技术编号:3279392
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种可调制带隙宽度的Fe-Cr-Si三元非晶薄膜及其制备方法,属半导体材料。背景技术半导体金属硅化物是太阳能电池用材料之一,它们与单晶硅技术有极好的相容性,具有金属的导电性、高的热稳定性、抗氧化性以及优越的力学稳定性,同时半导体硅化物也以其优越的环境友好特性赢得了广泛的关注,尤其是过渡族金属硅化物。其中典型的有β-FeSi2和(6丨2。β-FeSi2具有0.83、.87eV直接带隙,对红外波长有着较大的光吸收系数(α ΜΟ πΓ1,1.0eV),...
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