技术编号：3254170
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在基板上形成被膜的成膜装置及其维护方法。本申请基于2010年06月25日于日本申请的特愿2010-145350号主张优先权，在此援用其内容。背景技术现在的太阳能电池中，单晶硅(Si)型和多晶硅型占据大半。但是，担心Si的材料不足等，近年来，制造成本低且材料不足的风险小的形成有薄膜Si层的薄膜太阳能电池的需求升高。进而，在现有型的仅a-Si (非晶硅)层的薄膜太阳能电池的基础上，最近通过层积a-Si层与yc-Si (微晶硅)层从而实现转换效率的提高...
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