专利名称：物理气相沉积工艺及其设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体工艺及其设备，特别是涉及一种物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，简称PVD)工艺及其设备。
背景技术：
在半导体工艺中，薄膜的形成方法包括有物理气相沉积法或是化学气相沉积法等方法，而物理气相沉积法又可分为蒸镀法(Evaporation)与溅射法(Sputtering)两种形式。其中，蒸镀是对蒸镀源加热，利用蒸镀源在高温时所具备的饱和蒸气压来进行薄膜的沉积。而溅射则是利用等离子体中所产生的离子轰击(Ion Bombardment)靶材(Target)，而使靶材上的原子被溅击出来，且这些被溅击出来的原子之后则会沉积至基底上而形成薄膜。
值得注意的是，在溅射过程中，由于等离子体的产生与等离子体气体离子(例如氩气气体离子)产生的多少有密切的关系，亦即具有高能量的电子与等离子体气体原子碰撞机率的多少，明显影响溅射行为的进行。于是，为了提高等离子体气体原子离子化的机率(亦称溅击率(Sputtering Yield))，优选的方式就是让电子从等离子体消失前所行经的距离拉长。目前一般常采用的方法为磁控溅射(Magnetron Sputtering)法，其于等离子体反应室中的靶材上方，额外配置一磁控(Magnetron)装置，如此可藉由此磁控装置所产生的磁场来影响带电粒子的移动，进而使其移动路径产生偏折，并呈现螺旋式的移动。所以，藉由此磁控装置的配置可以大幅提高等离子体气体原子碰撞游离的机率，进而提高其溅击率。而且，溅击率的提升可以使得操作磁控等离子体所需的真空度能够维持在比传统直流等离子体更低的范围，进而更能控制沉积薄膜其本身的特性。
然而，此磁控装置的配置虽然提高了等离子体气体离子化的机率，但是这些被离子化的等离子体气体其轰击靶材的路径却受此磁控装置所产生的磁场的影响，而造成如图1所示的不对称(Asymmetry)沉积的问题。图1所示，是绘示现有一种利用磁控直流溅射于晶片的光刻对准或叠合标记中的沟槽部份沉积薄膜的示意图。由图1可知，由于磁控装置所产生的磁场会使得等离子体气体离子以螺旋方式移动，进而影响等离子体气体离子对于靶材的溅击角度，因此于晶片100上所沉积的薄膜102在位于开口104侧壁产生不对称沉积的问题。而且，此不对称沉积所造成的薄膜偏移(Shift)，对于晶片100上的不同位置的薄膜沉积，其偏移方向亦不尽相同。亦即，螺旋方式移动的等离子体气体离子会使得晶片100上所沉积的薄膜102产生旋转偏移(Rotation Shift)(如标号106所示)的问题。
此外，内联机工艺中的铝导线工艺亦可利用磁控直流溅射来完成。而且，为了确保所形成的铝导线能精确与接触窗对准，因此在铝导线材料层已全面性地沉积于晶片后，通常会对定义铝导线曝光后的光致抗蚀剂层及蚀刻后进行对准记号位置及叠合记号的量测及比对，以确定铝导线精准地与下层的接触窗或插塞(Plug)叠合。若有所偏移，即可对下一次定义铝导线的光致抗蚀剂层曝光时进行补偿校正。由于对准或叠合记号的量测乃根据记号的高低差所呈现出不同亮度的界面来定位，当金属于如凹槽侧壁两边的不对称沉积后，再根据凹槽高低差所得到的中心点位置便会有所偏移。然而，由于此不对称沉积由磁控装置所产生的磁场所导致，且受限于磁控装置具有提高等离子体气体原子的溅击率的优点，因此在解决此不对称沉积问题所采取的手段上会受到局限。目前业界对于光刻工艺产生偏移的问题，虽然可以藉由一些调整步骤来解决，但是由于每一沉积机中以及每一次偏移情况都不尽相同，因此此方法并非是一个有效的解决之道。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的就是在提供一种物理气相沉积设备，以使利用此设备所沉积的薄膜在位于开口侧壁具有对称性。
本发明的另一目的就是在提供一种物理气相沉积工艺，以在进行物理气相沉积工艺时，藉由临场反转磁控装置的磁极以使所沉积的薄膜具有对称性。
本发明的再一目的是提供一种物理气相沉积设备，以使利用此设备所沉积的薄膜在位于开口侧壁具有对称性。
本发明的又一目的是提供一种物理气相沉积工艺，以在进行物理气相沉积工艺时，藉由持续旋转磁控装置以使所沉积的薄膜具有对称性。
本发明提出一种物理气相沉积设备，此物理气相沉积设备由一反应室与一电磁铁磁控装置所构成。此电磁铁磁控装置配置于反应室的外部上方，其中当于进行物理气相沉积工艺时，临场(In-Situ)反转此电磁铁磁控装置的磁极。
本发明提出一种物理气相沉积工艺，此物理气相沉积工艺首先提供一反应室，且此反应室的外部上方配置有电磁铁磁控装置。然后，启动电磁铁磁控装置，进行第一沉积步骤。接着，反转此电磁铁磁控装置的磁极，进行第二沉积步骤，以完成一薄膜的沉积，或周期性反转电磁铁的磁极已完成此一薄膜沉积步骤。
由于在第二沉积步骤中，可以藉由反转此电磁铁磁控装置的磁极，以反转薄膜的不对称沉积的偏移方向。因此利用此具有电磁铁磁控装置的物理气相沉积设备，可以解决薄膜于开口侧壁的不对称沉积的问题。
本发明提出一种物理气相沉积设备，此物理气相沉积设备由一反应室与一旋转磁控装置所构成。其中此旋转磁控装置配置于反应室的外部上方，且此旋转磁控装置包括至少二磁铁组，而且这些磁铁组以轴对称或面对称但磁极相反的方式配置。
本发明提出一种物理气相沉积工艺，此物理气相沉积工艺首先提供一反应室，且此反应室的外部上方配置有旋转磁控装置，其中此旋转磁控装置包括至少二磁铁组，而且这些磁铁组以轴对称或面对称但磁极相反的方式配置。然后，启动此旋转磁控装置，以进行一沉积工艺，其中在沉积工艺的过程中，此旋转磁控装置同时进行旋转。
由于在进行薄膜沉积的过程中，可以藉由同时旋转此旋转磁控装置，以旋转薄膜的不对称沉积的偏移方向。因此利用此具有旋转磁控装置的物理气相沉积设备，可以解决薄膜于开口侧壁的不对称沉积的问题。
为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图作详细说明。
图1是现有一种利用磁控直流溅射于晶片的光刻对准或叠合标记中的沟槽部份沉积薄膜的示意图。
图2A是依照本发明的第一实施例的一种物理气相沉积设备的剖面示意图。
图2B是利用图2A的物理气相沉积设备进行物理气相沉积工艺时，此物理气相沉积设备的剖面示意图。
图3A至图3B是依照本发明的第一实施例于晶片上的对准或叠合的沟槽沉积薄膜的流程剖面示意图。
图4是图2A中的电磁铁磁控装置的上视示意图。
图5是依照本发明的第二实施例的一种物理气相沉积设备的剖面示意图。
图6A至图6B是依照本发明的第二实施例于晶片上的对准或叠合的沟槽沉积薄膜的流程剖面示意图。
图7A是依照本发明的第三实施例的一种物理气相沉积设备的剖面示意图。
图7B是利用图7A的物理气相沉积设备进行物理气相沉积工艺时，此物理气相沉积设备的剖面示意图。
图8A至图8B是依照本发明的第一实施例于晶片上的对准或叠合的沟槽沉积薄膜的流程剖面示意图。
图9A至图9D是旋转磁控装置的上视示意图，其中图9A是图5中的旋转磁控装置的上视示意图，图9B是图7A中的旋转磁控装置的上视示意图。
简单符号说明100、212晶片102、306、306a、306b、600a、600b、800a、800b薄膜104、304开口106旋转偏移200反应室201电磁铁磁控装置202靶材背板204晶片承载基座206电源供应器208遮蔽护罩210气体供应装置
214靶材216、218电磁铁组216a、216b、218a、218b电磁铁300基底301、303薄膜偏移方向302介电层500、700旋转磁控装置502、504、702、704磁铁组502a、502b、504a、504b、702a、702b、704a、704b电磁铁506、706中心轴(对称轴)具体实施方式
在下述实施例中，以第一磁极为N极，且第二磁极为S极，加以说明本发明。惟本领域技术人员可轻易推知，第一磁极与第二磁极的N极与S极可以彼此交换，因此与下述这些实施例的磁极相反的其它实施例省略说明之。
图2A所示，其绘示依照本发明的第一实施例的一种物理气相沉积设备的剖面示意图。
请参照图2A，本发明的物理气相沉积设备由反应室与电磁铁磁控装置201所构成，且反应室由腔室200、靶材背板202、晶片承载基座204、电源供应装置206、遮蔽护罩208与气体供应装置210所构成。
其中，遮蔽护罩208配置于腔室200的侧壁与底部，且未与晶片承载基座204相接。在一优选实施例中，此遮蔽护罩208作为阳极之用，并且接地。此外，晶片承载基座204配置于腔室200的底部，以提供晶片212的放置。
另外，靶材背板202配置于腔室200的顶部，以提供靶材214的放置，且靶材背板202与电源供应器206电连接。在一优选实施例中，靶材背板202作为阴极之用。此外，放置于靶材背板20的靶材214其材料例如是金属，其例如钛、钴、镍、钽、钨、铝、铜等金属材料。
此外，气体供应装置210连接于腔室200的侧壁上，以提供等离子体气体进入腔室200中，其中等离子体气体例如是惰性气体，其例如是氩气。在另一优选实施例中，腔室200还包括与另一气体供应装置(未绘示)连结，以提供反应性气体进入腔室200中，且所通入的反应性气体依照所需的工艺而有所不同。例如，若欲沉积氮化钛薄膜，则靶材214可采用钛金属，而反应气体则可采用氮气。
另外，电磁铁磁控装置201配置于腔室200外，且位于靶材背板202上。此电磁铁磁控装置201的上视示意图如图4所示，而图2A所示的电磁铁磁控装置201为图4由I-I’剖面所得的剖面示意图。在本实施例中，电磁铁磁控装置201包括电磁铁组216与218，其中电磁铁组216例如是由二个半圆弧形的电磁铁216a与216b所构成，且电磁铁组218亦同样例如是由二个半圆弧形的电磁铁218a与218b所构成。此外，在本实施例中，当一正向电流输入此电磁铁磁控装置201时，电磁铁216a与218b的N极例如是朝上配置，而电磁铁216b与218a的N极例如是朝下配置，即S极朝上。值得一提的是，由于此电磁铁磁控装置201的磁极由所输入的电流方向来决定，因此当于进行物理气相沉积工艺时，临场反转输入此电磁铁磁控装置201的电流方向以使其成为一反向电流，而使电磁铁磁控装置201的磁极反转，进而使得原本存在于物理气相沉积工艺的薄膜偏移方向反转，以解决位于开口侧壁的不对称沉积的问题。
利用上述的物理气相沉积设备进行物理气相沉积工艺的详细说明如下。
请参照图2A，首先将晶片212放置在腔室200内的晶片承载基座204上，准备于晶片212表面上沉积薄膜。而晶片212上的对准或叠合的沟槽的剖面示意图如图3A所示，其包括硅基底300，以及形成在基底300上的介电层302，且介电层302中具有一开口304。
之后，于晶片212上进行第一沉积步骤。详细说明是，开启电磁铁磁控装置201及电源供应器210，并且对靶材背板(电极)202施予一负电压，且使遮蔽护罩208接地。此时腔室200中的等离子体气体(例如氩气)会离子化，并且藉由离子化的气体(等离子体)来轰击靶材214，而使得靶材214上的原子被溅击出来。由于电磁铁磁控装置201所产生的磁场使等离子体气体离子以螺旋方式移动，因此一开始于开口304侧壁所沉积的薄膜306a朝向方向301偏移，而形成如图3A所示的不对称薄膜。
之后，请参照图2B，临场反转此电磁铁磁控装置201的磁极，进行第二沉积步骤，以完成薄膜306的沉积，其中薄膜306由薄膜306a与薄膜306b所构成，且薄膜306b的材料与薄膜306a的材料相同。详细说明是，反转输入电磁铁磁控装置201的电流方向以使其成为一反向电流，并且使电磁铁216a、216b、218a与218b的N极与S极反转。亦即原本N极朝上的电磁铁216a与218b经过磁极反转后，其S极会朝上，而原本S极朝上的电磁铁216b与218a经过磁极反转后，其N极会朝上。如此可以使得电磁铁磁控装置201产生相反方向的磁场，进而使得第二沉积步骤所沉积的薄膜306b朝向相反方向303偏移，而形成如图3B所示的另一不对称薄膜。由于此二沉积步骤所沉积的薄膜其偏移方向相反，因此朝向另一方向偏移的薄膜306b可以补偿原本薄膜306a的偏移。于是，由薄膜306a与306b所构成的薄膜306在位于开口304侧壁为一对称薄膜。
值得一提的是，上述的第一沉积步骤与第二沉积步骤为一次沉积循环，而在另一优选实施例中，薄膜306以一次以上的沉积循环所形成。
此外，由于薄膜会随着物理气相沉积工艺的靶材寿命(Target Life)而存在有一偏移，因此在沉积工艺中，更可藉由改变电流大小以调整电磁铁磁控装置的磁场强度，以减少此偏移量。
图5所示，其绘示依照本发明的第二实施例的一种物理气相沉积设备的剖面示意图。
请参照图5，本发明的物理气相沉积设备由反应室与旋转磁控装置500所构成，且反应室由腔室200、靶材背板202、晶片承载基座204、电源供应装置206、遮蔽护罩208与气体供应装置210所构成。而关于反应室中的各个构件的配置例如与第一实施例中的各个构件配置相同，于此不再赘述。
此外，旋转磁控装置500配置于腔室200外，且位于靶材背板202上。此旋转磁控装置500的上视示意图如图9A所示，而图5所示的旋转磁控装置500为图9A由II-II’剖面所得的剖面示意图。在本实施例中，旋转磁控装置500包括磁铁组502与504所构成，其中磁铁组502例如是由二个半圆弧形的磁铁502a与502b所构成，且磁铁组504亦同样例如是由二个半圆弧形的磁铁504a与504b所构成。此外，磁铁502a与504a以面对称的方式配置，且在本实施例中，此面对称的对称面垂直通过靶材背板202的中心轴506，亦即以剖面线II-II’所得的垂直于靶材背板202的平面作为对称面。同样地，磁铁502b与504b亦以面对称的方式配置。此外，在本实施例中，磁铁502a与504b的N极例如是朝上配置，而磁铁502b与磁铁504a的N极例如是朝下配置，即S极朝上。值得一提的是，由于在进行物理气相沉积工艺时，此旋转磁控装置500会顺着靶材背板202的中心轴506进行360n度(此n值为正整数)的旋转。因此旋转磁控装置500所产生的磁场方向亦会同时旋转，进而使得薄膜沉积的偏移方向旋转，此磁控装置每旋转360度此不对称沉积的现象便会抵销因此可于开口侧壁得到具有对称性的薄膜。
利用上述的物理气相沉积设备进行物理气相沉积工艺的详细说明如下。
请参照图5，首先将晶片212放置在腔室200内的晶片承载基座204上，准备于晶片212表面上沉积薄膜。而晶片212上的对准或叠合的沟槽的剖面示意图如图6A所示，其包括硅基底300，以及形成在基底300上的介电层302，且介电层302中具有一开口304。
之后，于晶片212上进行沉积工艺。详细说明是，开启旋转磁控装置500及电源供应器210，以使等离子体气体离子化(等离子体)，且这些离子化的等离子体气体会轰击靶材214，而使得靶材214上的原子被溅击出来。由于旋转磁控装置500所产生的磁场使等离子体气体离子以螺旋方式移动，因此一开始于开口304侧壁所沉积的薄膜600a会产生偏移，而形成如图6A所示的不对称薄膜。不过，由于此旋转磁控装置500在沉积工艺的过程中会以靶材背板202的中心轴506为旋转中心同时进行360n度(此n值为正整数)的旋转，即此旋转磁控装置500在沉积工艺完成后，会回到原位。因此，旋转磁控装置500所产生的磁场方向在沉积工艺的过程中会同时旋转，进而使得薄膜沉积的偏移方向旋转，如此可于开口304侧壁得到如图6B所示的具有对称性的薄膜600b。
值得一提的是，在第二实施例中虽仅以图9A的旋转磁控装置500加以说明本发明，惟本发明并不限于此。亦即只要旋转磁控装置500的磁铁组以面对称的方式配置于靶材背板202上，则皆可于开口304侧壁得到如图6B所示的具有对称性的薄膜600b。
图7A所示，其绘示依照本发明的第三实施例的一种物理气相沉积设备的剖面示意图。
请参照图7A，本发明的物理气相沉积设备由反应室与旋转磁控装置700所构成，且反应室由腔室200、靶材背板202、晶片承载基座204、电源供应装置206、遮蔽护罩208与气体供应装置210所构成。而关于反应室中的各个构件的配置例如与第一实施例中的各个构件的配置相同，于此不再赘述。
此外，旋转磁控装置700配置于腔室200外，且位于靶材背板202上。此旋转磁控装置700的上视示意图如图9B所示，而图7A所示的旋转磁控装置700为图9B由III-III’剖面所得的剖面示意图。在本实施例中，旋转磁控装置700包括磁铁组702与704所构成，其中磁铁组702例如是由二个半圆弧形的磁铁702a与702b所构成，且磁铁组704亦同样例如是由二半个圆弧形的磁铁704a与704b所构成。此外，磁铁702a与704a以轴对称的方式配置，且在本实施例中，以垂直通过靶材背板202的中心轴706为对称轴。同样地，磁铁702b与704b亦以轴对称的方式配置。此外，在本实施例中，磁铁702a与704b的N极例如是朝上配置，而磁铁702b与磁铁704a的N极例如是朝下配置，即S极朝上。值得一提的是，由于在进行物理气相沉积工艺时，此旋转磁控装置700会顺着靶材背板202的中心轴706进行180n度(此n值为正整数)的旋转。因此旋转磁控装置700所产生的磁场方向亦会同时旋转，进而使得薄膜沉积的偏移方向旋转，因此可于开口侧壁得到具有对称性的薄膜。
值得一提的是，此旋转磁控装置700的磁铁组702与704的配置方式除了如图9B的配置方式外，亦可使用马蹄形的磁铁702a、702b、704a与704b，并且构成如图9C或图9D的配置。当然，亦有其它合适的配置方式，亦即只要磁铁组以轴对称的方式配置于靶材背板202上即可于开口侧壁得到具有对称性的薄膜。
利用上述的物理气相沉积设备进行物理气相沉积工艺的详细说明如下。
请参照图7A，首先将晶片212放置在腔室200内的晶片承载基座204上，准备于晶片212表面上沉积薄膜。而晶片212上的对准或叠合的沟槽的剖面示意图如图8A所示，其包括硅基底300，以及形成在基底300上的介电层302，且介电层302中具有一开口304。
之后，于晶片212上进行沉积工艺。详细说明是，开启旋转磁控装置600及电源供应器210，以使等离子体气体离子化(等离子体)，且这些离子化的等离子体气体会轰击靶材214，而使得靶材214上的原子被溅击出来。由于旋转磁控装置700所产生的磁场使等离子体气体离子以螺旋方式移动路径，因此一开始于开口304侧壁所沉积的薄膜800a会产生偏移，而形成如图8A所示的不对称薄膜。不过，由于此旋转磁控装置700在沉积工艺的过程中会以靶材背板202的中心轴706为旋转中心同时进行180n度(此n值为正整数)的旋转，即此旋转磁控装置700的磁铁组702在沉积工艺完成后，会回到原本磁铁组704的位置，且磁铁组704会回到原本磁铁组702的位置(如图7B所示)。因此，旋转磁控装置700每旋转180度后所产生的磁场方向在沉积工艺的过程中会同时旋转，进而使得薄膜沉积的偏移方向旋转，如此可于开口304侧壁得到如图8B所示的具有对称性的薄膜800b。
值得一提的是，在第三实施例中虽仅以图9B的旋转磁控装置700加以说明本发明，惟本发明并不限于此。亦即只要旋转磁控装置700的磁铁组以轴对称的方式配置于靶材背板202上，则皆可于开口304侧壁得到如图8B所示的具有对称性的薄膜800b。
综上所述，本发明至少具有下面的优点1、当于进行物理气相沉积工艺时，利用本发明的具有电磁铁磁控装置的物理气相沉积设备，可以在沉积工艺的过程中，临场反转此电磁铁磁控装置的磁极，进而反转薄膜的不对称沉积的偏移方向，因此可以解决薄膜于开口侧壁处的不对称沉积的问题。
2、在进行物理气相沉积工艺时，利用本发明的具有旋转磁控装置的物理气相沉积设备，可以在沉积工艺的过程中，同时旋转此磁铁磁控装置的磁极，进而旋转薄膜的不对称沉积的偏移方向，因此可以解决薄膜于开口侧壁处的不对称沉积的问题。
3、利用本发明来进行金属导线定义工艺，不需如现有技术一样，为了弥补因光刻工艺中因对准记号及叠合记号的偏移，而于采取个别调整叠合偏移的补偿校正值来解决此偏移所造成的问题，因此可以使得工艺更为简便。
虽然本发明以优选实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围应当以后附的权利要求所界定者为准。
权利要求
1.一种物理气相沉积设备，包括一反应室；以及一电磁铁磁控装置，配置于该反应室的外部上方，其中当于进行一物理气相沉积工艺时，临场反转该电磁铁磁控装置的磁极。
2.如权利要求1所述的物理气相沉积设备，其中该电磁铁磁控装置包括多个电磁铁组。
3.如权利要求1所述的物理气相沉积设备，其中该反应室包括一腔室；一靶材背板，配置于该腔室的顶部；以及一晶片承载基座，配置于该反应室的底部。
4.一种物理气相沉积工艺，包括提供一反应室，该反应室的外部上方配置有一电磁铁磁控装置；启动该电磁铁磁控装置，进行一第一沉积步骤；以及反转该电磁铁磁控装置的磁极，进行一第二沉积步骤，以完成一薄膜的沉积。
5.如权利要求4所述的物理气相沉积工艺，其中该第一沉积步骤与该第二沉积步骤为一次沉积循环，且该薄膜以一次以上的该沉积循环所形成。
6.如权利要求4所述的物理气相沉积工艺，还包括藉由改变电流大小以调整该电磁铁磁控装置的磁场强度，以减少该薄膜随着该物理气相沉积工艺的靶材寿命所存在的一偏移量。
7.如权利要求4所述的物理气相沉积工艺，其中该电磁铁磁控装置包括多个电磁铁组。
8.一种物理气相沉积设备，包括一反应室；以及一旋转磁控装置，配置于该反应室的外部上方，其中该旋转磁控装置包括至少二磁铁组，且该些磁铁组以轴对称或面对称的方式配置，但磁极相反。
9.如权利要求8所述的物理气相沉积设备，其中该反应室包括一腔室；一靶材背板，配置于该腔室的顶部；以及一晶片承载基座，配置于该反应室的底部。
10.如权利要求9所述的的物理气相沉积设备，其中该轴对称的对称轴或该面对称的对称面通过该靶材背板的中心轴，且当进行一物理气相沉积工艺时，该旋转磁控装置会顺着该中心轴旋转。
11.如权利要求8所述的物理气相沉积设备，其中该二磁铁组的其中一磁铁组包括一第一磁铁与一第二磁铁，且另一磁铁组包括一第三磁铁与一第四磁铁，而该第一磁铁与该第三磁铁以轴对称的方式配置，该第二磁铁与该第四磁铁以轴对称的方式配置，而且该第一磁铁及该第四磁铁的第一磁极与该第二磁铁及该第三磁铁的第一磁极的配置方向相反。
12.如权利要求8所述的物理气相沉积设备，其中该二磁铁组的其中一磁铁组包括一第一磁铁与一第二磁铁，且另一磁铁组包括一第三磁铁与一第四磁铁，而该第一磁铁与该第三磁铁以面对称的方式配置，该第二磁铁与该第四磁铁以面对称的方式配置，而且该第一磁铁及该第四磁铁的第一磁极与该第二磁铁及该第三磁铁的第一磁极的配置方向相反。
13.一种物理气相沉积工艺，包括提供一反应室，该反应室的外部上方配置有一旋转磁控装置，其中该旋转磁控装置包括至少二磁铁组，且该些磁铁组以轴对称或面对称的方式配置；以及启动该旋转磁控装置，以进行一沉积工艺，其中在该沉积工艺的过程中，该旋转磁控装置同时进行旋转。
14.如权利要求13所述的物理气相沉积工艺，其中该些磁铁组以轴对称方式配置，而且在沉积工艺的过程中，该旋转磁控装置旋转180n度，该n为正整数。
15.如权利要求13所述的物理气相沉积工艺，其中该些磁铁组以面对称方式配置，而且在沉积工艺的过程中，该旋转磁控装置旋转360n度，该n为正整数。
全文摘要
一种物理气相沉积设备，此沉积设备由一反应室与一电磁铁磁控装置所构成，此电磁铁磁控装置配置于反应室的外部上方。其中当于进行物理气相沉积工艺时，临场反转此电磁铁磁控装置的磁极，因此可以解决开口侧壁的不对称沉积的问题。
文档编号C23C14/35GK1740381SQ20041006827
公开日2006年3月1日 申请日期2004年8月27日 优先权日2004年8月27日
发明者陈泰原, 梅伦 申请人:茂德科技股份有限公司