技术编号:3280244
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体薄膜,尤其涉及一种具有P型导电特性、高电导率、高载流子浓度、透明氧化物薄膜及其制备技术,具体是指一种高导电性能P型透明导电掺杂氧化亚铜薄膜及其制备方法。背景技术透明导电氧化物(TCO)薄膜是广泛应用在平板显示、太阳能电池、透明器件及气敏传感器等诸多领域的新型半导体材料。在研究与应用中发现通过掺杂制备出来的η型TCO薄膜室温导电性能极佳,如典型的η型TCO薄膜Sn掺杂In2O3基薄膜(ΙΤ0)的电导率一般在IO3S ^nT1以上,和金属导电性...
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