专利名称：基板处理方法、基板处理程序及存储介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及基板处理方法、基板处理程序及存储介质，特别涉及向对表面实施处理的基板的背面供给氦气的基板处理方法。
背景技术：
在现有技术中，在等离子体处理装置的处理室(下面称作腔室)内，将基板装载在具有冷却机构的装载台上，对该基板实施等离子体处理。在对基板实施等离子体处理的过程中，向装载台与基板的背面之间供给传热气体，例如氦气(He)，通过该氦气在装载台传递基板的热量，来控制基板的温度(例如，参照专利文献1)。
氦气从设置在装载台下方的传热气体供给装置(背压力单元)而被供给，但是，为了维持传热性而以预定的流量和压力供给氦气。因此，现有技术的传热气体供给装置除具有配管和氦气供给源外，还具有用于氦气供给流量控制和压力控制的MFC(质量流控制器)以及PCV(压力控制阀)。该MFC和PCV根据规定等离子体处理中的气体流量和压力的菜单(下面称作方案)，来调整氦气的流量和压力。
此外，当从装载台上移出基板时，氦气供给源中止氦气的供给，并降低配管内的压力。因此，在将新基板装载到装载台并实施等离子体处理时，需要使配管内的压力提高至方案中所规定的预定压力。
近年来，从提高生产率的观点出发，试图缩短在等离子体处理中的各工序所需时间。就增加上述配管内的压力而言，在将基板装载到装载台上后，在等离子体处理之前，以比方案中所规定的预定流量多的流量向配管内供给氦气，即适用加速程序(sequence)。这样，就缩短了使传热气体供给装置中的配管压力增加所需的时间。
在该加速程序中，根据方案中所规定的氦气的预定压力的绝对值来设定氦气的增加流量。即，在加速程序中，以使配管内的压力从零提高至预定的压力作为前提条件来设定氦气的增加流量。
专利文献1日本特开2002-252271号公报但是，因为在配管内通常残留有在之前实施的等离子体处理中所供给的氦气等，所以，在开始加速程序时刻的配管内的压力不一定为零。
因此，根据方案中所规定的氦气的预定压力的绝对值而设定的氦气的增加流量，相对于为达到方案中所规定的氦气的预定压力而需要的流量有过剩，由此，产生了配管内压力超过预定的压力等，传热气体供给装置的控制性恶化这样的问题。
此外，这种传热气体供给装置的控制性的恶化会延迟达到预定的压力，结果，导致生产率的降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够防止传热气体供给装置的控制性恶化的基板处理方法、基板处理程序及存储介质。
为了实现上述目的，本发明第一方面的基板处理方法，是在基板处理装置中对上述基板实施预定处理的基板处理方法，该基板处理装置包括收容基板的处理室、配置在该处理室内并且装载上述基板的装载台、调整上述装载台温度的温度调整装置、和具有配管并且向上述装载台与上述基板之间供给传热气体的传热气体供机构，其特征在于，该方法包括测定上述配管内压力的配管压力测定工序；根据上述被测定的配管内压力与在上述预定的处理中作为配管内的压力所规定的预定压力的压力差，设定在上述配管内流动的上述传热气体的流量的传热气体流量设定工序；以被设定的流量，使上述传热气体在上述配管内流动的传热气体流量控制工序；和对上述基板实施上述预定处理的基板处理工序。
为了实现上述目的，本发明第二方面的基板处理程序，是一种由计算机执行基板处理方法的基板处理程序，所述基板处理方法是在包括收容基板的处理室、配置在该处理室内并且装载上述基板的装载台、调整该装载台温度的温度调整装置、和具有配管并向上述装载台与上述基板之间供给传热气体的传热气体供机构的基板处理装置中对上述基板实施预定处理的基板处理方法，其中，所述基板处理程序的特征在于，包括测定上述配管内压力的配管压力测定模块；根据上述被测定的配管内的压力与在上述预定的处理中作为配管内的压力所规定的预定压力的压力差，设定在上述配管内流动的上述传热气体的流量的传热气体流量设定模块；以被设定的流量，使上述传热气体在上述配管内流动的传热气体流量控制模块；和对上述基板实施上述预定处理的基板处理模块。
本发明第三方面的基板处理程序的特征在于在本发明第二方面所述的程序中，上述压力差和在上述配管中流动的上述传热气体的流量被对应地列于表中，上述传热气体流量设定模块根据上述表来设定配管中流动的上述传热气体的流量。
本发明第四方面的基板处理程序的特征在于在本发明第二或者第三方面所述的基板处理程序中，上述传热气体流量控制模块只在预定的时间内，以上述被设定的流量使上述传热气体在上述配管中流动。
本发明第五方面的基板处理程序的特征在于在本发明第四方面所述的基板处理程序中，上述预定的时间与上述压力差被对应地列于上述表中。
为了实现上述目的，本发明第六方面的存储介质，是一种存储基板处理程序的计算机可读取存储介质，该基板处理程序由计算机执行在基板处理装置中对上述基板实施预定处理的基板处理方法，该基板处理装置包括收容基板的处理室、配置在该处理室内并且装载上述基板的装载台、调整该装载台温度的温度调整装置、和具有配管并向上述装载台与上述基板之间供给传热气体的传热气体供机构，上述基板处理程序的特征在于，包括测定上述配管内压力的配管压力测定模块；根据上述被测定的配管内的压力与在上述预定的处理中作为配管内的压力所规定的预定压力的压力差，来设定在上述配管内流动的上述传热气体的流量的传热气体流量设定模块；以被设定的流量，使上述传热气体在上述配管中流动的传热气体流量控制模块；和对上述基板实施上述预定处理的基板处理模块。
根据本发明第一方面的基板处理方法、本发明第二方面的基板处理程序、以及本发明第六方面的存储介质，在对基板实施预定处理的基板处理装置中，测定传热气体供给装置的配管内的压力，根据该测定的配管内压力以及在预定处理中作为配管内压力所规定的预定压力的压力差，来设定在配管内流动的传热气体的流量，以设定的流量使传热气体在配管内流动。因此，设定的传热气体的流量成为为达到上述规定的预定压力而适用的流量，能够防止传热气体供给装置控制性的恶化。此外，能够迅速地达到上述规定的预定压力，其结果，能够提高生产率。
根据本发明第三方面的基板处理程序，因为将压力差与在配管内流动的传热气体的流量相对应地列在表中，并根据该表来设定在配管内流动的传热气体的流量，因此，能够迅速地设定传热气体的流量，因而能够进一步提高生产率。
根据本发明第四方面的基板处理程序，因为只在预定的时间内以设定的流量使传热气体在配管内流动，所以，能够根据以达到上述规定的预定压力的时间设定的流量停止传热气体的供给，因而能够可靠地防止传热气体供给装置的控制性的恶化。
根据本发明第五方面的基板处理程序，因为预定的时间与压力差相对应地列在表中，所以，能够迅速地确定预定的时间，因而能够提高生产率。
图1是表示适用于本发明实施方式的基板处理方法的基板处理装置的简要构成的平面图。
图2是表示图1中等离子体处理装置的简要构成的截面图。
图3是表示图2中传热气体供给部的简要构成的配管图。
图4是表示在适用于本发明实施方式的基板处理方法的基板处理装置中，在基座吸附面附近的传热气体供给装置的简要构成的截面放大图，(A)是表示图1中在基座吸附面附近的传热气体供给装置的简要构成的放大图，(B)是表示如(A)所示的传热气体供给装置的变形例的截面放大图。
图5是表示图1的基板处理装置中系统控制器的构成示意图。
图6是图2中传热气体供给部的RIE处理前的增加氦气压力处理的顺序图。
图7是图2中传热气体供给部的RIE处理前的增加氦气压力处理的工艺处理流程图。
图8是表示图1中操作控制器的显示部中所显示的装置状态监控画面的图。
图9是表示图3的传热气体供给部的变形例的简要构成的配管图。
图10是表示适用于本发明实施方式的基板处理方法的基板处理装置的第一变形例的简要构成的平面图。
图11是表示适用于本发明实施方式的基板处理方法的基板处理装置的第二变形例的简要构成的平面图。
标号说明W晶片S、Sc、So、Sm空间1、137、160基板处理装置11处理舟12、139～142、161、162等离子体处理装置13操作控制器14晶圆传送盒15晶圆传送盒装载台16定位器(orient)19搬送臂机构20加载舱26、155搬送臂27、143、144装载锁定单元29、145～148、149、150、164、165真空闸阀30大气闸阀31第一缓冲器32第二缓冲器33支撑部34腔室35、156～159、166、167基座36排气路
37泡罩板38DP40冷却介质用配管41下部电极用的高频电源42供电棒43、54匹配器44ESC电极板45直流电源46聚焦环47周缘传热气体供给孔48中央传热气体供给孔49、50传热气体供给管线51传热气体供给部52推进杆53气体导入喷淋头55上部电极用的高频电源56气体孔57上部电极板58电极支撑体59缓冲室60处理气体导入管61配管隔离物62搬入搬出口63闸阀64APC闸阀65隔离体66TMP67配管68周缘传热气体供给系统69中央传热气体供给系统70、77主排气管
71、78副排气管72、79氦气供给源73、80MFC74、81CM75、82ACC76、83PCV84内侧圆环状凸部85外侧圆环状凸部86中间圆环状凸部87中间传热气体控制孔88PC89EC90、91、92MC95GHOST网络96DIST板97、98、99I/O模块100I/O部101LAN138、163传递单元151、152大气门式阀153、154晶片装载台168搬送臂单元169导轨V36、V37、V43～V46、V65～V68闸阀具体实施方式
下面，参照附图对本发明实施方式进行详细说明。
首先，对适用于本实施方式的基板处理方法的基板处理装置进行说明。
图1是表示适用于本发明实施方式的基板处理方法的基板处理装置的简要构成的平面图。
在图1中，基板处理装置1包括对作为半导体器件用基板的晶片(下面简称“晶片”)W实施反应性离子蚀刻(下面称为“RIE”)处理的多个处理舟(process ship)11，和分别与多个处理舟11连接的矩形形状的作为公共搬送室的加载单元9。
加载单元9除了连接有上述处理舟11之外，还连接有分别装载作为收容25块晶片W的容器的晶圆传送盒(Front Opening Unified Pod前面开口一体盒)14的三个晶圆传送盒装载台15，和较准从晶圆传送盒14搬出的晶片W的位置的定位器(orient)16。
将多个处理舟11配置成与加载单元9的长度方向的侧壁连接，并且以夹持加载单元9的方式而与三个晶圆传送盒装载台15相对，将定位器16配置在加载单元9的长度方向的一端。
加载单元9包括配置在内部的、搬送晶片W的搬送臂机构19，和以与各晶圆传送盒装载台15对应的方式配置在侧壁上的、作为晶片W的投入口的三个加载舱20。搬送臂机构19从装载在晶圆传送盒装载台15上的晶圆传送盒14，经由加载舱20而取出晶片W，并将该取出的晶片W搬出搬入处理舟11和定位器16。
处理舟11包括作为对晶片W实施RIE处理的真空容器的等离子体装置12，和内置有搬送臂26的负载锁定单元27，其中，所述搬送臂26向该等离子体处理装置12交接晶片W。
在处理舟11中，将加载单元9的内部压力维持在大气压，另一方面，将等离子体处理装置12的内部压力维持在真空状态。由此，负载锁定单元27利用与等离子体处理装置12的连接部所具有的真空闸阀29，以及与加载单元9的连接部所具有的大气闸阀30，而构成可调整其内部压力的真空预备搬送室。
在负载锁定单元27的内部，在大致中央部位设置有搬送臂26，从该搬送臂26在等离子体处理装置12侧设置第一缓冲器31，从搬送臂26在加载单元9侧设置第二缓冲器32。第一缓冲器31以及第二缓冲器32被配置于用于支撑配置在搬送臂26前端部上的晶片W的支撑部33移动的轨道上，通过使已实施RIE处理的晶片W暂时在支撑部33的轨道上方避让等待，而能够在等离子体处理装置12中顺利地更换RIE未处理的晶片W和RIE处理结束的晶片W。
此外，基板处理装置1包括用于控制处理舟11、加载单元9以及定位器16(下面统称为“各构成元件”)工作的后述系统控制器(图中未示出)，和配置在加载单元9的长度方向的一端的操作控制器13。
系统控制器根据对应于RIE处理的程序来控制各构成元件的工作，操作控制器13具有例如由LCD(液晶显示器)组成的显示部，该显示部显示各构成元件的工作状况。
其中，在本发明的实施方式中，对一个基板处理装置1进行了说明，但是，在对晶片W实施期望的等离子体处理时，不仅可以在一个基板处理装置1中，而且也可以在多个(例如两个)基板处理装置1中使用共四个处理舟11，分四个处理阶段实行期望的等离子体处理。
图2是表示图1中等离子体处理装置的简要构成的截面图。
在图2中，等离子体处理装置12具有在内壁实施氧化铝膜涂层的铝制圆筒型腔室34，在该腔室34内配置有圆柱状的基座35作为装载例如直径为300mm的晶片的装载台。
在等离子体处理装置12中，利用腔室34的内侧壁和基座35的侧面，形成具有将基座35上方的气体分子排出腔室34外的通路作用的排气路36。在该排气路36的途中，配置有防止等离子体泄漏的环状泡罩板(bubble plate)37。此外，在排气路36中的泡罩板37下游的空间，经过基座35的下方与作为可变式蝶形阀的自动压力控制阀(automatic pressure control valve)(下面称为“APC阀”)64连通。APC阀64通过隔离体65(isolator)与作为抽真空用的排气泵的涡轮分子泵(turbo molecular pump)(下面称为“TMP”)66连接。TMP66通过阀V36与作为排气泵的干式真空泵(下面称为“DP”)38连接。由APC阀64、隔离体65、TMP66、阀V36和DP38构成的排气通路(下面称为“主排气管线”)利用APC阀64来进行腔室34内的压力控制，并且利用TMP66和DP38而将腔室34内的压力降低至大致成真空状态。
此外，配管67从隔离体65和TMP66之间通过阀V37而连接于DP38。配管67以及阀V37(下面称为“旁通管线”)从TMP66旁边通过，利用DP38对腔室34内进行简略抽气。
下部电极用高频电源41通过供电棒42和匹配器43与基座35连接，该下部电极用高频电源41向基座35供给预定的高频电力。这样，基座35具有下部电极的功能。此外，匹配器43降低了来自于基座35的高频电力的反射，并且使向基座35供给的高频电力的供给效率最大。
在基座35内部的上方配置有由导电膜组成的圆板状的ESC电极板44。ESC电极板44与直流电源45电气连接。利用由直流电源45向ESC电极板44施加的直流电压产生的库仑力或者Johnsen-Rahbek(约翰逊-勒比克)力，使得晶片W被吸附保持在基座35的上面。此外，在基座35的上方，以包围吸附保持在基座35上面的晶片W周围的方式而配设有圆环状聚焦环46。该聚焦环46从后述的空间S露出，在该空间S中生成的离子和原子团向晶片表面聚拢，从而使RIE处理的效率提高。
此外，在基座35的内部设置有例如沿着圆周方向延伸的环状冷却介质室46(温度调整装置)。通过冷却介质用配管40从冷却剂单元(图中未示出)向该冷却介质室46循环供给预定温度的冷却介质(例如冷却水)，利用该冷却介质的温度，控制吸附保持在基座35上面的晶片W的处理温度。
在基座35上面的吸附保持晶片W的部分(以下称为吸附面)上，开设有多个与晶片W的周缘部相对的周缘传热气体供给孔47和多个与晶片W的中央部相对的中央传热气体供给孔48。
该周缘传热气体供给孔47和中央传热气体供给孔48分别通过配置在基座35内部的两条传热气体供给管线49、50而连接于传热气体供给部51，该传热气体供给部51通过周缘传热气体供给孔47和中央传热气体供给孔48向吸附面和晶片W的背面的间隙供给氦气作为传热气体。该周缘传热气体供给孔47和中央传热气体供给孔48，两条传热气体供给管线49、50和传热气体供给部51构成传热气体供给装置。
此外，在基座35的吸附面上，配置有多个从基座35的上面可自由突出的作为升降杆的推进杆52。该推进杆52通过马达(图中未示出)和滚珠螺杆(图中未示出)而连接，利用滚珠螺杆，由变换成直线运动的马达的旋转运动，从吸附面上自由地突出。在为了对晶片W实施RIE处理而将晶片W吸附保持在吸附面上时，推进杆52被收容在基座35内，在从腔室34搬出已实施RIE处理的晶片W时，推进杆52从基座35的上面突出，使晶片W从基座35上分离并向上举起。
在腔室34的顶部配置有与基座35相对的气体导入喷淋头53。该气体导入喷淋头通过匹配器54而连接于上部电极用高频电源55，因为上部电极用高频电源55向气体导入喷淋头53供给预定的高频电力，所以气体导入喷淋头53具有作为上部电极的功能。此外，匹配器54的功能与上述的匹配器43的功能相同。
气体导入喷淋头53包括具有多个气体孔56的下面的上部电极57，和可装卸地支撑该上部电极57的电极支撑体58。此外，在该电极支撑体58的内部设置有缓冲室59，该缓冲室59与连接于处理气体供给部(图中示示出)的处理气体导入管60连接。在该处理气体导入管60的途中配置有配管隔离物61。该配管隔离物61由绝缘体组成，防止向气体导入喷淋头53供给的高频电力通过处理气体导入管60而向处理气体供给部泄漏。气体导入喷淋头53使从处理气体导入管60向缓冲室59供给的处理气体经由气体孔56而向腔室34供给。
此外，在腔室34的侧壁上设置有晶片W的搬入搬出口62，该晶片搬入搬出口62位于与利用推进杆52从基座35向上举起晶片W的高度相对应的位置。在搬入搬出口62上设置有打开关闭该搬入搬出口62的闸阀63。
在该等离子体处理装置12的腔室34内，如上所述，向基座35和气体导入喷淋头53供给高频电力，通过向基座35与气体导入喷淋头53之间的空间S施加高频电力，使得在空间S内由气体导入喷淋头53供给的处理气体产生高密度的等离子体，利用该等离子体对晶片W实施RIE处理。
具体地说，在该等离子体处理装置12中，在对晶片W施加RIE处理时，首先打开闸阀63，将作为加工对象的晶片W搬入至腔室34内，并通过对ESC电极板44施加直流电压，使搬入的晶片W吸附保持在基座35的吸附面上。此外，从气体导入喷淋头53以预定的流量和流量比向腔室34内供给处理气体(例如，由预定流量比的CF4气体、氧气和氦气组成的混合气体)，同时，利用APC阀64等，将腔室34内的压力控制在预定值。而且，利用基座35和气体导入喷淋头53向腔室34内的空间S施加高频电力。这样，使从气体导入喷淋头53导入的处理气体产生等离子体，在空间S内生成离子和基团，利用聚焦环46使生成的基团和离子聚集在晶片W的表面，以此来对晶片W的表面进行物理或者化学蚀刻。
图3是表示图2中传热气体供给部的简要构成的配管图。
在图3中，传热气体供给部51由连接于传热气体供给管线49、并通过传热气体供给管线49和周缘传热气体供给孔47向吸附面和晶片W的背面的间隙中供给氦气的周缘传热气体供给系统68，以及连接于传热气体供给管线50、并通过传热气体供给管线50和中央传热气体供给孔48向吸附面和晶片W的背面的间隙供给氦气的中央传热气体供给系统69组成。
周缘传热气体供给系统68具有主排气管70以及副排气管71。主排气管70的一端连接于传热气体供给管线49，主排气管70的另一端连接于向主排气管70供给氦气的氦气供给源72。此外，在主排气管70上，从氦气供给源72向传热气体供给管线49顺序地配置有过滤器102、阀V44、MFC73、CM(容量测量计)74、ACC(蓄能器)75和阀V66。
在主排气管70上，过滤器102用于除去从氦气供给源72供给的氦气中所包含的尘埃，阀V44用于控制从氦气供给源72向主排气管70的氦气的供给，MFC73用于控制主排气管70中流动的氦气的流量，CM74用于测定主排气管70中流动的氦气的压力，ACC75用于暂时蓄积在主排气管70中流动的氦气，阀V66用于控制从主排气管70向传热气体管线49的氦气的供给。此外，主排气管70通过阀V68与APC阀64和隔离体65之间的配管连接。
副排气管71的一端与后述中央传热气体供给系统69的副排气管78连接，副排气管71的另一端在MFC73和CM74之间与主排气管70连接。此外，在副排气管71上，从主排气管70向副排气管78顺序地配置有阀V46和PCV76。
在副排气管71上，阀V46控制从主排气管70向副排气管78的氦气流量，PCV76控制在副排气管71中流动的氦气的压力。此外，副排气管71通过副排气管78与阀V37和DP38之间的配管连接。
在周缘传热气体供给系统68中，在向吸附面和晶片W的背面的间隙之间供给氦气时，在打开阀V44，V46和阀V66的同时，MFC73控制主排气管70中流动的氦气的流量，PCV76控制副排气管71中流动的氦气的压力。此时，因为打开了阀V46，主排气管70与副排气管71连通，结果PCV76可以控制主排气管70中流动的氦气的压力。
其中，周缘传热气体供给系统68具有MFC73和PCV76，但是，也可以代替MFC73而具有PCV，代替PCV76而具有孔，此时，孔的直径优选例如为0.2mm。
中央传热气体供给系统69具有主排气管77和副排气管78。主排气管77的一端连接于传热气体供给管线50，主排气管77的另一端连接于向主排气管77供给氦气的氦气供给源79。此外，在主排气管77上，从氦气供给源79向传热气体供给管线50顺序地配置有过滤器103、阀V43、MFC80、CM81、ACC82和阀V65。
在主排气管77中，过滤器103用于除去从氦气供给源79供给的氦气中所包含的尘埃等，阀V43用于控制从氦气供给源79向主排气管77的氦气的供给，MFC80用于控制主排气管77中流动的氦气的流量，CM81测定主排气管77中流动的氦气的压力，ACC82用于暂时蓄积在主排气管77中流动的氦气，阀V65控制从主排气管77向传热气体供给管线50的氦气的供给。此外，主排气管77与主排气管70一样通过阀V67与APC阀64和隔离体65之间的配管连接。
副排气管78的一端与阀37和DP38之间的配管连接，副排气管78的另一端在MFC80和CM81之间与主排气管77连接。此外，在副排气管78上，从主排气管77向阀37和DP38之间的配管顺序地配置有阀V45和PCV83。
在副排气管78中，阀V45控制从主排气管77流向副排气管78的氦气的流量，PCV83控制副排气管78中流动的氦气的压力。
在中央传热气体供给系统69中，在向吸附面和晶片W的背面的间隙之间供给氦气时，在打开阀V43、V45和阀V65的同时，MFC80控制主排气管77中流动的氦气的流量，PCV83控制副排气管78中流动的氦气的压力。此时，因为打开了阀V45，主排气管77与副排气管78连通，结果，PCV83可以控制主排气管77中流动的氦气的压力。
中央传热气体供给系统69具有MFC80和PCV83，但是也可以代替MFC80而具有PCV，代替PCV83而具有孔，此时，孔的直径优选例如为0.2mm。
其中，阀V65、阀V66、阀V67和阀V68分别具有开闭传感器。
图4是表示在适用于本发明实施方式的基板处理方法的基板处理装置中，在基座吸附面附近的传热气体供给装置的简要构成的截面放大图，(A)是表示在图1中基座吸附面附近的传热气体供给装置的简要构成的放大图，(B)是表示如(A)所示的传热气体供给装置的变形例的截面放大图。
在图4(A)中，在吸附面上以同心圆的形式设置有两个直径互不相同的圆环状的内侧圆环状凸部84和外侧圆环状凸部85。内侧圆环状凸部84的中心与晶片W的中心大致一致。外侧圆环状凸部85的中心也与晶片W的中心大致一致。
该内侧圆环状凸部84和外侧圆环状凸部85保持晶片W。由于利用ESC电极板44可将晶片W的吸附保持在基座35上，因此，晶片W与内侧圆环状凸部84的上部和外侧圆环状凸部85的上部紧密贴合。
中央传热气体供给孔48向由内侧圆环状凸部84和晶片W所围成的空间Sc开口，向该空间Sc供给氦气。此外，周缘传热气体供给孔47向由内侧圆环状凸部84、外侧圆环状凸部85和晶片W所围成的空间So开口，向该空间So供给氦气。向空间So和空间Sc供给的氦气几乎不分别从该空间向外流出，因此，晶片W的热能够以氦气作为介质而向基座35高效地传送。
如图4(A)所示，由于晶片W的外径比吸附面的外径大，因此，晶片W的外缘部不与氦气接触。这样，晶片W的外缘部的温度比晶片W中央部的温度容易升高。与其相对应，传热气体供给装置的周缘传热气体供给孔47的氦气的供给压力比中央传热供给孔48的氦气的供给压力高，空间So的热传送效率也比空间Sc的热传送效率高。因此，晶片W的外缘部比晶片W的中央部冷却效率高，能够使晶片W的温度均匀。
图4B所示的传热气体供给装置的变形例除上述的内侧圆环状凸部84、外侧圆环状凸部85、周缘传热气体供给孔47和中央传热气体供给孔48外，还具有在内侧圆环状凸部84和外侧圆环状凸部85之间以与它们的同心圆方式配设的中间圆环状凸部86，和向中间圆环状凸部86、内侧圆环状凸部84和晶片W所围成的空间Sm开口，并控制该空间Sm的压力的中间传热气体控制孔87。
在图4B的传热气体供给装置的变形例中，即使空间So的高压氦气从中间圆环状凸部86和晶片W的微小间隙中有微小的泄漏，通过由中间传热气体控制孔87吸出该微小泄漏的氦气，同时控制空间Sm的压力，也能够使空间Sc的压力维持恒定，结果，能够防止晶片W的中央部过度冷却，可靠地使晶片W的温度均匀。
其中，在图4(B)中，在空间So和空间Sc之间仅设置有一个控制压力的空间Sm，但是，空间Sm的数量并不限于此，也可以在空间So和空间Sc之间设置两个以上的空间Sm。这样，就能够进一步更可靠地使晶片W的温度均匀。
图5是表示图1的基板处理装置中系统控制器的构成示意图。
在图5中，系统控制器具有EC(设备控制器)89，多个(例如三个)MC(模式控制器)90、91、92，和连接EC89以及各MC的切换中枢93。该系统控制器通过连接于EC89的LAN(局部地区网络)101而与PC88连接，该PC88是作为管理设置基板处理装置1的工厂的全部制造工序的MES(制造执行系统)。MES与系统控制器连接，将工厂中涉及工序的实时信息反馈到基本业务系统(图中未显示)，同时考虑工厂的全部负荷，进行关于工序的判断。
EC89统括各MC，是控制基板处理装置1的全部工作的总括控制部。此外，EC89具有CPU、RAM和HDD等，根据在操作控制器13中由用户等指定的晶片W处理方法的菜单，即根据对应于方案的程序，通过CPU向各MC发送控制信号，控制处理舟11和加载单元9的工作。
切换中枢93根据来自EC89的控制信号切换作为EC89的连接端的MC。
MC90、91、92是用于控制处理舟11和加载单元9的工作的控制部。各MC也具有CPU、RAM、HDD等，并向后述终端设备发送控制信号。其中，图1的基板处理装置1具有的系统控制器为了控制多个处理舟11和加载单元9，而具有对应于处理舟11和加载单元9的数量的MC，但在图5中只示出了三个MC。
各MC利用DIST(分配)板96通过GHOST网络95分别与各I/O(输入/输出)模块97、98、99连接。GHOST网络95是利用在MC具有的MC板上搭载的称为GHOST(普通高速优化可缩放接收发射器General high-speed optimum scalable transceiver)的LSI实现的网络。在GHOST网络95上最多可连接31个I/O模块，在GHOST网络95中，主要适用于MC，其次适用于I/O模块。
I/O模块97由与一个处理舟11的各构成元件(下面称为终端设备)连接的多个I/O部100组成，进行各终端设备的控制信号和来自各终端设备的输出信号的传输。就在I/O模块97中连接于I/O部100的终端设备而言，是例如在等离子体处理装置12中的传热气体供给部51的各构成元件，是阀V43、V44、V45、V46、V65、V66、MFC73、80、CM74、81、ACC75、82和PCV76、83等。
其中，I/O模块98、99具有与I/O模块97相同的构成，因为对应于处理舟11的MC91和I/O模块98的连接关系，以及对应加载单元9的MC92和I/O模块99的连接关系都与上述的MC90和I/O模块97的连接关系相同，所以在此省略说明。
此外，用于控制I/O部100的数字信号、模拟信号和串行信号的输出输入的I/O板(图中未示出)也与各GHOST网络95连接。
在基板处理装置1中，当在后述RIE处理前实施使氦气压力增加的处理时，基于对应该处理的程序，EC89的CPU借助于切换中枢93、MC90、GHOST网络95和I/O模块中的I/O部100，通过向所期望的终端设备发送控制信号，在传热气体供给部51中执行RIE处理前的增加氦气压力的处理。
具体地说，CPU通过向阀V43、V44、V45、V46、V65、V66、MFC73、80和PCV76、83发送控制信号，借助于周缘传热气体供给孔47和中央传热气体供给孔48来控制向吸附面和晶片W的背面的间隙供给的氦气的流量和压力。
在图5的系统控制器中，多个终端设备不直接连接于EC89，该连接于多个终端设备的I/O部100构成被模块化的I/O模块，因为该I/O模块通过MC和切换中枢93连接于EC89，故可以简化通信系统。
此外，就EC89的CPU发送的控制信号而言，因为包含连接于期望的终端设备的I/O部100的地址，和包含该I/O部100的I/O模块的地址，所以切换中枢93参照控制信号中的I/O模块的地址，并且利用MC的GHOST参照控制信号中的I/O部100的地址，切换中枢93和MC不必向CPU进行控制信号发送端的询问，因而能够实现控制信号的顺利传输。
此外，在RIE处理前的增加氦气压力的处理中，MC90通过GHOST网络95和I/O模块97中的I/O部100监视传热气体供给部51，并且在周缘传热气体供给系统68和中央传热气体供给系统69的氦气(下面称为“供给系统氦气”)的压力在预定的时间内不满足预定的稳定条件时，在供给系统氦气从预定的稳定条件脱离时，并伴有晶片W的背面和装载台之间的氦气泄漏，检测到供给系统氦气压力降低时，或者在晶片W的背面抽真空后供给系统氦气的压力超过预定值时，通过切换中枢93向EC89发送用于传达禁止搬送后面的晶片W的的旨意的联锁(I/L)信号。该接受联锁信号的EC89通过切换中枢93向控制加载单元9的动作的MC92发送禁止搬送晶片W的晶片搬送禁止信号。接受该晶片搬送禁止信号的MC92控制涉及晶片搬送的终端设备并中止晶片W的搬送。
图6是图2中传热气体供给部的RIE处理前的氦气压力增加处理的顺序图。
在图6中，在将加工对象晶片W搬入腔室34，将该晶片W装载在基座35的吸附面上，并利用ESC电极板44吸附保持该晶片W时，在打开阀V43、V44、V65、V66的同时，也打开阀V67、V68。这样，因为周缘传热气体供给系统68和中央传热气体供给系统69与TMP66和DP38连通，所以利用TMP66和DP38将主排气管70、77和副排气管71、78抽真空。此时，也同时对传热气体供给管线49、50抽真空。
之后，若经过预定的时间(delayT)，则后述的CM74、75就通过分别测定主排气管70、71中流动的氦气的压力，检验周缘传热气体供给系统68和中央传热气体供给系统69的管线压力。
接着，在后述的加速程序开始时，在打开阀V67、V68的同时，PCV76、83起动并控制在主排气管70、77中流动的氦气的压力。此外，尽管图中未示出，但MFC73、80也起动，并控制主排气管70、77的氦气的流量。
随后，加速程序结束，在对晶片W实施RIE处理期间，阀V43、V44、V65、V66打开，阀V67、V68关闭，PCV76、83工作且MFC73、80连续工作。由此，即使在对晶片W实施RIE处理的期间，也控制了主排气管70、77中流动的氦气的压力，并且也控制了主排气管70、77中流动的氦气的流量。
在上述的现有技术的加速程序中，在MFC73、78控制的排气管70、77中流动的氦气的流量(下面称为“加速流量”)是以使主排气管70、77的压力的从0提高到RIE处理的方案中所规定的氦气设定供给压力(下面称为“方案设定压力”)作为前提而设定的。由此，在现有技术的加速程序中的加速流量比用于达到方案设定压力所需要的流量多，使传热气体供给部51的控制性恶化。因此，有必要重新评价加速流量的设定方法。
所以，本发明实施方式的处理方法，根据测定的主排气管70、77内的压力与方案设定压力的压差(下面简称为“压差”)设定加速流量。压差与加速流量被对应记录于如下表1所示的加速程序用表中。该加速程序用表存储在具有与该传热气体供给部51对应的MC(例如MC90)的HDD中。
表1
在该加速程序用表中，根据RIE处理方案中所规定的氦气设定流量(下面称为“方案设定流量”)和压差规定加速流量，并且按加速流量规定氦气在主排气管70、77中流动的时间(下面称为“加速时间”)。在对晶片W实施RIE处理前，在等离子体处理装置12中几次设定方案设定流量、压差、加速流量和加速时间的组合，并实际地执行加速程序，选择在各方案设定流量和各压差中最适合的加速流量和加速时间，即主排气管70，77的压力不超过方案设定压力，选择能够在短时间内达到该方案设定压力的加速流量和加速时间，将该选择的加速流量和加速时间与方案设定流量和压差对应地列出，由此做成加速程序用表。
在加速程序用表做成时，设定的压差可以设定为从大致为0至方案设定压力的绝对值。由此基于测定的主排气管70、77内的压力的压差在加速程序用表中一定存在，因而能够顺利地执行后述的RIE处理前的增加氦气压力的处理。
此外，在图12的加速程序用表中，加速流量和加速时间分别变成零、存在方案设定流量和压差的区域。这是因为该区域是在RIE处理时不使用的流量区域或者压差区域，因此，在这里加速流量和加速时间表示为零。
其中，对每种等离子体处理装置做成加速程序用表。MC具有对应于多个等离子体处理装置的加速程序用表，每次变更等离子体处理装置时，变更使用的加速程序用表。
图7是包含图2中的传热气体供给部的RIE处理前的增加氦气压力处理的工艺处理流程图。
该处理由EC89的CPU等根据存储在该EC89的HDD等中的工艺处理程序来执行。此外，在工艺处理的RIE处理前的增加氦气压力的处理中，当用户期望基于上述加速程序用表执行加速程序时，在执行上述程序之前，从在操作控制器13的显示部显示的处理菜单中选择表示基于上述加速程序用表的加速程序的选择项“CT1”，并在选择该“CT1”时选择在显示部显示的选择项“根据压差的加速程序”。
此外，如果选择选择项“CT1”，则在显示部显示选择项“延迟时间设定”，如果用户选择该选择项“延迟时间设定”，则显示可输入作为从后述的工序S72的传热气体供给管线49、50等抽真空开始，到后述的工序S74的周缘传热气体供给系统68和中央传热气体供给系统69的管线压力检验开始的延迟时间(delayT)输入栏。用户想要设定期望的延迟时间时，可在该输入栏输入期望的延迟时间。
在图7中，首先在气体导入喷淋头53向腔室34内供给处理气体的同时，打开APC阀64并将腔室34内的压力维持在预定的压力。之后，将加工对象晶片W搬入腔室34内，将该晶片W装载在基座35的吸附面上，对ESC电极44施加直流电压，并吸附保持该晶片W(工序S71)。
之后，如果腔室34内的压力稳定在预定值，则APC阀64只关闭预定量。下面，将阀V43、V44、V65、V66、V67、V68打开，由TMP66和DP38对主排气管70、77，副排气管71、78和传热气体供给管线49、50抽真空(工序S72)。
接着，从传热气体供给管线49，50等的抽走空开始，由用户判断是否经过了被输入的期望的延迟时间(DelayT)(工序S73)，没有经过延迟时间时，返回工序S73，经过了延迟时间时，进行工序S74。此外，用户没有输入期望的延迟时间时，使用作为存储在MC的HDD等的默认值的延迟时间。
在接下来的工序S74中，通过CM74、75分别测定主排气管70、71的氦气压力，检验周缘传热气体供给系统68和中央传热气体供给系统69的管线压力(配管压力测定工序)。
接着，算出测定的主排气管70、77内的压力与方案设定压力的压差，基于该算出的压差和方案设定流量，从上述加速程序用表中选择加速流量和加速时间，将其作为在加速程序中的加速流量和加速时间设定(工序S75)(传热气体流量设定工序)。
接着，在关闭阀V67、V68的同时，使MFC73、80起动，将主排气管70、77中流动的氦气流量控制在设定的加速流量，并执行加速程序(工序S76)(传热气体流量控制工序)。此时，也使PCV76、83起动，控制主排气管70、77中流动的氦气压力。
此外，在加速程序期间，利用CM74、75检验周缘传热气体供给系统68和中央传热气体供给系统69的管线压力，该检验的压力，在显示于操作控制器13的显示部的装置状态监控画面(图8)中(以P/C表示)被表示在各等离子体处理装置的项目“压力”的“状态值”栏。此外，方案设定压力在项目“压力”的“设定值”栏表示。这样，用户可以推定周缘传热气体供给系统68和传热气体供给系统69的管线压力达到方案设定压力需要的全部时间。
之后，判断是否经过了设定的加速时间(工序S77)，没有经过该加速时间时，返回工序S76，经过了该加速时间时，加速程序结束。
RIE处理前的增加氦气压力的处理结束后，在对晶片W实施RIE处理的期间，将阀V43、V44、V65、V66、V67、V68关闭，PCV76、83工作，且MFC73、80继续工作。此时，将主排气管70，77中流动的氦气流量控制在方案设定流量，将主排气管70、77中流动的氦气压力控制在方案设定压力。
然后，通过由下部电极用高频电源41向基座35供给高频电力，同时由上部电极用高频电源55向气体导入喷淋头53供给高频电力，来执行RIE处理。
从开始RIE处理，经过预定的时间后，下部电极用高频电源41和上部电极用高频电源55停止高频电力的供给，同时传热气体供给部51停止向吸附面和晶片W的背面的间隙供给氦气。
接着，对ESC电极板44除电，气体导入喷淋头53停止向腔室34内供给处理气体，结束该处理。
根据上述的该实施方式的基板处理方法，在RIE处理前，测定主排气管70、71中的氦气的压力，基于测定的主排气管70、77内的压力与方案设定压力的压差，从上述加速程序用表中选择加速流量和加速时间，设定作为加速程序中的加速流量和加速时间，以该设定的加速流量使氦气流过主排气管70、71。因此，设定的加速流量为用于达到方案设定压力的适当流量，可以防止传热气体供给部51控制性的恶化。此外，可以迅速地达到方案设定压力，结果可台提高生产率。
此外，上述压差和加速流量以及加速时间被对应地提供在加速程序用表中，基于该加速程序用表，选择并设定加速流量和加速时间，因此，能够迅速地设定加速流量和加速时间，因而能够进一步提高生产率。
此外，因为氦气只在加速时间的期间以加速流量流过主排气管70、71，因此能够以达到方案设定压力的适当的时机，根据加速流量停止氦气的供给，因而，能够可靠地防止传热气体供给部51控制性的恶化。
而且，从开始对传热气体供给管线49、50等抽真空起经过延迟时间后，测定主排气管70、71的氦气压力，因此能够在氦气气流稳定状态测量该压力，因而能够提高传热气体供给部51的控制性的精度。此外，由用户输入延迟时间，故用户能够依据使用经验变更基板处理装置1中的延迟时间，能够实现最优的生产率。
此外，在执行上述RIE处理前的增加氦气压力的处理中，如果在传热气体供给部51中发生不适合情形，则中断该处理(联锁住)，不执行之后的RIE处理。作为不适合情形，是在经过延迟时间后，主排气管70、71的氦气的压力不稳定或者由MFC73、80控制氦气流量过程中主排气管70、71的氦气压力不稳定等。
上述的等离子体处理装置12中的传热气体供给部的构成不限于上述的传热气体供给部51的构成，只要能够向中央传热气体供给孔48和传热气体供给管线49分别供给氦气即可，例如，如图9所示，也可以是不具有ACC的结构。此外，图9的主排气管线和傍通管线与等离子体处理装置12的主排气管线和傍通管线不同。在图9的主排气管线上，在隔离体65和TMP66之间配置有APC阀64。此外，图9的傍通管线从隔离体65、APC阀64和TMP66的旁边通过。
在上述的实施方式中，加速程序用表和RIE处理前增加氦气压力的处理的处理程序被存储在具有对应于该传热气体供给部51的MC的HDD上，也可以存储在EC89的HDD上。
在上述的实施方式中，对等离子体处理装置是蚀刻处理装置的情形进行了说明，但可适用于本发明的等离子体处理装置不限于此。也可以是具有向晶片W的背面和装载台之间供给氦气的传热气体供给部的等离子体处理装置，例如，CVD(化学蒸汽沉积)装置和PVD(物理蒸汽沉积)装置。
此外，可适用本发明的基板处理装置不限于具有如图1所示的相互平行地设置的多个处理舟的并联型基板处理装置，如图10和图11所示，成放射关配置的多个等离子体处理装置的基板处理装置也适用。
图10是表示适用于本发明实施方式的基板处理方法的基板处理装置的第一变形例的简要构成的平面图。此外，在图10中，与图1中的基板处理装置1的构成元件相同的构成元件用相同的符号表示，故省略说明。
在图10中，基板处理装置137具有平面六边形的传递单元138，在该传递单元138的周围成放射状配置有四个等离子体处理装置139～142，加载单元9和在传递单元138和加载单元9之间配置的连接传递单元138和加载单元9的两个负载锁定单元143、144。
将传递单元138和各等离子体处理装置139～142的内部压力维持在真空状态，分别通过真空闸阀145～148连接传递单元138和各等离子体处理装置139～142。
在基板处理装置137中，使加载单元9的内部压力维持在大气压，另一方面，使传递单元138的内部压力维持在真空状态。由此，由于各负载锁定单元143、144分别具有与传递单元138连接的闸阀149、150，同时具有与加载单元9连接的大气门式阀151、152，则构成可调整其内部压力的真空预备搬送室。此外，各负载锁定单元143、144在加载单元9和传递单元138之间具有用于暂时装载接受的晶片W的晶片基座153、154。
传递单元138具有在其内部配置的屈伸和旋转自如地形成的蛙腿型搬送臂155，该搬送臂155在各等离子体处理装置139～142和各负载锁定单元143、144之间搬送晶片W。
各等离子体处理装置139～142分别具有装载被实施RIE处理的晶片W的基座156～159。这里，各等离子体处理装置139～142与基板处理装置1的等离子体处理装置12具有同样的结构。
此外，在基板处理装置137中的各构成元件的工作由具有与基板处理装置1中的系统控制器相同构成的系统控制器控制。
图11是表示适用于本发明实施方式的基板处理方法的基板处理装置的第二变形例的简要构成的平面图。此外，图11中，与图1的基板处理装置1和图10的基板处理装置137的构成元件相同的构成元件用相同的符号表示，故省略说明。
在图11中，基板处理装置160与图10的基板处理装置137相比，追加了两个等离子体处理装置161、162。与此相对应，传递单元163的形状也与基板处理装置137的传递单元138的形状不同。追加的2个等离子体处理装置161、162分别通过真空闸阀164、165与传递单元163连接，并具有晶片基座166、167。
此外，传递单元163具有由2个曲臂型搬送臂组成的搬送臂单元168。该搬送臂单元168沿配设在传递单元163内部的导轨169移动，在各等离子体处理装置139～142、161、162和各负载锁定单元143、144之间搬送晶片W。
此外，基板处理装置160的各构成元件的工作由具有与基板处理装置1的系统控制器相同构成的系统控制器控制。
此外，在上述的实施方式中，被处理基板是半导体晶片，但是被处理基板不限于此，也可以是例如，LCD(液晶显示)和FPD(平板显示)等玻璃基板。
而且，在上述的实施方式中，用氦气作为传热气体，但传热气体不限于此，也可以用其它的稀有气体。
本发明的目的是通过向计算机例如，EC89供给记录了实现上述实施方式的功能的软件程序代码的存储介质，计算机的CPU通过读出并执行存储在存储介质上的程序代码而达到的。
此时，从存储介质上读出的程序代码本身已实现了上述实施方式的功能，程序代码和存储该程序代码的存储介质已构成了本发明。
此外，作为用于提供程序代码的存储介质，是例如RAM、NV-RAM、软盘、硬盘、光盘、光磁盘、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD(DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW)、磁带、不挥发性存储卡、其它ROM等，只要能存储上述程序代码即可。或者，也可以通过从互联网、商用网络、或者与局部地区网络等连接的没有图示的其它计算机和数据库下载提供给计算机。
此外，通过执行CPU读出的程序代码，不仅能实现上述实施方式的功能，而且基于该程序代码的指示，在CPU上运行的OS(操作系统)等还可进行实际处理的一部分或全部。通过该处理，也包含实现上述实施方式的功能的情形。
而且，从存储介质读出的程序代码写入插入计算机的功能扩展板或连接于计算机的功能扩展单元上具有的存储器上后，基于程序代码的指示，该功能扩展板和功能扩展单元上具有的CPU等进行实际处理的一部分或全部。通过该处理，也包含实现上述实施方式的功能的情形。
上述程序代码方式也可以由向通过目标代码，翻译执行的程序代码，OS上提供文字(script)数据等方式构成。
权利要求
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括收容基板的处理室；配置在所述处理室内并且装载所述基板的装载台；调整所述装载台温度的温度调整机构；传热气体供机构，通过供给路向所述装载台和所述基板之间供给用于提高所述装载台和所述基板之间的传热的传热气体；和控制所述处理装置的动作的控制部，其中，所述控制部实施下述工序在所述基板载置于所述装载台上的状态下，测定所述供给路内的压力而得到压力测定值的工序；根据所述压力测定值与压力基准值的压力差，在对所述基板进行主处理之前，来决定通过所述供给路向所述装载台与所述基板之间供给的所述传热气体的准备流量的工序；和在所述主处理之前，以所述准备流量，通过所述供给路向所述装载台与所述基板之间供给所述传热气体的工序。
2.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于所述控制部，还实施在决定所述准备流量的同时，决定以所述准备流量供给所述传热气体的准备时间的工序。
3.如权利要求2所述的处理装置，其特征在于所述控制部，还实施在经过所述准备时间后，以比所述准备流量低的流量通过所述供给路向所述装载台与所述基板之间供给所述传热气体的工序。
4.如权利要求2所述的处理装置，其特征在于所述控制部，还实施在经过所述准备时间后，一边以比所述准备流量低的方案流量通过所述供给路向所述装载台与所述基板之间供给所述传热气体，一边对所述基板进行所述主处理的工序，其中，所述压力基准值根据所述方案流量而被设定。
5.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于所述控制部，还实施为了决定所述准备流量，参照根据所述压力差的多个值而设定有所述准备流量的多个值的表的工序。
6.如权利要求5所述的处理装置，其特征在于在所述表中，根据所述准备流量的多个值，设定以所述准备流量供给所述传热气体的准备时间的多个值。
7.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于所述主处理是在真空下进行的处理，所述处理装置，为了将所述处理室设定成真空，还具有通过排气管而连接在所述处理室上的真空排气部。
8.如权利要求7所述的处理装置，其特征在于所述处理装置还具有连接所述供给路和所述排气管的连接管，所述供给路通过所述真空排气部选择性地排气。
9.如权利要求8所述的处理装置，其特征在于所述控制部，还实施在得到所述压力测定值的工序前，一边向所述供给路供给所述传热气体一边通过所述真空排气部开始所述供给路的排气的工序，在排气开始后经过规定时间的时刻，为了得到规定压力测定值而测定所述供给路内的压力。
10.如权利要求9所述的处理装置，其特征在于所述控制部还实施对所述装置根据操作人员预先输入的值来设定所述规定时间的工序。
11.一种基板处理装置的使用方法，其特征在于所述基板处理装置包括收容基板的处理室；配置在所述处理室内并且装载所述基板的装载台；调整所述装载台温度的温度调整机构；和传热气体供机构，通过供给路向所述装载台和所述基板之间供给用于提高所述装载台和所述基板之间的传热的传热气体，其中，所述方法包括在所述基板载置于所述装载台上的状态下，测定所述供给路内的压力而得到压力测定值的工序；根据所述压力测定值与压力基准值的压力差，在对所述基板进行主处理之前，来决定通过所述供给路向所述装载台与所述基板之间供给的所述传热气体的准备流量的工序；和在所述主处理之前，以所述准备流量，通过所述供给路向所述装载台与所述基板之间供给所述传热气体的工序。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于所述方法还具有，在决定所述准备流量的同时，决定以所述准备流量供给所述传热气体的准备时间的工序。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于所述方法还具有，在经过所述准备时间后，以比所述准备流量低的流量通过所述供给路向所述装载台与所述基板之间供给所述传热气体的工序。
14.如权利要求12所述的方法，其特征在于所述方法还具有，在经过所述准备时间后，一边以比所述准备流量低的方案流量通过所述供给路向所述装载台与所述基板之间供给所述传热气体，一边对所述基板进行所述主处理的工序，这里，所述压力基准值根据所述方案流量而被设定。
15.如权利要求11所述的方法，其特征在于所述方法还具有，为了决定所述准备流量，参照根据所述压力差的多个值而设定有所述准备流量的多个值的表的工序。
16.如权利要求15所述的方法，其特征在于在所述表中，根据所述准备流量的多个值，来设定以所述准备流量供给所述传热气体的准备时间的多个值。
17.如权利要求11所述的方法，其特征在于所述主处理是在真空下进行的处理，所述处理装置，为了将所述处理室设定成真空，还具有通过排气管而连接在所述处理室上的真空排气部。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于所述处理装置还具有连接所述供给路和所述排气管的连接管，所述供给路通过所述真空排气部选择性地排气。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于所述方法还具有，在得到所述压力测定值的工序前，一边向所述供给路供给所述传热气体一边通过所述真空排气部开始所述供给路的排气的工序，在排气开始后经过规定时间的时刻，为了得到规定压力测定值而测定所述供给路内的压力。
20.如权利要求19所述的方法，其特征在于所述方法还具有对所述装置根据操作部预先输入的值来设定所述规定时间的工序。
21.一种含有用于在中央处理器中实施的程序指令的计算机可读存储介质，所述程序指令包括在通过所述处理器进行实施时，在包括收容基板的处理室；配置在所述处理室内并且装载所述基板的装载台；调整所述装载台温度的温度调整装机构；和传热气体供机构，通过供给路向所述装载台和所述基板之间供给用于提高所述装载台和所述基板之间的传热的传热气体的基板处理装置中，实施下述工序在所述基板载置于所述装载台上的状态下，测定所述供给路内的压力而得到压力测定值的工序；根据所述压力测定值与压力基准值的压力差，在对所述基板进行主处理之前，决定通过所述供给路向所述装载台与所述基板之间供给的所述传热气体的准备流量的工序；和在所述主处理之前，根据所述准备流量，通过所述供给路向所述装载台与所述基板之间供给所述传热气体的工序。
全文摘要
本发明提供了一种能够防止传热气体供给装置控制性恶化的基板处理装置。起动RIE处理前增加氦气压力的处理的程序，从对传热气体供给管线49、50等抽真空开始，经过延迟时间时，测定主排气管70，71中流动的氦气的压力(工序S74)，基于测定的主排气管70、77中的压力与RIE处理的方案规定的氦气设定供给压力的压差，从压差和加速流量对应的加速程序用表中选择加速流量，设定作为加速程序中加速流量(工序S75)，执行使用该加速流量的加速程序 (工序S76)。
文档编号C23C14/50GK1873914SQ20061008853
公开日2006年12月6日 申请日期2006年6月2日 优先权日2005年6月2日
发明者中村博, 贝瀬精一 申请人:东京毅力科创株式会社