技术编号:3254160
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了含钌前体和在CVD和ALD中使用该含钌前体的方法。背景技术钌膜和含钌膜,例如SrRuO和RuO2,已用于半导体器件(例如金属电极和Cu晶种层)中的若干部件。钌的电阻率低于Ir和Pt。另外,RuO2的电导率优于两种相应的Ir和 Pt金属氧化物,这在沉积的金属层在后继工艺过程中与氧化剂(例如02、O3)接触时是重要的。随着芯片尺寸变小,各层必须更薄。因此需要化学气相沉积(CVD)和优选原子层沉积(ALD)技术,还需要可用于CVD和ALD模式的前体。...
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