，RF功率可以从RF发生器72通过可选的阻抗匹配网络74耦合到上电极70。向上电极施加的RF功 率的频率可以从约O.l MHz到约200 MHz。此外，向下电极施加的功率的 频率可以从约0.1 MHz到约100 MHz。而且，控制器55耦合到RF发生器 72和阻抗匹配网络74，以控制到上电极70的RF功率的施加。上电极的 设计和实现是本领域技术人员公知的。如图所示，上电极70和气体分配 系统40可以被设计在同一室组件中。
在图5所示的实施例中，在图5所示的实施例中，等离子体处理系统 ld可以与图2和图3的实施例相似，并且还可以包含感应线圈80，其中， RF功率经由RF发生器82通过可选的阻抗匹配网络84耦合到感应线圈 80。 RF功率从感应线圈80通过介电窗(没有示出)感应耦合到等离子体 处理区域45。向感应线圈80施加的RF功率的频率可以从约10 MHz到约 100 MHz。类似地，向卡盘电极施加的功率的频率可以从约0.1 MHz到约 lOOMHz。此外，狭缝法拉第屏蔽(没有示出)可以被用于减少感应线圈 80和等离子体之间的电容耦合。而且，控制器55可以耦合到RF发生器 82和阻抗匹配网络84，以控制到感应线圈80的功率的施加。在替代实施 例中，感应线圈80可以是从上方与等离子体处理区域45通信的"螺旋" 线圈或"薄饼"线圈，如同在变压器耦合等离子体(TCP)反应器中一 样。感应耦合等离子体(ICP)源或者变压器耦合等离子体(TCP)源的设 计和实现是本领域技术人员公知的。
或者，等离子体可以利用电子回旋共振(ECR)来形成。在另一个实 施例中，等离子体由螺旋波(Helicon wave)的发射来形成。在另一个实 施例中，等离子体由传播表面波来形成。上述的各种等离子体源是本领域 技术人员公知的。
在下面的讨论中，描述用于将处理气体引入真空处理系统的气体分配 系统。气体分配系统可以例如用于(如标号40所示出的)图2-5中所述的 等离子体处理系统中的任意一个中，或者用于具有图2-5的系统中的特征 的任意组合的等离子体处理系统中。
现在参考图6A和6B，描述根据一个实施例的气体分配系统100。气 体分配系统100被构造来耦合到处理室，并通过气体供应入口 110接收来自处理气体供应系统的处理气体流，并在充气腔132内将处理气体流分配
到多个与处理室中的处理空间流体连通的开口 138。此外，气体分配系统 100包含位于到气体扩散系统100的入口 110处的处理气体扩散器120，其 中处理气体扩散器120被构造来将处理气体流的动量扩散到充气腔132 中，使得处理气体以充气腔压强的非均一性被减小的方式分配到多个开口 138中的每一个。
如图6A所示，气体分配系统100可以包含被构造来耦合到处理室的 上组件140。上组件140可以或可以不包含电极组件。上组件140可以耦 合到电接地，如图2， 3和5，或者上组件140可以耦合到电源，如图4 (标号70)。上组件140可以包含具有第一板142和第二板144的电极组 件，气体供应入口 110穿过第一板142形成，第二板144耦合到第一板 142，其中，第一板和第二板的组合被构造来将处理气体扩散器120保持 在形成在第二板144中的支撑架148和第一板142的表面146之间。真空 密封装置，诸如弹性体O型圈，可以用于提供第一板142、第二板144和 处理气体扩散器120之间的真空密封。或者，包括处理气体扩散器120在 内的组件140可以包含单件构件。
此外，气体分配系统IOO包含耦合到上组件140并且构造来接收来自 处理气体扩散器120的处理气体流的气体注入系统130。气体注入系统 130包含壳体134和耦合到壳体134的气体分配板136，其中气体分配板 136包含多个开口 138，所述多个开口 138适用于来自充气腔132的处理气 体均一地流到处理室中的处理空间。
如图6B所示，处理气体扩散器120包含唇缘129，所述唇缘129被构 造来由第二板144中的支撑架148承受，并且处理气体扩散器120还包 含扩散器入口 122，其被构造来与气体供应入口 110配合；扩散器出口 124，其被构造来与气体注入系统130中的充气腔132耦合；以及渐扩通 道126，其从扩散器入口 122延伸到扩散器出口 124。渐扩通道126可以 包含锥形通道，其中扩散器壁128的半角小于或等于约20度。理想地， 扩散器壁128的半角小于或等于约18度，并且更理想地，扩散器壁128的 半角小于或等于约15度。如图6B所示，扩散器出口 124处的出口面积大于扩散器入口 122处的入口面积。当出口面积是入口面积的2倍大时，与 处理气体流对气体分配板136的冲击相关的压力恢复减小4倍。当出口面 积是入口面积的4倍大时，与处理气体流对气体分配板136的冲击相关的 压力恢复减小16倍。
气体分配板136中的多个开口 138的数量可以为1个开口到约1000个 开口，并且理想地，其数量可以从约IO个开口到约100个开口。气体分 配板136可以设计有多个开口 138，每一个开口具有约0.5mm到约10mm 的直径，并且理想地，从约0.5mm到约2mm的直径。或者，气体分配板 136可以设计有多个开口 138，每一个开口具有约1 mm到约20 mm的长 度，并且理想地，从约lmm到约3mm的长度。
通过使用处理气体扩散器120并且不将多个开口 138中的一个或多个 定位成直接与扩散器出口 124相对，充气腔132中的压强变化可以被减 小，特别是在扩散器出口 124附近，并且可以减少处理气体通过多个开口 138的不均一通量的可能性。因此，充气腔高度可以被减小，并且可以省 略常规使用的位于充气腔132内处于充气腔132的入口面和气体分配板 136之间的挡流板，从而可以减小气体注入系统130的整体厚度。气体注 入系统130可以由介电材料制造。充气腔高度可以被设计成小于约5 mm，并且理想地，充气腔高度可以被设计为小于约3mm。
包括上组件140、处理气体扩散器120和气体注入系统130在内的气 体分配系统IOO可以由金属，诸如铝或阳极化铝，或者陶瓷制造。这些部 件中的任意一种可以由石英、硅、氮化硅、碳化硅、氧化铝、氮化铝、蓝 宝石、碳等，或者由其中两种或更多种的任意组合来制造。此外，这些部 件中任意一种，诸如这些部件的内表面，可以涂覆包括A1203、 Sc203、 Sc2F3、 YF3、 La203、 Y203或Dy03在内的材料。或者，这些表面可以涂覆 第III族元件。
在一个实例，上组件140由表面阳极化或没有表面阳极化的铝制造。 上组件140可以充当电极组件，并且其可以被耦合到电功率源，诸如射频 (RF)功率源。气体注入系统130可以由诸如石英的介电材料制造，以允 许RF功率从上组件140通过气体注入系统130耦合到处理空间中的处理气体。此外，处理气体扩散器120可以由诸如石英的介电材料制造。当处
理气体包含诸如HBr、 Cl2、 NF3等的腐蚀性气体时，处理气体扩散器120 和气体注入系统130可以由石英制造，以使得处理室中的衬底的污染最小 化。
现在参考图7A和7B，描述根据另一个实施例的气体分配系统200。 气体分配系统200可以与图6A的实施例相似，其中相似的标号表示相似 的部件。气体分配系统200被构造来耦合到处理室，并通过气体供应入口 110接收来自处理气体供应系统的处理气体流，并在充气腔132内将处理 气体流分配到多个与处理室中的处理空间流体连通的开口 138。此外，气 体分配系统200包含位于到气体扩散系统200的入口 110处的处理气体扩 散器220，其中处理气体扩散器220被构造来将处理气体流的动量扩散到 充气腔132中，使得处理气体以充气腔压强的非均一性被减小的方式分配 到多个开口 138中的每一个。
如图7B所示，处理气体扩散器220包含唇缘229，所述唇缘229被构 造来由第二板144中的支撑架148承受，并且处理气体扩散器220还包 含扩散器入口 222，其被构造来与气体供应入口 110配合；扩散器出口 224，其被构造来与气体注入系统130中的充气腔132耦合；以及渐扩通 道226，其从扩散器入口 222延伸到扩散器出口 224。处理气体扩散器220 还包含具有一个或多个喷嘴的位于扩散器出口 224处的喷嘴板228。渐扩 通道226可以包含从扩散器入口 222到扩散器出口 224逐渐变化的橫截 面，如图6B所示；或者渐扩通道可以包含从入口部分223到出口部分225 突变的横截面，如图7B所示。例如，入口部分223的入口直径可以突然 增大到出口部分225的出口直径。
现在参考图8,描述根据另一个实施例的气体分配系统300。气体分 配系统300被构造来耦合到处理室，并通过气体供应入口 310接收来自处 理气体供应系统的处理气体流，并在充气腔332内将处理气体流分配到多 个与处理室中的处理空间流体连通的开口 338。此外，气体分配系统300 包含位于到气体扩散系统300的入口 310处的处理气体扩散器320，其中 处理气体扩散器320被构造来将处理气体流的动量扩散到充气腔332中，使得处理气体以充气腔压强的非均一性被减小的方式分配到多个开口 338
中的每一个。
如图8所示，气体分配系统300可以包含被构造来耦合到处理室的上 组件340。上组件340可以或可以不包含电极组件。上组件340可以耦合 到电接地，如图2， 3禾B5，或者上组件340可以耦合到电源，如图4(标 号70)。例如，上组件340可以包含具有第一板342和第二板344的电极 组件，气体供应入口 310穿过第一板342形成，第二板344耦合到第一板 342，其中，第一板和第二板的组合被构造来将处理气体扩散器320保持 在形成在第二板344中的支撑架348和第一板342的表面343之间。真空 密封装置，诸如弹性体O型圈，可以用于提供第一板342、第二板344和 处理气体扩散器320之间的真空密封。或者，包括处理气体扩散器320在 内的组件340可以包含单件构件。
此外，气体分配系统300包含与上组件340形成一体并且构造来接收 来自处理气体扩散器320的处理气体流的气体注入系统330。气体注入系 统330包含形成在第二板344中的凹部334和耦合到第二板344的气体分 配板336，其中气体分配板336包含多个开口 338，所述多个开口 338适 用于来自充气腔332的处理气体均一地流到处理室中的处理空间。处理气 体扩散器320可以包含图6B所示的处理气体扩散器120，或者其可以包含 如图7B所示的处理气体扩散器220。
气体分配板336中的多个开口 338的数量可以为l个开口到约IOOO个 开口，并且理想地，其数量可以从约IO个开口到约IOO个开口。气体分 配板336可以设计有多个开口 338，每一个开口具有约0.5mm到约10 mm 的直径，并且理想地，从约0.5mm到约2mm的直径。或者，气体分配板 336可以设计有多个开口 338，每一个开口具有约1 mm到约20 mm的长 度，并且理想地，从约1 mm到约3 mm的长度。
通过使用处理气体扩散器320并且不将多个开口 338中的一个或多个 定位成直接与扩散器出口相对，充气腔332中的压强变化可以被减小，特 别是在扩散器出口附近，并且可以减少处理气体通过多个开口 338的不均 一通量的可能性。此外，充气腔高度可以被减小，并且可以省略常规使用的位于充气腔332内处于充气腔332的入口面和气体分配板336之间的挡 流板，从而可以减小气体注入系统330的整体厚度。气体注入系统330可 以由介电材料制造。充气腔高度可以被设计成小于约5 mm，并且理想 地，充气腔高度可以被设计为小于约3mm。
包括上组件140、处理气体扩散器320和气体注入系统330在内的气 体分配系统300可以由金属，诸如铝或阳极化铝，或者陶瓷制造。这些部 件中的任意一种可以由石英、硅、氮化硅、碳化硅、氧化铝、氮化铝、蓝 宝石、碳等，或者由其中两种或更多种的任意组合来制造。此外，这些部 件中任意一种，诸如这些部件的内表面，可以涂覆包括A1203、 Sc203、 Sc2F3、 YF3、 La203、 丫203或Dy03在内的材料。
在一个实例，上组件340由表面阳极化或没有表面阳极化的铝制造。 上组件340可以充当电极组件，并且其可以被耦合到电功率源，诸如射频 (RF)功率源。气体分配板336可以由诸如石英的介电材料制造，或者其 可以由铝或阳极化铝制造，以允许RF功率从上组件340耦合到处理空间 中的处理气体。此外，处理气体扩散器320可以由诸如石英的介电材料制 造。例如，当处理气体包含诸如HBr、 Cl2、 NF3等的腐蚀性气体时，处理 气体扩散器320可以由石英制造，以使得处理室中的衬底的污染最小化， 并且凹部334和气体分配板336的内部表面可以被涂层。可选地，可以使 用牺牲气体分配板337，其具有多个与气体分配板336中的多个开口 338 对齐的通孔。牺牲气体分配板337可以由石英、硅、氮化硅、碳化硅、氧 化铝、氮化铝等制造。
虽然上面仅仅详细描述了本发明的某些实施例，但是本领域技术人员 将容易地想到在实施例中可以有各种改进，而不会实质性偏离本发明的新 颖的教导和优点。因此，所有这样的修改被包括在本发明的范围内。
权利要求
1. 一种处理系统，包括处理室，其包含处理空间；处理气体供应系统，其与所述处理室流体连通并被构造来将处理气体流引入到所述处理室；气体分配系统，其耦合到所述处理室并被构造来通过入口接收所述处理气体流，并且在充气腔内将所述处理气体流分配到与所述处理空间流体连通的多个开口，其中所述气体分配系统包含处理气体扩散器，所述处理气体扩散器位于到所述系统分配系统的所述入口处并被构造来将所述处理气体流的动量扩散到所述充气腔中；支座，其耦合到所述处理室并被配置来支撑所述处理室中的暴露于所述处理气体的衬底；以及真空泵系统，其耦合到所述处理室并被配置来抽空所述处理室。
2. 如权利要求1所述的处理系统，其中，所述处理气体扩散器包含渐 扩通道，所述渐扩通道具有耦合到所述处理气体供应系统的出口的入口和 耦合到所述充气腔的出口，并且其中，所述出口包含大于所述入口的开口 的开口。
3. 如权利要求2所述的处理系统，其中，所述渐扩通道包括半角小于 或等于约20度的锥形通道。
4. 如权利要求2所述的处理系统，其中，所述渐扩通道包括半角小于 或等于约18度的锥形通道。
5. 如权利要求2所述的处理系统，其中，所述渐扩通道包括半角小于 或等于约15度的锥形通道。
6. 如权利要求2所述的处理系统，其中，所述处理气体扩散器还包含 处于所述渐扩通道的所述出口处的喷嘴板。
7. 如权利要求6所述的处理系统，其中，所述渐扩通道包含具有入口 直径的圆柱形入口和具有出口直径的圆柱形出口 ，所述出口直径大于所述 入口直径。
8. 如权利要求7所述的处理系统，其中，所述入口直径阶跃到所述出 口直径。
9. 如权利要求1所述的处理系统，还包含布置在所述气体分配系统的至少一个内表面上的涂层。
10. 如权利要求9所述的处理系统，其中所述涂层是阳极层。
11. 如权利要求9所述的处理系统，其中所述涂层包含至少一种第III 族元素。
12. 如权利要求9所述的处理系统，其中所述涂层包含包括A1203、 Sc203、 Sc2F3、 YF3、 La203、 丫203和Dy03在内的材料。
13. 如权利要求1所述的处理系统，其中所述气体分配系统由其上具 有涂层的铝形成。
14. 如权利要求1所述的处理系统，其中所述气体分配系统由石英、 氧化铝、氮化铝、蓝宝石、硅、氮化硅、碳化硅或碳，或者上述两种或更 多种的组合形成。
15. 如权利要求1所述的处理系统，其中所述气体分配系统由介电材 料形成。
16. 如权利要求15所述的处理系统，还包含 上电极，其耦合到所述处理室并与所述支座相对布置，其中，所述上电极耦合到射频(RF)发生器，并被构造来通过将RF 功率从所述RF发生器耦合到所述处理气体来在所述处理空间中形成等离 子体，以及其中，所述气体分配系统布置在所述上电极和所述支座之间。
17. 如权利要求16所述的处理系统，其中所述气体分配系统由石英、 氧化铝、氮化铝、蓝宝石、硅、氮化硅、碳化硅或碳，或者上述两种或更 多种的组合形成。
18. 如权利要求16所述的处理系统，其中所述充气腔包含高度小于或 等于约5mm的圆柱形容积。
19. 如权利要求16所述的处理系统，其中所述充气腔包含高度小于或 等于约3mm的圆柱形容积。
全文摘要
一种气体注入系统，其包含将处理器体分配在处理室中的扩散器。该气体注入系统可以用于涉及腐蚀性处理气体的多晶硅刻蚀系统。
文档编号C23C16/00GK101460655SQ200780020347
公开日2009年6月17日 申请日期2007年1月25日 优先权日2006年3月30日
发明者亚瑟·H·小拉弗拉弥, 榎本隆, 浦川理史, 滨元新二, 爱德华·海勒, 萩原正明, 高明辉 申请人:东京毅力科创株式会社