技术编号:3256191
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及蚀刻方法、蚀刻装置及计算机可读存储介质。背景技术半导体集成电路装置的制造中包括对硅(Si)膜进行蚀刻的エ艺。对硅膜进行蚀刻时,作为蚀刻气体,如专利文献I记载的那样,使用含有溴化氢(HBr)气体、三氟化氢(HF3)气体的气体。现有专利文献专利文献 专利文献I 日本特开2010-245101号公报发明内容_6] 发明要解决的问题然而,含有HBr气体、HF3气体的气体使得抗蚀膜、有机膜也被蚀刻。因此,现状是若使用抗蚀膜、有机膜作为掩模,对半导体集成电路...
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