技术编号:3281191
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。优先权声明本申请要求2003年2月4日提交的美国专利申请No.10/360,135的优先权,其在此引入作为参考。 背景技术 本发明涉及薄膜的沉积且特别涉及半导体薄膜加工。沉积是现代半导体器件结构的基本制造方法之一。沉积技术包括物理气相沉积(″PVD″或溅射),和化学气相沉积(″CVD″)及CVD的许多变化,例如脉冲CVD、顺序CVD,或原子层沉积(″ALD″)。PVD法使用高真空设备及产生的等离子体,该等离子体向晶片基底的表面上溅射原子或原子簇。PVD是一...
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