技术编号：3249389
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在腔室内、从喷淋头喷出包含TiCU气体这样的氯化金 属化合物气体的处理气体，在腔室内配置的被处理基板的表面上形成 金属膜或金属化合物膜的成膜方法，实施这种成膜方法的腔室内的清 洁方法和成膜装置。背景技术在半导体器件的制造工序中，在作为被处理基板的半导体晶片(以 下简称为晶片)上进行成膜处理、蚀刻处理等各种气体处理。这种气 体处理通过将晶片收容在腔室内，使腔室内减压，并从设置在腔室上 部的喷淋头，供给反应性气体(腐蚀性气体)、例如包含C1、 F等卤...
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