技术编号:3280223
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及应用一种真空物理沉积工艺??即脉冲激光沉积技术,制备二氧化锡半导体薄膜及使其微结构缺陷湮灭的实验工艺或方法,属于氧化物半导体薄膜制备工艺。背景技术随着微电子工业的飞速发展,各种薄膜/颗粒、纳米技术及工艺的日臻成熟,使得氧化物功能薄膜或颗粒作为半导体材料、介电材料、电极材料、气体敏感材料以及催化剂材料等,并已在许多领域得到了广泛的应用。二氧化锡是一种典型的直接宽带隙型半导体功能材料,其体带隙约为3.6 eV (在300 K时),激子束缚能为130 ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。