技术编号:3259005
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种 铜铟硒基(CIS)薄膜太阳能电池用钥电极的制备方法。背景技术由于铜铟硒基(CIS)薄膜太阳能电池具有转换效率高( 20%)、制造成本较低、易于规模化生产等优点,使其已经成为国际光伏领域研究和产业化技术开发的主要热点之一。钥(Mo)具有优异的化学稳定性(不与铜和铟发生化学反应)和良好的导电特性,被广泛用作CIS基薄膜太阳能电池的背电极,收集光生载流子。Mo背电极要求具有低的电阻率,同时与玻璃衬底(或其他柔性衬底)结合良好。高功率、低气压条件下...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。