专利名称：基板处理装置和基板处理方法
技术领域：
本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法，且更具体地涉及 一种对容纳于处理室中的基板进行等离子体处理的基板处理装置。
背景技术：
对作为基板的晶片进行等离子体处理例如蚀刻处理的基板处理装 置，具有容纳晶片并可抽真空的处理室(下文中称作"室")，和在蚀刻处理过程中晶片安装于其上的安装台(下文中称作"基座")。在真 空室中产生等离子体，并由等离子体蚀刻晶片。基座具有控制晶片温 度的控温机构。在基座中设有例如由硅制成的环形聚焦环，以围绕被安装晶片的 外周部。聚焦环将室中的等离子体聚焦在晶片上。当对晶片进行等离子体处理时，晶片因暴露于等离子体的热量而 温度升高，因此基座的控温机构冷却晶片以使晶片的温度保持恒定， 从而提高等离子体处理的均匀性(参见例如日本提前公开专利公开号2004-193567)。然而，在上述的常规基板处理装置中，没有对位于等离子体附近 的聚焦环等室内部件进行温度管理，因此在聚焦环与等离子体之间进 行热传递，同时在晶片的外周部和聚焦环之间进行热传递。因此，等 离子体的状态改变，且晶片上的等离子体的状态变得不稳定。一般地，在基板处理装置中，可以通过将晶片上的等离子体保持 在期望状态并使晶片表面的处理温度保持均匀来改善对晶片执行的等 离子体处理的均匀性。因而常规的基板处理装置无法提高对晶片执行 的等离子体处理的均匀性。发明内容本发明提供了一种能够提高对基板执行的等离子体处理的均匀性的基板处理装置和基板处理方法。因此，本发明的第一方面提供了一种基板处理装置，其具有容纳 基板的处理室，并且利用处理室中产生的等离子体对容纳于处理室中 的基板进行等离子体处理，该基板处理装置包括适于朝向面向等离子 体的处理室内部件的至少一部分喷射控温气体的喷射机构。根据本发明的第一方面，朝向面向等离子体的处理室内部件的至 少一部分喷射控温气体。因而，在将基板容纳于处理室中之前，可以 将处理室内部件的温度控制在预定的处理时温度。因此，在将基板容 纳于处理室中并进行等离子体处理时，等离子体与处理室内部件之间 的传热量降至最小，使得基板上的等离子体能够保持在期望状态。此 外，基板的外周部与处理室内部件之间的传热量也降至最小，使得基 板表面的处理温度能够保持均匀。因此，可以提高对基板执行的等离 子体处理的均匀性。本发明的第一方面能够提供一种基板处理装置，其中喷射机构包 括喷射控温气体的喷嘴。根据本发明的第一方面，从喷嘴喷射控温气体。因而，能够以有 效的方式控制处理室内部件的温度。本发明的第一方面能够提供一种基板处理装置，其中喷射机构包 括测量处理室内部件温度的温度测量装置。根据本发明的第一方面，测量处理室内部件的温度。因而，能够 以有效的方式将处理室内部件的温度控制在预定的处理时温度。本发明的第一方面能够提供一种基板处理装置，其中处理室内部 件是环形聚焦环，其设置在置于处理室中的安装台上以便围绕安装在 安装台上的基板的外周部。根据本发明的第一方面，将控温气体喷射到聚焦环的至少一部分 上。因而，在将基板容纳于处理室中之前，能够将聚焦环的温度控制 在预定的处理时温度。因此，在将基板容纳于处理室中并进行等离子 体处理时，等离子体与聚焦环之间的传热量降至最小，使得基板上的 等离子体能够保持在期望状态。而且，基板的外周部与聚焦环之间的 传热量也降至最小，使得基板表面的处理温度能够保持均匀。因此， 能够提高等离子体处理的均匀性。本发明的第一方面能够提供一种基板处理装置，其中控温气体是 高温气体。根据本发明的第一方面，喷射作为控温气体的高温气体。因而， 能够快速控制处理室内部件的温度。因此，本发明的第二方面提供了一种基板处理装置，包括容纳基 板的处理室、置于处理室中且其上安装基板的安装台、置于安装台上 以便围绕被安装基板的外周部的环形聚焦环、面向安装台布置并将处 理气体喷入处理室中的气体喷射系统，并且对容纳于处理室中的基板 执行等离子体处理，其中气体喷射系统朝向聚焦环的至少一部分喷射 控温气体。本发明的第二方面能够提供一种基板处理装置，其还包括测量聚 焦环温度的温度测量装置。根据本发明的第二方面，测量聚焦环的温度。因而，能够将聚焦 环的温度精确地控制在预定的处理时温度。因此，本发明的第三方面提供了一种基板处理装置，包括容纳基 板的处理室、置于处理室中且其上安装基板的安装台、和置于安装台 上以便围绕被安装基板的外周部的环形聚焦环，并且对容纳于处理室 中的基板执行等离子体处理，其中在安装台中形成有喷射孔，通过该 喷射孔朝向聚焦环的至少一部分喷射控温气体。因此，本发明的第四方面提供了 一种由基板处理装置执行的基板 处理方法，其中基板处理装置具有容纳基板的处理室并且利用处理室 中产生的等离子体对容纳于处理室中的基板进行等离子体处理，该方 法包括在将基板容纳于处理室中之前，朝向面向等离子体的处理室内 部件的至少一部分喷射控温气体的喷射步骤。本发明的第四方面能够提供一种基板处理方法，其中喷射歩骤包 括测量处理室内部件的温度的测量步骤。本发明的第四方面能够提供一种基板处理方法，其还包括在执行喷射步骤之前将处理室中的压力控制在665至1330帕(5至10托)的 压力控制步骤。根据本发明的第四方面，将处理室中的压力控制在665至1330帕 (5至10托)。因此，可以使从朝向处理室内部件喷射的控温气体向处理室内部件的传热效率达到最佳。本发明的第四方面能够提供一种基板处理方法，还包括在执行喷 射步骤之后并将基板容纳于处理室中之前，将在喷射步骤中已被喷射 控温气体的处理室内部件放置至少一秒钟的放置步骤。根据本发明的第四方面，将已被喷射控温气体的处理室内部件放 置至少一秒钟。因此，从控温气体传递的热量可靠均匀地分布在整个 处理室内部件上，因此能够可靠地使处理室内部件的温度变得均匀。本发明的第四方面能够提供一种基板处理方法，其中处理室内部 件是环形聚焦环，其设置在置于处理室中的安装台上以便围绕安装在 安装台上的基板的外周部。本发明的第四方面能够提供一种基板处理方法，其中控温气体是 高温气体。通过下面结合附图进行的详细描述，本发明的特征和优点将会变 得更加明显。
图1是示意性地示出根据本发明第一实施方式的基板处理装置的 结构的视图。图2是由图1中所示的基板处理装置执行的基板处理的流程图。 图3是示意性地示出根据本发明第二实施方式的基板处理装置的 结构的视图。图4是示意性地示出根据本发明第三实施方式的基板处理装置的 结构的视图。
具体实施方式
现在将参考示出优选实施方式的附图详细描述本发明。首先，将描述根据本发明第一实施方式的基板处理装置。图1是示意性地示出根据本实施方式的基板处理装置的结构的视图。基板处理装置被构造成在作为基板的半导体装置用晶片上进行作为等离子体处理的蚀刻处理。如图1中所示，基板处理装置IO具有室11 (处理室)，其中容纳具有例如300毫米直径的半导体装置晶片(下文中仅称作"晶片")W。圆柱形基座12设置于基板处理室11中作为安装晶片W于其上的安装 台。在基板处理装置10中，在室ll的内侧壁与基座12的侧面之间， 形成用作基座12上方的气体从室11中排出的流动路径的侧排气路径 13。排气板14沿着侧排气路径13的途中设置。室11的内壁面覆盖有 石英或氧化钇(Y203)。排气板14是具有多个孔的板状部件，用作将室11分隔成上部和 下部的隔板。在由排气板14隔开的室11的上部(下文中称作"反应 室")17的下述处理空间S中，产生后述等离子体。在室11的下部(下 文中称作"排气室(歧管)")18中，开口有将气体从室11中排出的粗 抽排气管15和主排气管16。粗抽排气管15连接有DP (干泵)(未示 出)，主排气管16具有通过包括可变蝶形阀的APC阀(自动压力控制 阀)(未示出)与其连接的TMP (涡轮分子泵)(未示出)。排气板14 捕捉或反射在反应室17的处理空间S中产生的离子和自由基，以防止 离子和自由基泄漏到歧管18中。粗抽排气管15和主排气管16通过歧管18将反应室17中的气体 从室11中排出。具体地，粗抽排气管15将室11中的压力从大气压力 减小到低真空状态，与粗抽排气管15协同操作主排气管16将室11中 的压力从大气压力减小到高真空状态(例如不超过133帕(1托)的压 力)，处于比低真空状态低的压力。上述APC陶控制室ll中的压力。通过下部匹配器20将下部射频电源19连接到基座12上。下部射 频电源19向基座12施加预定的射频电力。基座12因而用作下部电极。 下部匹配器20减小从基座12的射频电力的反射，以使对基座12的射 频电力的供给效率达到最大化。内部具有静电电极板21的静电夹盘22设置在基座12的上部。静 电夹盘22由铝制成，且将陶瓷等热喷涂在静电夹盘22的上表面上。 当将晶片W安装在基座12上时，晶片W设置于静电夹盘22的上表 面上。而且，将直流电源23电连接到静电夹盘22的静电电极板21上。 一旦正的高直流电压施加到静电电极板21上，则在晶片W的面向静 电夹盘22的表面(下文中称作"晶片W的后表面")上产生负电位。因而在静电电极板21与晶片W的后表面之间产生电位差，因此晶片W通过因电位差产生的库仑力或约翰逊-拉别克(Johnsen-Rahbek)力被吸附到并保持在静电夹盘22的上表面上。环形聚焦环24 (处理室内 部件)设置于基座12的上部以围绕被吸附到并保持在静电夹盘22的 上表面上的晶片W。聚焦环24由硅等导电部件制成。聚焦环24面向 处理空间S中产生的等离子体，并将处理空间S中的等离子体朝向晶 片W的前表面聚焦，因而提高了蚀刻处理的效率。在基座12内部设置有例如沿着基座12的圆周方向延伸的环形冷 却剂室25。例如冷却水或Galden (注册商标)液等处于低温的冷却剂， 从冷却器单元(未示出)通过冷却剂室25循环。由低温冷却剂冷却的 基座12通过静电夹盘22冷却晶片W。晶片W的温度主要通过经冷却 剂室25循环的冷却剂的温度和流量来控制。多个传热气体供应孔27向静电夹盘22的上表面上吸附并保持晶 片W的部分(下文中称作"吸附面")开口。传热气体供应孔27由传 热气体供应管28连接至传热气体供应单元(未示出)。传热气体供应 单元通过传热气体供应孔27将作为传热气体的氦气(He)提供到吸附 面与晶片W的后表面之间的间隙中。供应到吸附面与晶片W的后表 面之间的间隙中的氦气有效地将热量从晶片W传递给静电夹盘22。气体导入喷头29设置于室11的顶部面向基座12。上部射频电源 31通过上部匹配器30连接到气体导入喷头29上并向气体导入喷头29 施加预定的射频电力。气体导入喷头29因而用作上部电极。上部匹配 器30具有与上述下部匹配器20类似的功能。气体导入喷头29包括具有多个气孔32的顶部电极板33，和可拆 卸地支撑顶部电极板33的电极支座34。缓冲室35设置在电极支座34 内，且从处理气体供应源36导入处理气体的处理气体导入管37连接 至缓冲室35。气体导入喷头29将从处理气体导入管37供应到缓冲室 35中的处理气体经由气孔32供应到反应室17中。在基板处理装置10中，在尚未经过蚀刻处理的晶片W容纳于室 11中并被吸附到和保持在静电夹盘22的上表面上之后，将射频电力施 加于基座12和气体导入喷头29，以将射频电力施加于基座12与气体 导入喷头29之间的处理空间S。因此，在处理空间S中，从气体导入喷头29供应的处理气体变成高密度等离子体以便产生离子和自由基， 因此尚未经过蚀刻处理的晶片W受到离子和自由基的蚀刻处理。连接至高温气体导入单元38的喷嘴39设置于反应室17中的聚焦 环24的上方。喷嘴39朝向聚焦环24的至少一部分喷射从高温气体导 入单元38导入并被控制在预定温度的高温气体(控温气体)。此时， 高温气体的热量传递给聚焦环24，以便升高聚焦环24的温度。高温气体导入单元38具有根据从控制单元40接收到的控制信号， 将从气体供应源(未示出)供应的气体，例如具有高传热性和低反应 性的惰性气体控制在预定温度的加热器等气体温度控制单元41;和根 据从控制单元40接收到的控制信号，对已由气体温度控制单元41控 制温度的高温气体的导入的接通/关闭进行控制的导入控制单元42。测量聚焦环24的温度的温度测量装置43设置于室11的侧壁内。 温度测量装置43使用例如基本结构基于迈克尔逊干涉仪结构的低相干 干涉仪，通过参考从朝向聚焦环24照射的测量光分支的参考光与来自 聚焦环24的测量光的反射光的干涉波形的变化，来测量聚焦环24的 温度。而且，温度测量装置43将基于聚焦环24的测量温度的温度信 号传送给控制单元40。应该注意到温度测量装置43可以设置在基座 12的内部，从其后表面测量聚焦环24的温度。而且，温度测量装置 43并不局限于使用上述低相干干涉仪的装置，而可以是从上方观察聚 焦环24的前表面并测量其温度的温度测量传感器等。基于从温度测量装置43接收到的温度信号，控制单元40将控制 信号传送给气体温度控制单元41和导入控制单元42以使聚焦环24的 温度能够与预定的处理时温度相等，具体为使处理空间S中产生的等 离子体与聚焦环24之间热传递的量达到最小，并且使晶片W的外周 部与聚焦环24之间热传递的量达到最小的温度。在基板处理装置10中，喷嘴39、高温气体导入单元38、温度测 量装置43和控制单元40构成控温机构(喷射机构)，将聚焦环24的 温度控制在上述预定的处理时温度。在基板处理装置10中，在尚未经过蚀刻处理的晶片W容纳于室 11中之前，上述的控温机构将聚焦环24的温度控制在上述预定的处理 时温度。在将晶片W送入和从室11中送出时使用的输送口 44设置在室11的侧壁中，且用于打开和关闭输送口 44的闸阀45设置于输送口 44中。 由基板处理装置10的控制单元(未示出)的CPU根据用于蚀刻 处理的程序来控制上述基板处理装置10的组成部件的操作。接着将描述由根据本实施方式的基板处理装置执行的基板处理。 图2是由图1中所示的基板处理装置10执行的基板处理的流程图。 如图2中所示，首先，在尚未经过蚀刻处理的晶片W容纳于室ll 中之前，将室11中的压力控制到例如665至1330帕(5至10托)的 压力，使得从在后述步骤S22中从喷嘴39向聚焦环24喷射的高温气 体向聚焦环24的热传递的效率达到最佳(步骤S21)。接着，使用温度测量装置43测量聚焦环24的温度，并且从喷嘴 39向聚焦环24的至少一部分喷射高温气体(步骤S22)。在步骤S22 中，通过上述控温机构将聚焦环24的温度控制在上述预定的处理时温 度。应该注意到聚焦环24由例如具有高传热性的硅制成，因此即使在 将高温气体喷射到聚焦环24的一部分上时，从高温气体传递的热量也 均匀地分布在整个聚焦环24上，以便能够均匀地升高整个聚焦环24 的温度。然后，将在步骤S22中被喷射高温气体的聚焦环24放置至少一秒 钟(步骤S23)。因此，在步骤S22中从高温气体传递的热量可靠均匀 地分布在整个聚焦环24上，以使整个聚焦环24的温度能够确实地变 均匀。然后，将室ll中的压力控制到适于传送晶片W的压力(步骤S24)。 因此，在将晶片W传送到室11中时可以防止气体及颗粒从外部流入 室11中。然后，将尚未进行蚀刻处理的晶片W传送到室11中并安装到静 电夹盘22的上表面上(步骤S25)。然后，与步骤S21相似，将室11中的压力控制在例如665至1330 帕(5至10托)的压力，以使上述热传递效率达到最佳(步骤S26)。然后，与步骤S22相似，利用温度测量装置43测量聚焦环24的 温度，并从喷嘴39向聚焦环24的至少一部分喷射高温气体(步骤S27)。 同样在步骤S27中，通过上述控温机构将聚焦环24的温度控制在预定的处理时温度，继而使晶片W在室11中待机(步骤S28)。因此，能够将聚焦环24的温度可靠地控制在预定的处理时温度。然后，将晶片W吸附到并保持在静电夹盘22的上表面上，并将 射频电力施加于基座12和气体导入喷头29，使得将射频电力施加到基 座12与气体导入喷头29之间的处理空间S中。因此，在处理空间S 中，从气体导入喷头29供应的处理气体变成高密度等离子体，因此产 生离子和自由基。通过离子和自由基对尚未进行蚀刻处理的晶片W进 行蚀刻处理(步骤S29)。这里，因为已将聚焦环24的温度控制在上述 预定的处理时温度，所以在处理空间S中产生的等离子体与聚焦环24 之间的传热量达到最小，使得晶片W上的等离子体能够保持在期望状 态。而且，晶片W的外周部与聚焦环24之间的传热量也达到最小， 使得晶片W表面上的处理温度能够保持均匀。然后，将已进行蚀刻处理的晶片W从室11中传送出去(歩骤S30 )， 随后处理终止。根据图2所示的基板处理，在将尚未进行蚀刻处理的晶片W容纳 于室11中之前，从喷嘴39向聚焦环24的至少一部分喷射高温气体， 以便将聚焦环24的温度控制在预定的处理时温度，之后，将晶片W传 送到室11中并进行蚀刻处理。因而使处理空间S中产生的等离子体与 聚焦环24之间的传热量达到最小，以使晶片W上的等离子体能够保 持在期望状态。而且，晶片W的外周部与聚焦环24之间的传热量也 达到减小，以使晶片W表面上的处理温度能够保持均匀。因此，可以 提高蚀刻处理的均匀性。而且，在将晶片W传送到室ll中之后，从 喷嘴39向聚焦环24的至少一部分喷射高温气体，并使晶片W在室11 中待机。因此，能够将聚焦环24的温度可靠地控制在预定的处理时温 度。在本实施方式中，通过从喷嘴39向聚焦环24喷射高温气体来控 制聚焦环24的温度，然而可替代性地通过向聚焦环24照射激光来进 行控制。而且，在本实施方式中，从喷嘴39向聚焦环24喷射高温气体， 然而如果存在聚焦环24以外的、面向处理空间中产生的等离子体的任 何室内部件，则也向该室内部件喷射高温气体。因此，能够将晶片W上的等离子体可靠地保持在期望状态。下面将描述根据本发明第二实施方式的基板处理装置。 本实施方式在结构和操作上与上述第一实施方式基本相同，与第一实施方式的不同在于控温机构的结构。因此与第一实施方式中相同的结构和操作特征将不再赘述，下面仅描述与第一实施方式不同的特征。图3是示意性地示出根据本实施方式的基板处理装置的结构的视图。如图3中所示，气体喷射喷头47 (气体喷射系统)设置于基板处 理装置46中的室11的顶部。导入来自处理气体供应源36的处理气体并导入来自高温气体导入 单元38的高温气体的气体导入管48，与气体喷射喷头47的缓冲室35 相连接。气体喷射喷头47将从气体导入管48导入到缓冲室35中的处 理气体通过气孔32喷射到反应室17中，并将从气体导入管48导入至 缓冲室35中的高温气体通过气孔32向聚焦环24的至少一部分喷射。在本实施方式中，气体喷射喷头47、高温气体导入单元38、温度 测量装置43和控制单元40构成控温机构(喷射机构)，将聚焦环24 的温度控制在预定的处理时温度。根据本实施方式，因为从将处理气体喷射到反应室17中的气体喷 射喷头47向聚焦环24的至少一部分喷射高温气体，所以在对晶片W 进行蚀刻处理时使用简单的结构能够获得与上述第一实施方式相同的 效果。接着将描述根据本发明第三实施方式的基板处理装置。 本实施方式在结构和操作上与上述第一和第二实施方式基本相 同，与第一和第二实施方式的不同在于控温机构的结构。因此与第一 和第二实施方式中相同的结构和操作特征将不再赘述，下面仅描述与 第一和第二实施方式不同的特征。图4是示意性地示出根据本实施方式的基板处理装置的结构的视图。如图4中所示，在基板处理装置49的基座12中，形成有喷射孔 51,导入来自高温气体导入单元38的高温气体的气体导入管50与喷射孔51相连接，并且从喷射孔51向聚焦环24的至少一部分喷射高温气体。在本实施方式中，喷射孔51、高温气体导入单元38、温度测量装 置43和控制单元40构成控温机构(喷射机构)，将聚焦环24的温度 控制在预定的处理时温度。根据本实施方式，因为从基座12中形成的喷射孔51向聚焦环24 的至少一部分喷射高温气体，所以在对晶片W进行蚀刻处理时使用简 单的结构能够获得与上述第一实施方式相同的效果。在上述各实施方式中，进行蚀刻处理的基板不局限于半导体装置 用的晶片，而可以是LCD (液晶显示器)、FPD (平板显示器)等中使 用的各种基板、光掩模、CD基板、印刷基板等。应该理解的是，还可通过提供具有存储有实现上述任一实施方式 的功能的软件程序代码的存储介质的计算机、并且使计算机的CPU读 取并执行存储在存储介质中的程序代码来实现本发明的目的。在此情况下，从存储介质中读取的程序代码本身实现上述任一实 施方式的功能，因此程序代码和存储程序代码的存储介质构成本发明。用于提供程序代码的存储介质的实例包括RAM， NV-RAM，软盘 (注册商标)，硬盘，磁光盘，例如CD-ROM、 CD-R、 CD-RW、 DVD-ROM、 DVD-RAM、 DVD-RW或DVD+證的光盘，磁带、非易 失性存储卡和ROM。可选地，可以通过从连接到因特网、商业网络、 局域网等的未示出的另一计算机、数据库等下载来提供程序代码。而且，应该理解的是，不仅可以通过执行由计算机读取的程序代 码，还可以通过基于程序代码的指令使操作计算机的OS (操作系统) 等执行部分或全部实际操作，来实现上述任一实施方式的功能。而且，应该理解的是，可以通过将从存储介质读取的程序代码写 入插入计算机中的扩展板中提供的存储器、或者连接于计算机的扩展 单元中提供的存储器中，然后基于程序代码的指令使扩展板或扩展单 元中提供的CPU等执行部分或全部实际操作，来实现上述任一实施方 式的功能。程序代码的形式可以是目标代码、由解释程序执行的程序代码、 提供给OS的脚本(script)数据等等。
权利要求
1.一种基板处理装置，其具有容纳基板的处理室并且利用所述处理室中产生的等离子体对容纳于处理室中的所述基板进行等离子体处理，所述基板处理装置包括喷射机构，适于朝向面向等离子体的处理室内部件的至少一部分喷射控温气体。
2. 如权利要求1所述的基板处理装置，其中所述喷射机构包括喷 射所述控温气体的喷嘴。
3. 如权利要求1所述的基板处理装置，其中所述喷射机构包括测 量所述处理室内部件的温度的温度测量装置。
4. 如权利要求1所述的基板处理装置，其中所述处理室内部件是 环形聚焦环，其设置在置于所述处理室中的安装台上以便围绕安装在 所述安装台上的所述基板的外周部。
5. 如权利要求1所述的基板处理装置，其中所述控温气体是高温气体。
6. —种基板处理装置，包括容纳基板的处理室、置于所述处理室 中且其上安装所述基板的安装台、置于所述安装台上以便围绕被安装 基板的外周部的环形聚焦环、面向所述安装台布置并将处理气体喷射 至所述处理室中的气体喷射系统，并且对所述处理室中容纳的所述基 板执行等离子体处理，其中所述气体喷射系统向所述聚焦环的至少一部分喷射控温气体。
7. 如权利要求6所述的基板处理装置，还包括测量所述聚焦环的 温度的温度测量装置。
8. —种基板处理装置，包括容纳基板的处理室、置于所述处理室 中且其上安装所述基板的安装台、和置于所述安装台上以便围绕被安 装基板的外周部的环形聚焦环，并且对所述处理室中容纳的所述基板 执行等离子体处理，其中在所述安装台中形成有喷射孔，通过所述喷射孔向所述聚焦 环的至少一部分喷射控温气体。
9. 一种通过基板处理装置执行的基板处理方法，所述基板处理装 置具有容纳基板的处理室并且利用所述处理室中产生的等离子体对容纳于处理室中的所述基板进行等离子体处理，所述方法包括在将所述基板容纳于所述处理室中之前，朝向面向等离子体的处 理室内部件的至少一部分喷射控温气体的喷射步骤。
10. 如权利要求9所述的基板处理方法，其中所述喷射步骤包括 测量所述处理室内部件的温度的测量步骤。
11. 如权利要求9所述的基板处理方法，还包括在执行所述喷射步骤之前，将所述处理室中的压力控制在665至1330帕(5至10托)的压力控制步骤。
12. 如权利要求9所述的基板处理方法，还包括在执行所述喷射 步骤之后并将所述基板容纳于所述处理室中之前，将在所述喷射歩骤 中已被喷射控温气体的所述处理室内部件放置至少一秒钟的放置步 骤。
13. 如权利要求9所述的基板处理方法，其中所述处理室内部件 是环形聚焦环，其设置在置于所述处理室中的安装台上以便围绕安装 在所述安装台上的所述基板的外周部。
14. 如权利要求9所述的基板处理方法，其中所述控温气体是高 温气体。
全文摘要
一种能够提高对晶片进行的等离子体处理的均匀性的基板处理装置。晶片容纳于基板处理装置的室中，并受到使用处理室中产生的等离子体所执行的等离子体处理。控温机构朝向面向等离子体的环形聚焦环的至少一部分喷射高温气体。
文档编号H01L21/00GK101276737SQ20081008684
公开日2008年10月1日 申请日期2008年3月19日 优先权日2007年3月26日
发明者守屋刚, 山涌纯 申请人:东京毅力科创株式会社