技术编号:3268311
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及高温CVD设备制造领域技木,尤其是指ー种高温CVD生长室用高度微调节装置。背景技术第三代半导体材料碳化硅(SiC)因其具有的宽禁带、高热导率、高击穿场强、高电子漂移速率等优点,在高温、大功率器件领域有着巨大的应用潜力与市场。而高质量的碳化硅外延材料是制备碳化硅功率器件的前提条件。目前制备碳化硅外延材料主要方法是高温化学气相沉积(CVD)技木。所谓化学气相沉积技术,就是利用载气将反应气体如硅烷、丙烷等运输到外延生长室内,使它们在热衬底上发生化学...
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