技术编号:3259447
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到自旋零禁带半导体薄膜及其制备方法,尤其是涉及到具有室温铁磁性的无掺杂自旋零禁带半导体薄膜及其制备方法。背景技术作为继半金属和稀磁半导体之后的新型自旋电子材料,自旋零禁带半导体理论上兼具高自旋极化率与大自旋扩散长度,近年来逐渐引起人们关注。自旋零禁带半导体的概念由澳大利亚Wollongong大学Wang Xiaolin教授于2008年提出。该种材料基于零禁带半导体,但又具有不同于零禁带半导体的特殊能带结构在某ー自旋方向(或两个自旋方向都)存在禁带...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。