技术编号:3284346
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种新型的半导体基础材料以及关于制造该种半导体基础材料的方法,此种材料由无定形含氢碳(a-C∶H)的薄膜构成,具有优良的半导体性能。众所周知,作为半导体基础材料特别是单晶硅(Si)和砷化镓(GaAs),有很高的N-和P-载流子迁移率(>>1cm2·v-1·s-1)。这些材料的不足之处在于它们不能够用软载体的带状技术作为薄层制造,并且制造和加工都需要高温工艺。此外,作为半导体基础材料的还有无定形含氢硅(a-si∶H),这种材料虽然可以在薄层基底上...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。