技术编号:3251540
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及基板处理方法、基板处理程序及存储介质,特别涉及向对表面实施处理的基板的背面供给氦气的基板处理方法。背景技术 在现有技术中,在等离子体处理装置的处理室(下面称作腔室)内,将基板装载在具有冷却机构的装载台上,对该基板实施等离子体处理。在对基板实施等离子体处理的过程中,向装载台与基板的背面之间供给传热气体,例如氦气(He),通过该氦气在装载台传递基板的热量,来控制基板的温度(例如,参照专利文献1)。氦气从设置在装载台下方的传热气体供给装置(背压力单元)...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。