技术编号：3262097
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体工艺及其设备，特别是涉及一种物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，简称PVD)工艺及其设备。背景技术 在半导体工艺中，薄膜的形成方法包括有物理气相沉积法或是化学气相沉积法等方法，而物理气相沉积法又可分为蒸镀法(Evaporation)与溅射法(Sputtering)两种形式。其中，蒸镀是对蒸镀源加热，利用蒸镀源在高温时所具备的饱和蒸气压来进行薄膜的沉积。而溅射则是利用等离子体中所产生的离子轰击(Ion Bom...
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