技术编号:3262920
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一般而言,本发明涉及用于制造半导体装置、光伏打装置、LCF-TFT装置或平板型 装置的组合物、方法及设备。现有技术在制造晶体管期间,可使用硅化物层改良多晶硅的导电性。举例而言,硅化镍 (NiSi)可用作晶体管的源极与漏极中的接点以改良导电性。形成金属硅化物的方法是以过 渡金属(例如镍)薄层沉积于多晶硅上开始。随后将金属与一部分多晶硅熔合于一起来形 成金属硅化物层。化学气相沉积(CVD)及原子层沉积(ALD)是用于控制原子级沉积且形成极薄涂层 的主要气相化学...
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