技术编号:3257776
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到一种制备技术简单、形貌可控、重复性良好的铝(Al)诱导非晶锗(Ge)晶化形成分形团簇的制备方法,属于半导体薄膜制备工艺。背景技术金属/半导体复合薄膜是信息功能材料领域中广泛研究的热点课题,尤其在微电子器件、光电子元件以及太阳能电池等方面具有广阔的应用前景。对于处在同一主族的半导体硅(Si)和Ge来说,半导体Si已广泛的应用在许多领域,虽然Ge的应用没有Si那么广泛,但相比Si材料来说,Ge具有独特的性能,比如较大的介电常数和较小的载流子质量。另...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。