专利名称：成膜装置、成膜装置的维护方法
技术领域：
本发明涉及在基板上形成被膜的成膜装置及其维护方法。本申请基于2010年06月25日于日本申请的特愿2010-145350号主张优先权，在此援用其内容。
背景技术：
现在的太阳能电池中，单晶硅(Si)型和多晶硅型占据大半。但是，担心Si的材料不足等，近年来，制造成本低且材料不足的风险小的形成有薄膜Si层的薄膜太阳能电池的需求升高。进而，在现有型的仅a-Si (非晶硅)层的薄膜太阳能电池的基础上，最近通过层积a-Si层与yc-Si (微晶硅)层从而实现转换效率的提高的叠层型薄膜太阳能电池的需求升高。 这种薄膜太阳能电池的薄膜硅层(半导体层)的成膜多使用等离子体CVD装置。作为等离子体CVD装置，存在群集式PE-CVD (等离子体CVD)装置、线列型PE-CVD装置、批次式PE-CVD装置等。但是，叠层型薄膜太阳能电池的制造上的课题在于使用CVD法形成微晶硅(μ rn-Si)发电层时同时生成的副生成物即大量的聚硅烷粉的处理。聚硅烷粉为茶褐色粉末(茶粉)，因具有可燃性，故其处理需要注意。当在成膜室内连续进行基板的成膜时，副生成物附着在成膜室内的各处。该副生成物在之后的成膜时附着在基板上时，产生作为薄膜太阳能电池的转换效率下降等的问题。以往，为了防止静电、防止副生成物的飞散，在成膜室的维护(清洁)之前对副生成物喷水(水蒸气)(例如，参考专利文献I)。但是，在该方法中，副生成物因水(水蒸气)而变为液体，具有粘性因而难以去除。另外，因使用水而存在维护后的腔室的启动耗费时间等的问题。专利文献I :特开2010-1554号公报
发明内容
本发明有鉴于以往的实情，第一目的在于提供一种能够在非成膜时迅速且简便地处理含有形成硅膜时产生的聚硅烷的副生成物的成膜装置。进而，本发明的第二目的在于提供一种能够在非成膜时迅速且简便地处理含有形成硅膜时产生的聚硅烷的副生成物的成膜装置的维护方法。为了解决上述问题达到上述第一和第二目的，本发明的若干方案提供如下的成膜装置、成膜装置的维护方法。(I)本发明的一个方案所涉及的成膜装置，具备成膜室，在减压下在基板上形成被膜；点火部，对在所述成膜室内产生的可燃性的副生成物进行点火；第一气体供给部，对所述成膜室供给氧气；第二气体供给部，对所述成膜室供给氮气；以及第一检测部，测定所述成膜室内的压力。(2)在上述(I)所述的成膜装置中，还可以在所述成膜室中设置有测定所述副生成物的温度的第二检测部。(3)在上述(I)或(2)所述的成膜装置中，还可以在所述成膜室中设置有测定所述成膜室内的空间温度的第三温度检测部。(4)本发明的一个方案所涉及的成膜装置的维护方法，为在减压下在基板上形成被膜的成膜装置的维护方法，从所述成膜装置的成膜室内向该成膜室外搬送形成有被膜的所述基板(工序A)，对所述成膜室内导入氧气(工序B)，对因成膜产生的可燃性的副生成物进行点火(工序C)，使所述副生成物燃烧(工序D)，对所述成膜室内导入氮 气(工序E)，从所述成膜室去除在使所述副生成物燃烧时产生的不燃性的氧化副生成物(工序F)。(5)上述(4)所述的成膜装置的维护方法还可以在所述工序D中，补给氧气以使所述成膜室的压力大致固定。(6)上述(4)或(5)所述的成膜装置的维护方法还可以在所述工序D中，闭锁所述成膜室的排气系统。(7)上述(4)至(6)中的任一项所述的成膜装置的维护方法还可以在所述工序C和所述工序D中，进行压力控制以使所述成膜室的压力大致相同。(8)上述(4)至(6)中的任一项所述的成膜装置的维护方法还可以所述工序C进行压力控制以使与所述燃烧工序相比所述成膜室的压力为低压。(9)上述(4)至(8)中的任一项所述的成膜装置的维护方法还可以通过氮气稀释从所述成膜室排出的排气气体。根据本发明的上述方案所涉及的成膜装置，通过对成膜室内的副生成物供给氧气并使其燃烧，从而能够使可燃性的副生成物变为不燃性的氧化物。因此，能够在非成膜时迅速且简便地处理含有形成硅膜时产生的聚硅烷的副生成物。根据本发明的上述方案所涉及的成膜装置的维护方法，通过具备对成膜室内的副生成物进行点火，供给氧气并使其燃烧的工序，从而能够使可燃性的副生成物变为不燃性的氧化物。因此，能够在非成膜时迅速且简便地处理含有形成硅膜时产生的聚硅烷的副生成物。
图I是表示被成膜物的一例即薄膜太阳能电池的一例的概要剖视图；图2是本发明的一实施方式中的成膜装置的概要结构图；图3A是相同实施方式中的成膜室的立体图；图3B是从其他角度观察相同实施方式中的成膜室的立体图；图3C是相同实施方式中的成膜室的侧视图；图3D是表不相同实施方式中的点火部的一例的剖视图；图4A是相同实施方式中的电极单元的立体图；图4B是相同实施方式中的电极单元的其他角度的立体图；图4C是相同实施方式中的电极单元的部分分解立体图；图4D是相同实施方式中的电极单元的阴极单元和阳极单元的部分剖视图5A是相同实施方式中的放入取出室的立体图；图5B是相同实施方式中的放入取出室的其他角度的立体图；图6是相同实施方式中的推挽机构的概要结构图；
图7A是表示相同实施方式中的基板装卸室的概要结构的立体图；图7B是表示相同实施方式中的基板装卸室的概要结构的前视图；图8是相同实施方式中的基板收容盒的立体图；图9是相同实施方式中的托架的立体图；图10是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(I)；图11是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(2)；图12是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(3)；图13是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(4)；图14是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(5)；图15A是表示相同实施方式中的推挽机构的动作的说明图(I)；图15B是表示相同实施方式中的推挽机构的动作的说明图(2)；图16是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(6)；图17是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(7)；图18是表示相同实施方式所涉及的实施方式中的薄膜太阳能电池的制造方法的过程的说明图(8)，是基板插入电极单元时的概要剖视图；图19是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(9)；图20是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(10)；图21是表示相同实施方式所涉及的薄膜太阳能电池的制造方法的过程的说明图
(11)，是基板设置于电极单元时的部分剖视图；图22是表示相同实施方式所涉及的成膜过程的说明图(12)；图23是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(13)；图24是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(14)；图25是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(15)；图26是表示相同实施方式所涉及的实施方式中的成膜装置的其他方案的概要结构图；图27是表示本发明的实施方式中的成膜装置的另一配置方法的概要结构图；图28是表示本发明的实施方式中的成膜装置的又一配置方法的概要结构图；图29是表示本发明的实施方式中的成膜装置的维护方法的工序B、工序C、工序D、工序E-1、工序E-2的说明图；图30是表示在相同实施方式所涉及的成膜装置的维护方法的上述各工序中成膜室压力的变化的图表；图31是表示本发明的成膜装置的另一实施方式所涉及的维护方法的工序B、工序C、工序D、工序E-1、工序E-2的说明图；图32是表示在相同实施方式所涉及的成膜装置的维护方法的上述各工序中成膜室压力的变化的图表；图33是表不本发明的一实施例的图表。
具体实施例方式下面，对本发明的实施方式所涉及的成膜装置、成膜装置的维护方法进行说明。(薄膜太阳能电池)首先，对作为通过本实施方式的成膜装置形成的被成膜物的一例的薄膜太阳能电池的结构进行例示。图I是薄膜太阳能电池的剖视图。如图I所示，薄膜太阳能电池100层积有构成表面的基板W、由设置在基板W上的透明导电膜组成的上部电极101、由非晶硅构成的顶电池102、由设置在顶电池102与后述的底电池104之间的透明导电膜组成的中间电极103、由微晶硅构成的底电池104、由透明导电膜组成的缓冲层105以及由金属膜组成的背面电
极 106。S卩，薄膜太阳能电池100为a-Si/微晶Si叠层型太阳能电池。在这种叠层结构的薄膜太阳能电池100中，通过分别由顶电池102吸收短波长光，由底电池104吸收长波长光，从而能够实现发电效率的提闻。顶电池102的P层(102p)、i层(102i)、η层(102η)三层结构由非晶硅形成。另夕卜，底电池104的P层(104p)、i层(104i)、n层(104η)三层结构由微晶硅构成。如此构成的薄膜太阳能电池100，当包含在太阳光中的称作光子的能量粒子撞击到i层时，通过光伏效应产生电子和空穴(hole)，电子向着η层移动，空穴向着P层移动。通过从上部电极101和背面电极106取出该通过光伏效应产生的电子，能够将光能转换为电能。另外，通过在顶电池102与底电池104之间设置中间电极103，通过顶电池102到达底电池104的光的一部分由中间电极103反射并再次入射到顶电池102侧，因此电池的感光度特性提高，有助于发电效率的提高。从玻璃基板W (以下仅称为基板W)侧入射的太阳光，通过各层并由背面电极106反射。在薄膜太阳能电池100中，为了提高光能的转换效率，采用了以拉伸入射到上部电极101的太阳光的光路的棱镜效应与光的封闭效应为目的的纹理结构。(成膜装置)图2是表示本发明的成膜装置(薄膜太阳能电池制造装置)的一例的概要结构图。如图2所示，成膜装置10具备能够使用CVD法对多个基板W同时形成被膜(例如，由微晶硅构成的底电池104)的成膜室11、能够同时收容搬入到成膜室11中的成膜处理前基板Wl与从成膜室11搬出的成膜处理后基板W2的放入取出室13、对于托架21 (参考图9)装卸基板W (成膜处理前基板Wl和成膜处理后基板W2)的基板装卸室15、用于从托架21 (参考图9)上装卸基板W的基板装卸机器人(驱动机构)17以及为向其他处理工序搬送基板W而收容基板W的基板收容盒(搬送部)19。在本实施方式中，设置有四个由成膜室11、放入取出室13以及基板装卸室15构成的基板成膜线16。基板装卸机器人17能够在铺设于地面上的轨道18上移动，能够通过一台基板装卸机器人17进行向所有的基板成膜线16传递基板W。由成膜室11与放入取出室13构成的流程模块14 一体化，并以可装载于卡车的大小形成。图3A是表示成膜室的概要结构的立体图。图3B是从与图3A不同的角度观察的立体图。图3C是表示成膜室概要结构的侧视图。如图3A 图3C所示，成膜室11大致形成箱型。在成膜室11与放入取出室13连接的侧面23上形成有三处搭载基板W的托架21可通过的托架搬出入口 24。在托架搬出入口 24上设置有开闭托架搬出入口 24的挡板(第一开闭部)25。关闭挡板25时，托架搬出入口 24被关闭并确保气密性。在与侧面23对置的侧面27上安装有三台用于对基板W实施成膜的电极单元31。电极单元31可从成膜室11装卸。在成膜室11的侧面下部28连接有用于对成膜室11内进行真空排气的排气管29，在排气管29上设置有真空泵30。 在成膜室11的底面的四角分别设置有总计四处点火部39。点火部39例如图3D所示，可以由具备暴露在成膜室11内的棒状的红热部39a的SiC加热器构成。SiC加热器例如能够将红热部39a加热至1100°C的程度。这样的点火部39在对后述的可燃性的副生成物点火时通电。优选地，点火部39的红热部39a以外的部分例如通过金属等的盖39b覆盖以使在成膜室11内副生成物不会直接堆积。优选地，点火部39的红热部39a以其前端向成膜室11的底面延伸的方式倾斜设置。据此，对于堆积在成膜室11的底面的可燃性的副生成物Q能够确实地进行点火。在成膜室11的侧面23上设置有用于测定成膜室11内的压力的压力计(第一检测部)91。压力计91例如可测定从真空到常压的范围的压力，输出成膜室11内的压力值。在成膜室11的底面的各边的中间附近设置有下部温度计(第二检测部)92。下部温度计92例如可以由热电偶构成。这些下部温度计92测定成膜后堆积在成膜室11的下部的副生成物燃烧时的温度，副生成物堆积在成膜室11中时，例如热电偶的传感器部分可安装在被副生成物埋没的程度的高度位置。优选地，下部温度计92设置在成膜室11的底面的各边的点火部39之间的中间点。这是由于下部温度计92有时会在确认副生成物的燃烧结束时使用，因此优选设置在向副生成物的燃烧蔓延最迟的部分。向副生成物的燃烧蔓延最迟的部分多在副生成物的堆积多、远离点火部39的底面的各边的中间附近。如果下部温度计92的设置位置与堆积在下部的副生成物接触，则能够确认堆积在下部的副生成物的燃烧。在成膜室11的上部设置有用于测定成膜室11内的空间温度的上部温度计(第三检测部)93。上部温度计93例如可以由热电偶构成。上部温度计93测定副生成物燃烧时成膜室11内的空间温度、即成膜室11内的气体的温度。因此，优选地，上部温度计93在成膜室11的上部尽可能设置在中央附近。但是，在设置有基板或托架的搬送部的情况下，也可以设置在其间。由点火部39点火时，通过成膜室11内的气体的燃烧成膜室内瞬间变为高温。上部温度计93通过确认该温度上升，从而能够检测点火状况。成膜室11与对成膜室11导入氧气的氧气供给部(第一气体供给部)160和导入氮气的氮气供给部(第二气体供给部)150连接。氧气供给部160和氮气供给部150经由未图示的配管，被供给到后述的成膜室11的阴极单元68 (参考图4D)。氧气供给部160与氮气供给部150的导入位置并不限定于阴极单元68，只要导入成膜室11即可。进而，氧气供给部160与氮气供给部150的导入位置也可以不同。图4A是表示电极单元31的概要结构的立体图。图4B是从与图4A不同的角度观察的立体图。图4C是电极单元31的部分分解立体图。图4D是阴极单元和阳极单元的部分剖视图。电极单元31被构成为可在形成于成膜室11的侧面27上的三处开口部26装卸(参考图3B)。电极单元31被构成为在下部设置有车轮61并可在地面上移动。 在安装有车轮61的底板部62上沿铅直方向竖立设置有侧板部63。该侧板部63具有封闭成膜室11的侧面27的开口部26的大小。即，侧板部63构成成膜室11的壁面的一部分。如图4C所示，带车轮61的底板部62也可以作为可与电极单元31分离、连接的台车结构。通过如此可分离的台车结构，将电极单元31连接到成膜室11之后，能够分离台车，作为共用的台车使用于其他电极单元31的移动。在侧板部63的一个面(面向成膜室11内部的面)65上设置有实施成膜时位于基板W的两面的阳极单元90与阴极单元68。在本实施方式的电极单元31中，隔着阴极单元68并在两侧隔开分别配置有阳极单元90，通过一个电极单元31能够同时对两块基板W进行成膜。因此，基板W在与重力方向大致平行的状态下，分别对置配置在阴极单元68的两面侧，两个阳极单元90在与各基板W分别对置的状态下，配置在各基板W的厚度方向外侧。阳极单元90由板状的阳极67与内置于阳极单元90中的加热器H构成。在侧板部63的另一个面69上安装有用于驱动阳极单元90的驱动装置71以及实施成膜时用于对阴极单元68的阴极中间部件76供电的匹配箱72。在侧板部63上进一步形成有对阴极单元68供给成膜气体的配管用的连接部(未图示)。在阳极单元90中内置有加热器H作为控制基板W的温度的温度控制部。两个阳极单元90、90通过设置在侧板部63上的驱动装置71，能够沿相互接近、远离的方向(水平方向)移动，能够控制基板W与阴极单元68的间隔距离。具体而言，实施基板W的成膜时，两个阳极单元90、90沿阴极单元68方向移动并与基板W抵接，进一步沿接近阴极单元68的方向移动以将基板W与阴极单元68的间隔距离调节为希望的距离。然后，进行成膜，成膜结束后，阳极单元90、90沿相互远离的方向移动，从而能够从电极单元31容易地取出基板W。阳极单元90经由铰链(未图示)安装在驱动装置71上，在从成膜室11拔出电极单元31的状态下，能够转动(打开)直至阳极单元90 (阳极67)的阴极单元68侧的面67A与侧板部63的一个面65大致平行。即，阳极单元90在俯视中能够转动大致90° (参考图4A)。
阴极单元68具有簇射极板75 (=阴极)、阴极中间部件76、排气管道79以及浮游电容体82。阴极单元68与氧气供给部(第一气体供给部)160和氮气供给部(第二气体供给部)150经由未图示的配管连接。在与阳极单元90 (阳极67)对置的面上配置有分别形成有多个小孔(未图示)的簇射极板75，能够向基板W喷出成膜气体。
此外，在本实施方式中，将氧气供给部(第一气体供给部)160和氮气供给部(第二气体供给部)150导入成膜室11内时，从阴极单元68的簇射极板75喷射，但除此以外，例如还可以为从形成在成膜室11的壁面上的气体导入口直接将氧气和氮气导入成膜室11内的结构。例如还可以为在成膜室11内设置流动清洁用的气体的配管，利用该配管将氧气和氮气导入成膜室11内的结构。能够将从氧气供给部160和氮气供给部150供给的氧气和氮气从上述簇射极板75导入成膜室11内。簇射极板75、75为与匹配箱72连接的阴极(高频电极)。在两块簇射极板75、75之间设置有与匹配箱72连接的阴极中间部件76。S卩，簇射极板75在与该阴极中间部件76电连接的状态下配置在阴极中间部件76的两侧面。阴极中间部件76与簇射极板(阴极)75由导电体形成，高频经由阴极中间部件76施加在簇射极板(阴极)75上。因此，两块簇射极板75、75上施加有用于产生等离子体的同电位、同相位的电压。阴极中间部件76通过未图示的配线与匹配箱72连接。在阴极中间部件76与簇射极板75之间形成有空间部77，由气体供给装置(未图示)经由该空间部77供给成膜气体。另外，经由空间部77供给氧气和氮气。空间部77由阴极中间部件76分离。空间部77对应于各个簇射极板75、75分别形成，从各簇射极板75、75放出的气体被独立控制。即，空间部77具有气体供给通道的作用。在本实施方式中，由于空间部77对应于各个簇射极板75、75分别形成，因此阴极单元68具有两条气体供给通道。在阴极单元68的周缘部上在大致全周上设置有中空状的排气管道79。在排气管道79上形成有用于排出成膜空间81的成膜气体和反应副生成物(粉末)的排气口 80。具体而言，排气口 80形成为面向形成在实施成膜时的基板W与簇射极板75之间的成膜空间81。排气口 80沿着阴极单元68的周缘部形成有多个，从而能够在全周上大致均匀地排气。在阴极单元68的下部中的、排气管道79朝向成膜室11内的面82上形成有开口部(未图示)，能够将排出的成膜气体等向成膜室11内排出。向成膜室11内排出的气体由设置在成膜室11的侧面下部28的排气管29向外部排出。在排气管道79与阴极中间部件76之间设置有具有电介质和/或层积空间的浮游电容体82。排气管道79与接地电位连接。排气管道79也执行用于防止从阴极75和阴极中间部件76异常放电的防护框的功能。
在阴极单元68的周缘部上，以覆盖从排气管道79的外周部到簇射极板75 (=阴极)的外周部的部位的方式设置有掩膜78。掩膜78覆盖设置在托架21上的后述的夹持部59的夹持片59A (参考图9、图21)，并且实施成膜时与夹持片59A —体并形成用于将成膜空间81的成膜气体或颗粒引导至排气管道79的气体流动通道R。S卩，在托架21 (夹持片59A)与簇射极板75之间、以及与排气管道79之间形成有气体流动通道R。通过设置这样的电极单元31，从而在一个电极单元31中，形成有两处插入基板W的阳极单元90与阴极单元68的间隙。因此，能够由一个电极单元31同时对两块基板W进行成膜。回到图2，在成膜室11 基板装卸室15之间铺设有移动轨道37，以使托架21能够在成膜室11与放入取出室13之间、以及在放入取出室13与基板装卸室15之间移动。移动轨道37在成膜室11与放入取出室13之间分离，通过关闭挡板25，托架搬出入口 24可被密封。
图5A是表示放入取出室13的概要结构的立体图。图5B是从与图5A不同的角度观察的立体图。如图5A、图5B所示，放入取出室13形成箱型。侧面33与成膜室11的侧面23确保气密性地连接。在侧面33上形成有三个托架21能够插通的开口部32。与侧面33对置的侧面34与基板装卸室15连接。在侧面34上形成有三处搭载基板W的托架21可通过的托架搬出入口 35。在托架搬出入口 35上设置有能够确保气密性的挡板(第二开闭部)36。移动轨道37在放入取出室13与基板装卸室15之间分离，通过关闭挡板36，托架搬出入口 35可被密封。在放入取出室13中设置有用于使托架21沿着移动轨道37在成膜室11与放入取出室13之间移动的推挽机构38。如图6所示，推挽机构38具备卡止部48，用于卡止托架21 ;引导部件49，设置在卡止部48的两端并与移动轨道37大致平行地配置；以及移动装置50，用于使卡止部48沿着弓I导部件49移动。在放入取出室13内，为了同时收容成膜处理前基板Wl和成膜处理后基板W2，设置有用于使托架21沿在俯视中与移动轨道37的铺设方向大致正交的方向移动规定距离的移动机构(未图示)。在放入取出室13的侧面下部41连接有用于对放入取出室13内进行真空排气的排气管42，在排气管42上设置有真空泵43。图7A是表示基板装卸室的概要结构的立体图。图7B是表示基板装卸室的概要结构的前视图。如图7A、图7B所示，基板装卸室15形成为框架状，与放入取出室13的侧面34连接。在基板装卸室15中，能够将成膜处理前基板Wl安装到配置在移动轨道37上的托架21上，还能够从托架21上拆卸成膜处理后基板W2。在基板装卸室15中能够并列配置三个托架21。基板装卸机器人17具有驱动臂45(参考图2)，驱动臂45的前端能够吸附基板W。驱动臂45能够在配置于基板装卸室15中的托架21与基板收容盒19之间驱动。驱动臂45从基板收容盒19取出成膜处理前基板Wl，并将成膜处理前基板Wl安装到配置在基板装卸室15中的托架(第一托架)21上，以及将成膜处理后基板W2从返回基板装卸室15的托架(第二托架)21上拆卸，并向基板收容盒19搬送。图8是基板收容盒19的立体图。如图8所示，基板收容盒19形成箱型，具有能够收容多块基板W的大小。基板W能够在被成膜面与水平方向大致平行的状态下沿上下方向层积收容多块。在基板收容盒19的下部设置有脚轮47，能够向其他处理装置移动。此外，在基板收容盒19中，也可以在基板W的被成膜面与重力方向大致平行的状态下能够沿左右方向收容多块。图9是托架21的立体图。如图9所示，托架21形成有两块能够安装基板W的方框状的框架51。即，在一个托架21中能够安装两块基板W。两个框架51、51在其上部中通过连结部件52而被一体化。在连结部件52的上方设置有载置在移动轨道37上的车轮53，通过车轮53在移动轨道37上滚动，托架21能够移动。在框架51的下部设置有用于当托架21移动时抑制基板W摇晃的框架保持器54。框架保持器54的前端与设置在各室的底面上的剖面凹状的轨道部件55 (参考图18)配合。 轨道部件55在俯视中沿着移动轨道37的方向配置。如果由多个辊构成框架保持器54，则能够更稳定的搬送。框架51分别具有周缘部57和夹持部59。基板W的被成膜面在形成于框架51上的开口部56露出，在开口部56的周缘部57中，夹持部59能够从两侧夹持并固定基板W。夹持基板W的夹持部59通过弹簧等作用有偏压力。夹持部59具有与基板W的表面WO (被成膜面)和背面WU (里面)抵接的夹持片59A、59B(参考图21)，该夹持片59A、59B的间隔距离通过弹簧等可变。即，根据阳极单元90(阳极67)的移动，夹持片59A能够沿着相对于夹持片59B接近、远尚的方向移动(后述详细内容)。这里，在一个移动轨道37上安装有一个(能够保持一对(两块)基板的一个托架)托架21。即，在一组成膜装置10中安装有三个(保持三对六块基板)的托架21。在本实施方式的成膜装置10中，由于配置有四个由上述的成膜室11、放入取出室13以及基板装卸室15构成的基板成膜线16，因此，能够大致同时对二十四块基板W进行成膜。此外，本发明并不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的宗旨的范围内，包括对上述实施方式施加各种变更的内容。即，由实施方式列举的具体的形状和结构等仅为一个示例，可以适当变更。例如，在本实施方式中，对在一个成膜室11上连接一个放入取出室13的情况进行了说明，也可以设置在一个大的放入取出室13上并列配置并连接多个成膜室11的流程模块114，托架21能够在该放入取出室13内移动(参考图26)。通过如此构成，由于安装在托架21上的基板W能够在放入取出室13内移动，因此能够在各成膜室11中供给不同的成膜材料，从而能够更有效地对基板W进行成膜材料不同的多层成膜。进一步，薄膜太阳能电池制造装置的配置结构还可以如图27所示。在该例子中，由成膜室11、放入取出室13以及基板装卸室15构成的模块沿基板装卸机器人17放射状地设置。通过如此构成，能够消除基板装卸机器人17在轨道上移动的时间。即，能够缩短基板装卸机器人17的动作时间，从而缩短节拍时间。进一步，薄膜太阳能电池制造装置的配置结构还可以如图28所示。在该例子中，由成膜室11、放入取出室13以及基板装卸室15构成的模块设置在基板装卸机器人17的两侦U。通过如此构成，能够节省空间、且能够缩短基板装卸机器人的动作时间。
在本实施方式中，配置一台基板装卸机器人17并进行基板W的装卸，但也可以配置两台基板装卸机器人17，一个基板装卸机器人17专用于基板W的安装，另一个专用于基板W的拆卸。进一步，也可以在一台基板装卸机器人17上设置两条驱动臂45，同时安装拆卸两块基板W。(成膜方法薄膜太阳能电池的制造方法)下面对使用本实施方式的成膜装置10在基板W上形成被膜的方法进行说明。此夕卜，在该说明中，使用一个基板成膜线16的附图，其他三个基板成膜线16也以大致相同的流程在基板W上成膜。如图10所示，将收容多块成膜处理前基板Wl的基板收容盒19配置在规定的位置。如图11所示，启动基板装卸机器人17的驱动臂45，从基板收容盒19中取出一块成膜处理前基板Wl，并将成膜处理前基板Wl安装到设置在基板装卸室15中的托架21上。此时，将沿水平方向配置在基板收容盒19中的成膜处理前基板Wl的方向变为铅直方向，并安装到托架21上。再次重复该动作，在一个托架21上安装两块成膜处理前基板Wl。进一步重复该动作，在设置于基板装卸室15中的剩余的两个托架21上也分别安装成膜处理前基板Wl。即，在该阶段安装六块成膜处理前基板Wl。如图12所示，使安装有成膜处理前基板Wl的三个托架21沿着移动轨道37大致同时移动，收容在放入取出室13内。将托架21收容在放入取出室13之后，放入取出室13的托架搬出入口 35的挡板36关闭。然后，使用真空泵43将放入取出室13的内部保持在
真空状态。如图13所示，使用移动机构，使三个托架21分别沿在俯视中与铺设移动轨道37的方向正交的方向移动规定距离(半间距)。规定距离是指一个托架21位于相邻的移动轨道37、37之间的距离。如图14所示，使成膜室11的挡板25为打开状态，使用推挽机构38使安装有在成膜室11结束成膜的成膜处理后基板W2的托架21A移动到放入取出室13。此时，托架21与托架21A在俯视中交替并列。通过以规定时间保持该状态，蓄积在成膜处理后基板W2上的热传递到成膜处理前基板Wl，成膜处理前基板Wl被加热。这里，说明推挽机构38的动作。此外，这里对使位于成膜室11的托架21A向放入取出室13移动时的动作进行说明。如图15A所示，将安装有成膜处理后基板W2的托架21A卡止在推挽机构38的卡止部48上。而且，使安装在卡止部48上的移动装置50的移动臂58摇动。此时，移动臂58的长度可变。这样，卡止有托架21A的卡止部48在引导部件49的引导下移动，如图15B所示，向放入取出室13内移动。即，托架21A从成膜室11向放入取出室13移动。通过如此构成，在成膜室11内不需要用于驱动托架21A的驱动源。通过进行上述动作的逆动作，能够使放入取出室13的托架向成膜室11移动。如图16所示，通过移动机构使托架21和托架21A沿与移动轨道37正交的方向移动，使保持成膜处理前基板Wl的托架21移动到沿着移动轨道37的位置。如图17所示，使用推挽机构38使保持成膜处理前基板Wl的托架21移动到成膜室11,移动完成后使挡板25为关闭状态。此外，成I吴室11保持在真空状态。此时，安装在托架21上的成膜处理前基板Wl，在成膜室11内，在表面WO沿着与重力方向大致平行的铅直方向的状态下，插入到阳极单元90与阴极单元68之间(参考图18)。如图18、图19所示，通过驱动装置71使电极单元31的两个阳极单元90沿相互接近的方向移动，使阳极单元90 (阳极67)与成膜处理前基板Wl的背面WU抵接。如图20所示，进一步驱动驱动装置71时，成膜处理前基板Wl以被阳极67推压的方式向着阴极单元68侧移动。而且，移动直到成膜处理前基板Wl与阴极单元68的簇射极板75的间隙达到规定距离(成膜距离)。此外，该成膜处理前基板Wl与阴极单元68的簇射极板75的间隙(成膜距离)为5 15mm,例如5mm的程度。
此时，与成膜处理前基板Wl的表面WO侧抵接的托架21的夹持部59的夹持片59A，伴随着成膜处理前基板Wl (阳极单元90)的移动进行移位。此外，阳极单元90向着远离阴极单元68的方向移动时，在夹持片59A上作用弹簧等的复原力，向着夹持片59B侧移位。此时，成膜处理前基板Wl被阳极67与夹持片59A夹持。成膜处理前基板Wl向着阴极单元68侧移动时，夹持片59A与掩膜78抵接，在该时刻阳极单元90的移动停止(参考图21)。这里，如图21所示，掩膜78覆盖夹持片59A的表面和基板W的外缘部而形成，并且形成为能够与夹持片59A或基板W的外缘部贴紧。S卩，掩膜78与夹持片59A的接触面或掩膜78与基板W的外缘部的接触面具有密封面的作用，成膜气体几乎不会从这些掩膜78与夹持片59A之间或掩膜78与基板W的外缘部之间泄漏到阳极67侦U。据此，限制成膜气体扩散的范围，能够抑制在不需要的范围的成膜。据此，能够缩小清洁范围、减少清洁频率，提高装置的运转率。由于成膜处理前基板Wl的移动通过基板W的外缘部与掩膜78抵接而停止，因此由掩膜78与簇射极板75、以及与排气管道79的间隙，即气体流动通道R的厚度方向的流动通道高度设定为使成膜处理前基板Wl与阴极单元68的间隙为规定距离。作为其他方案，通过将掩膜经由弹性体向排气管道79安装，也能够通过驱动机构71的行程任意变更基板W与簇射极板75 (=阴极)的距离。在上述方案中，记载了掩膜78与基板W抵接的情况，但是也可以空出限制成膜气体通过的微小间隔而配置掩膜78与基板I在这种状态下，从阴极单元68的簇射极板75喷出成膜气体，并启动匹配箱72对阴极单元68的簇射极板(=阴极)75施加电压，从而使成膜空间81产生等离子体，对成膜处理前基板Wl的表面WO实施成膜。此时，通过内置在阳极67中的加热器H，成膜处理前基板Wl被加热到希望的温度。这里，阳极单元90在成膜处理前基板Wl达到希望的温度时停止加热。但是，通过对阴极单元68施加电压，在成膜空间81产生等离子体。由于随着时间的经过来自等离子体的热量输入，即使阳极单元90停止加热，成膜处理前基板Wl的温度也可能上升高于希望的温度。此时，也能够使阳极单元90执行用于冷却温度过度上升的成膜处理前基板Wl的放热板的功能。因此，无论成膜处理时间经过多长时间成膜处理前基板Wl均被保持为希望的温度。
此外，在一次成膜处理工序进行多层成膜时，能够在每个规定时间切换供给的成膜气体材料而实施。在成膜中和成膜后，成膜空间81的气体和颗粒由形成在阴极单元68的周缘部的排气口 80排出，并且被排出的气体经由气体流动通道R从阴极单元68的周缘部的排气管道79通过开口部(形成在阴极单元68的下部的排气管道79的朝向成膜室11内的面82上的开口部)，从设置在成膜室11的侧面下部28的排气管29排出到外部。由于在成膜室11内的所有电极单元31中，执行与上述的处理相同的处理，因此能够对六块基板W同时实施成膜。而且，成膜结束时，通过驱动装置71使两个阳极单元90沿相互远离的方向移动，成膜处理后基板W2和框架51 (夹持片59A)回到原来的位置(参考图19、图21)。通过进一步使阳极单元90沿远离的方向移动，成膜处理后基板W2与阳极单元90远离(参考图18)。 如图22所示，使成膜室11的挡板25为打开状态，使用推挽机构38使托架21向放入取出室13移动。此时，放入取出室13被排气，并已经设置有安装了接下来将要成膜的成膜处理前基板Wl的托架21B。而且，在放入取出室13内成膜处理后基板W2上蓄积的热量向成膜处理前基板Wl传递，成膜处理后基板W2的温度降低。如图23所示，托架2IB向成膜室11内移动后，通过移动机构使托架21回到配置在移动轨道37上的位置。如图24所示，使挡板25为关闭状态，成膜处理后基板W2下降到规定温度之后，使挡板36为打开状态，使托架21向基板装卸室15移动。如图25所示，在基板装卸室15中通过基板装卸机器人17将成膜处理后基板W2从托架21上拆卸，并向基板收容盒19搬送。所有成膜处理后基板W2的拆卸完成后，使基板收容盒19移动到下一工序的场所，处理结束。由于能够使成膜处理后基板W2与成膜处理前基板Wl同时收容在放入取出室13中，因此能够减少放入取出室13的一系列基板成膜工序中的真空排气工序。因此，能够提
高生产率。在放入取出室13中，同时收容成膜处理后基板W2与成膜处理前基板Wl时，蓄积在成膜处理后基板W2上的热被传递到成膜处理前基板Wl上，从而进行热交换。S卩，能够省略将成膜处理前基板Wl收容在成膜室11中之后通常实施的加热工序以及将成膜处理后基板W2从放入取出室13搬出之前通常实施的冷却工序。作为结果能够提高生产率，并且能够取消现有的加热工序或冷却工序所使用的设备，因此能够降低制造成本。此外，本发明的技术范围并不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的宗旨的范围内，包括对上述实施方式施加各种变更的内容。即，由实施方式列举的具体的形状和结构等仅为一个示例，可以适当变更。(成膜装置的维护方法I)参考图3A 图3C、图4A 图4D以及图29对本发明的一实施方式所涉及的成膜装置的维护方法进行说明。图29是阶段性地示出本发明的成膜装置的维护方法的说明图。在图29中，圆筒示意性地表示成膜室11。通过本发明的实施方式所涉及的成膜装置在基板W上形成微晶硅的被膜时，在成膜室11内产生含有茶褐色的粉末(茶粉)的聚硅烷的可燃性的副生成物。在这样的副生成物堆积在成膜室11内的状态下继续成膜时，成膜的被膜的特性下降。因此，例如每当在基板W上进行50 300次成膜时，进行以下所示的副生成物的去除。例如，300次左右的成膜工序完成后，使成 膜室11的挡板25为打开状态，使用推挽机构38使托架21向放入取出室13移动(参考图5A、图5B)。据此，从成膜室11内向成膜室11外搬送形成有被膜的基板W (成膜处理后基板W2)(工序A)。从成膜室11搬出基板W，使挡板25为关闭状态，关闭排气管29并闭锁排气系统之后，从氧气供给部(第一气体供给部)160经由阴极单元68的簇射极板75对成膜室11内导入氧气(图29 Ca)[工序B])。进行向成膜室11内导入氧气，例如使成膜室11内的氧浓度为75%的程度即可。据此，成膜室11内的内压从IOPa的程度提高到IOkPa的程度。能够从氧气供给部(第一气体供给部)160导入氧气，并从氮气供给部(第二气体供给部)150导入氮气，以使成膜室11内的氧浓度为75%的程度。接着，对形成在成膜室11的底面上的点火部39通电。以由50 300次的微晶硅的成膜所生成的聚硅烷为主体的副生成物堆积在成膜室11的下部。对点火部39通电时，在作为可燃性的副生成物的聚硅烷与导入成膜室11内的氧气之间开始氧化反应引起的燃烧(图29 (b)[工序C])。在燃烧开始时温度临时上升，内部的压力上升(图30所示的工序C)。该温度上升能够由压力计(第一检测部)91与上部温度计(第三检测部)93检测出。优选地，点火前的成膜室11的压力与氧量被确定为点火时的压力不超过大气压。点火后伴随着氧的消耗压力减少。即使在这样的副生成物的燃烧中也从氧气供给部160持续对成膜室11内供给氧气，使副生成物的燃烧继续(图29 (c)[工序D])。氧气的供给量被确保为补充聚硅烷的氧化反应(燃烧反应引起的)氧气的减少的程度的流量。据此，成膜室11内的内压大致保持固定。例如，通过最大以200SLM的程度持续流动氧气，从而将成膜室11内的内压维持在IOkPa,氧浓度维持在75%的程度。在该工序D中，为了补充消耗的氧气，从氧气供给部(第一气体供给部)160导入氧气以使内压变为固定即可，可以不从氮气供给部(第二气体供给部)150导入氮气。副生成物的燃烧中，通过形成在成膜室11的侧面上的压力计(第一检测部)91 一直监控成膜室11内的压力，可以根据压力计91的输出控制来自氧气供给部160的氧气的流量，以使成膜室11内保持在规定的内压(例如lOkPa)。另外，副生成物的燃烧中，通过形成在成膜室11的侧面下部的下部温度计(第二检测部)92监控燃烧中的副生成物的温度。另外，通过形成在成膜室11的上部的上部温度计(第三检测部)93监控成膜室11内的空间温度。在这种形成在成膜室11的下部温度计92和上部温度计93的温度输出数据分别超过规定值等的情况下，判断为异常燃烧并停止氧气从氧气供给部160的供给，停止副生成物的燃烧即可。通过这样的工序D引起的成膜室11内的副生成物的燃烧，在成膜室11内，聚硅烷通过氧气燃烧(氧化)，产生不燃性的氧化硅(燃烧生成物)。这样的燃烧生成物堆积在成膜室11内。
堆积在成膜室11内的副生成物的燃烧完成后，保持闭锁排气系统的状态下，这次从氮气供给部(第二气体供给部)150对成膜室11内导入氮气(图29 (d)[工序E-1])。据此，稀释成膜室11内的氧气的浓度。氮气的导入例如可以最大流量例如为200SLM以下进行导入，直到成膜室11内的氧浓度下降到15%的程度。据此，成膜室11内的内压例如上升到50kPa的程度。副生成物的燃烧的完成还能够通过下部温度计(第二检测部)92的温度的监控、或氧的导入量的减少/结束检测出，另外还能够以一定时间的经过看作是完成。然后，打开排气管29的阀门(图示省略)，使真空泵30动作并从排气管29对成膜室11内的氮、氧混合气体进行真空排气(图29 Ce)[工序E-2])。此时，由于在工序E-I中通过氮气稀释成膜室11内的氧浓度(氧浓度15%的程度)，因此能够安全地排出成膜室11内的气体。而且，使成膜室11内为常压后，例如使用真空扫除机等，抽取去除堆积在成膜室11的底部的氧化硅(燃烧生成物)。由于在该堆积物的去除时，堆积在成膜室11内的可燃性的副生成物(聚硅烷)通过工序B 工序C变化为不燃性的燃烧生成物(氧化硅)，因此在抽取去除中不用担心堆积物着火。能够安全地集尘、去除成膜室11内的燃烧生成物。另外，由于收集的燃烧生成物也为不燃性，因此能够安全地进行保管、处理。图30以图表表示图29的各工序中的成膜室11内的压力变化。在该实施方式中，从通过点火部39对副生成物进行点火的工序C到从氧气供给部160对成膜室11内持续供给氧气使副生成物的燃烧继续的工序D，控制以使成膜室11内的压力几乎相同。根据图30的图表，通过工序B中的氧的导入，成膜室11内的内压从IOPa的程度上升到IOkPa的程度。而且，在工序C中对副生成物进行点火时，成膜室11的内压瞬间上升到15kPa的程度，但立即变为IOkPa的程度。而且，在工序D中对成膜室11内导入与因燃烧消耗的氧相同量的氧，成膜室11几乎保持在IOkPa的程度的内压。然后，在工序E-I中对成膜室11内导入稀释用的氮时，成膜室11的内压上升到50kPa的程度，在工序E-2中成膜室11内被真空排气时，迅速下降到IkPa以下。(成膜装置的维护方法2)参考图3A 图3C、图4A 图4D以及图31对本发明的成膜装置的另一维护方法进行说明。图31是阶段性地示出本发明的成膜装置的另一维护方法的说明图。在该实施方式的维护方法中，从成膜室11内向成膜室11外搬送形成有被膜的基板W (成膜处理后基板W2)(工序A)。而且，使挡板25为关闭状态，关闭排气管29并闭锁排气系统之后，从氧气供给部(第一气体供给部)160经由阴极单元68的簇射极板75对成膜室11内导入氧(图31 (a)[工序B])。进行这样的向成膜室11内的氧气的导入，例如成膜室11内的氧浓度变为75%的程度即可。据此，成膜室11内的内压从IOPa的程度提高到IkPa的程度。能够从氧气供给部(第一气体供给部)160导入氧气，并从氮气供给部(第二气体供给部)150导入氮气，以使成膜室11内的氧浓度为75%的程度。接着，使成膜室11的内压在低压、例如IkPa的程度的低压状态下对点火部39通电。据此，在作为可燃性的副生成物的聚硅烷与导入成膜室11内的氧气之间开始氧化反应引起的燃烧(图31 (b)[工序C])。在燃烧开始时温度临时上升，内部的压力上升(图32的工序C)。该温度上升能够由压力计(第一检测部)91与上部温度计(第三检测部)93检测出。在本实施例中，由于点火前的成膜室11的压力与氧量十分低，因此临时压力上升也小。点火后伴随着氧的消耗压力减少。而且，燃烧开始后，进行氧气与氮气的供给以使成膜室11内的内压变为IOkPa的程度的高压。在工序D的开始时，从氧气供给部(第一气体供给部)160导入氧气，并从氮气供给部(第二气体供给部)150导入氮气，以使成膜室11内的氧浓度为75%的程度。内压变为IOkPa的程度之后，导入因燃烧消耗的部分的氧以使压力固定。据此，使副生成物的燃烧继续(图31 (C)[工序D])。氧气的供给量被确保为补充聚硅烷的氧化反应(燃烧反应引起的)氧气的减少的程度的流量。据此，成膜室11内的内压大致保持固定。例如，通过最大以200SLM的程度持续流动氧气，从而将成膜室11内的内压维持在IOkPa,氧浓度维持在75%的程度。
副生成物的燃烧过程中，通过形成在成膜室11的侧面上的压力计(第一检测部)91一直监控成膜室11内的压力，根据压力计91的输出控制来自氧气供给部160的氧气的流量，以使成膜室11内保持在规定的内压(例如IOkPa)即可。通过这样的工序D引起的成膜室11内的副生成物的燃烧，在成膜室11内，聚硅烷通过氧气燃烧(氧化)，产生不燃性的氧化硅(燃烧生成物)。这样的燃烧生成物堆积在成膜室11内。然后，堆积在成膜室11内的副生成物的燃烧完成后，从氮气供给部(第二气体供给部)150对成膜室11内导入氮气(图31 Cd)[工序E-1])，稀释成膜室11内的浓度。氮气的导入例如可以最大流量例如为200SLM以下进行导入，直到成膜室11内的氧浓度下降到15%的程度。据此，成膜室11内的内压例如上升到50kPa的程度。副生成物的燃烧的完成还能够通过下部温度计(第二检测部)92的温度的监控、或氧的导入量的减少/结束检测出，还能够以一定时间的经过看作是完成。然后，打开排气管29的阀门(图示省略)，使真空泵30动作并从排气管29对成膜室11内的氮、氧混合气体进行真空排气(图31 (e)[工序E-2])。而且，使成膜室11内为常压后，例如使用真空扫除机等，抽取去除堆积在成膜室11的底部的氧化硅(燃烧生成物)。图32以图表表示图31的各工序中的成膜室11内的压力变化。在该实施方式中，控制以使通过点火部39对副生成物进行点火的工序C的点火之前的压力低于从氧气供给部160对成膜室11内持续供给氧气使副生成物的燃烧继续的工序D的成膜室11内的内压(两阶段燃烧)。根据图32的图表，通过工序B中的氧的导入，成膜室11内的内压从IOPa的程度上升到IkPa的程度。而且，在工序C中对副生成物进行点火时，成膜室11的内压瞬间上升到4kPa的程度，但立即变为IkPa的程度。而且，在工序D中对成膜室11内导入与因燃烧消耗的氧相同量的氧时，将成膜室11的内压提高到IOkPa的程度。在工序D中，将成膜室11的内压保持在IOkPa的程度进行副生成物的燃烧。然后，在工序E-I中对成膜室11内导入稀释用的氮时，成膜室11的内压上升到50kPa的程度，在工序E-2中成膜室11内被真空排气时，迅速下降到IkPa以下。通过降低点火前的压力，能够抑制点火时的压力上升，进而通过提高燃烧时的压力，能够提高燃烧速度。此外，优选地，即使在点火之后压力上升，也被控制为低于大气压。这是由于成膜室11被制作用于减压。实施例使用如图5A、图5B所示的成膜室11，进行了副生成物(聚硅烷)的点火前 燃烧时的、副生成物的温度(茶粉温度)、成膜室11内的空间温度以及成膜室11内的内压(DG)的测定。图33示出测定结果。此外，副生成物的温度通过形成在成膜室11的侧面下部的下部温度计(第二检测部)92 (参考图3A 图3C)测定，成膜室11内的空间温度通过形成在成膜室11的上部的上部温度计(第三检测部)93 (参考图3A 图3C)测定。另外，成膜室11内的内压(DG)通过形成在成膜室11的侧面上的压力计(第一检测部)91测定。根据图33所示的图表，对副生成物(茶粉)点火后，伴随着成膜室11内的内压(DG)和成膜室11内的空间温度的下降，副生成物的温度(茶粉温度)缓慢地上升。然后，确认了能够使副生成物在规定的温度(燃烧温度)范围内稳定地燃烧。 工业上的利用可能性本发明能够广泛应用于使用CVD法在基板上形成硅膜的成膜装置。符号说明10成膜装置11成膜室13放入取出室14流程模块15基板装卸室17基板装卸机器人(驱动机构)19基板收容盒(搬送部)21托架(第一托架、第二托架)25挡板(第一开闭部)36挡板(第二开闭部)104底电池(希望的膜)W 基板Wl成膜处理前基板W2成膜处理后基板150氮气供给部(第二气体供给部)160氧气供给部(第一气体供给部)
权利要求
1.一种成膜装置，其特征在于，具备 成膜室，在减压下在基板上形成被膜； 点火部，对在所述成膜室内产生的可燃性的副生成物进行点火； 第一气体供给部，对所述成膜室供给氧气； 第二气体供给部，对所述成膜室供给氮气；以及 第一检测部，测定所述成膜室内的压力。
2.根据权利要求I所述的成膜装置，其特征在于，在所述成膜室中设置有测定所述副生成物的温度的第二检测部。
3.根据权利要求I或2所述的成膜装置，其特征在于，在所述成膜室中设置有测定该成 膜室内的空间温度的第三检测部。
4.一种成膜装置的维护方法，所述成膜装置在减压下在基板上形成被膜，所述维护方法的特征在于， 从所述成膜装置的成膜室内向该成膜室外搬送形成有被膜的所述基板， 对所述成膜室导入氧气， 对因成膜产生的可燃性的副生成物进行点火， 使所述副生成物燃烧， 对所述成膜室内导入氮气， 从所述成膜室去除在使所述副生成物燃烧时产生的不燃性的氧化副生成物。
5.根据权利要求4所述的成膜装置的维护方法，其特征在于，使所述副生成物燃烧时，对所述成膜室补给所述氧气以使所述成膜室内的压力大致固定。
6.根据权利要求4或5所述的成膜装置的维护方法，其特征在于，使所述副生成物燃烧时，闭锁所述成膜室的排气系统。
7.根据权利要求4至6中的任一项所述的成膜装置的维护方法，其特征在于，对所述可燃性的副生成物进行点火时以及使所述副生成物燃烧时，进行压力控制以使所述成膜室内的压力大致相同。
8.根据权利要求4至6中的任一项所述的成膜装置的维护方法，其特征在于，对所述可燃性的副生成物进行点火时，进行压力控制以使相比使所述副生成物燃烧时所述成膜室内的压力为低压。
9.根据权利要求4至8中的任一项所述的成膜装置的维护方法，其特征在于，通过氮气稀释从所述成膜室排出的排气气体。
全文摘要
本申请公开了一种成膜装置及成膜装置的维护方法。在成膜室的两侧的侧面下部分别设置有各两处、总计四处点火部。点火部在对可燃性的副生成物点火时通电。在成膜室的侧面上形成有用于测定成膜室内的压力的第一检测部。在成膜室的侧面下部形成有第二检测部。在成膜室的上部形成有测定成膜室内的空间温度的第三检测部。
文档编号C23C16/44GK102959681SQ20118003032
公开日2013年3月6日 申请日期2011年6月22日 优先权日2010年6月25日
发明者林卓郎, 曽我部浩二, 松本浩一, 桥本征典, 中村久三, 萩原宗源, 内田宽人, 森胜彦, 清水康男, 坂元盛昭 申请人:株式会社爱发科