技术编号：32699020
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本揭示内容是关于一种制造半导体元件的方法。背景技术.随着半导体工业发展到纳米技术制程节点以追求更高的元件密度、更高的性能和更低的成本，来自制造和设计问题的挑战引发三维设计的发展，例如多栅极场效晶体管(field effect transistor；fet)，包括鳍式场效晶体管(finfet)和栅极环绕(gate-all-around；gaa)场效晶体管。在finfet中，栅电极与通道区域的三个侧表面相邻，栅介电层介于其间。finfet的栅电极包括透过栅极置换技术形成的一或多层金属材料。发明...
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